光敏電阻又稱光導(dǎo)管，其工作原理基于內(nèi)光電效應(yīng)。常見的光敏電阻有硫化鎘（CdS）、硫化鉛（PbS）、銻化銦（InSb）等。

在玻璃底板上均勻涂上一薄層半導(dǎo)體物質(zhì)，稱為光導(dǎo)層。光導(dǎo)層兩端接有金屬電極，金屬電極與引出線相接，以連接外電路。玻璃底板使光敏電阻有一透光的透明窗。為了防止周圍介質(zhì)的影響，在半導(dǎo)體光敏層上覆蓋了一層漆膜，漆膜的成分應(yīng)使它在光敏層最敏感的波長范圍內(nèi)透射率最大。

光敏電阻純粹是一個電阻器件，沒有極性，即使用時加直流或交流電壓均可。光敏電阻在電路中用R或R。表示，圖是光敏電阻的實物和圖形符號。

新的8GB DDR4存儲器具有超過60 MeV.cm²/mg的單粒子鎖定（SEL）免疫功能。而且，它的目標總電離劑量（TID）是100krad，SEU/SEE測試超過60 MeV.cm²/mg。

從外觀來看，8GB版本與之前4GB版本的尺寸（即15mmx20mmx1.92mm）一致，即存儲密度加倍但仍保持引腳兼容性。此外，該存儲器還支持2400MT/s的傳輸速率。

對更寬采樣帶寬的需求促使業(yè)界采用更精細的幾何尺寸，不過對數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器性能（如噪聲和線性度）的期望仍然存在。這對模擬設(shè)計提出了獨特的挑戰(zhàn)。

轉(zhuǎn)向更小幾何尺寸的一個不希望出現(xiàn)的結(jié)果是電源電壓降低，這使得開發(fā)模擬電路以工作在高采樣速率并保持相同的噪聲/線性度性能所需的裕量大大降低。為了克服這一限制，電路設(shè)計有不同的電壓軌以提供所需的噪聲和線性度性能。

這在新一代ADC中很明顯，最低電壓軌已降低至0.975V。下面的表1列出了若干代的一些常見ADC。

HDC1080DMBR

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