導(dǎo)通電阻值9mΩ在高壓多千瓦車載應(yīng)用中減少傳導(dǎo)損耗并提高效率
發(fā)布時(shí)間:2024/7/29 20:55:44 訪問次數(shù):126
750V SiC FET作為Qorvo全新引腳兼容SiC FET系列的首款產(chǎn)品,導(dǎo)通電阻值最高可達(dá)60mΩ,非常適合車載充電器,DC/DC轉(zhuǎn)換器和正溫度系數(shù)加熱器模塊等電動(dòng)汽車類應(yīng)用。
UJ4SC075009B7S在25°C時(shí)的典型導(dǎo)通電阻值為9mΩ,可在高壓、多千瓦車載應(yīng)用中減少傳導(dǎo)損耗并最大限度地提高效率。
第四代SiC FET采用Qorvo獨(dú)特的共源共柵結(jié)構(gòu)電路配置,將SiC JFET與硅基MOSFET合并封裝,從而制造出具備寬帶隙開關(guān)技術(shù)效率優(yōu)勢(shì)和硅基MOSFET簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)的器件。
相對(duì)有線方案,無線方案更偏重能效和連接的穩(wěn)定性。為此,該無線方案增加以下功能:支持大容量1-2節(jié)鋰電池充放電管理;無線模式下超低運(yùn)行功耗遠(yuǎn)低于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn);USB/2.4G同時(shí)支持1kHz穩(wěn)定回報(bào)率;具備更低的睡眠功耗,一級(jí)低功耗模式下<200uA,二級(jí)休眠模式下<100uA.
多種連接模式切換邏輯可自定義;支持硬件開關(guān)/旋鈕切換,支持自定義各種快捷鍵切換;支持在線USB/無線升級(jí)固件。
Coval的多級(jí)技術(shù)通過級(jí)聯(lián)供應(yīng)多個(gè)文丘里階段的壓縮空氣,并結(jié)合它們各自的吸氣流量,最大化壓縮空氣的能量利用。中間閥門逐步隔離每個(gè)階段,以獲得真空水平。這種技術(shù)能在低真空水平下生成重要的吸氣流量。
這一創(chuàng)新體現(xiàn)了COVAL致力于為工業(yè)提供高效節(jié)能解決方案的承諾。
http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊暉半導(dǎo)體有限公司
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第四代SiC FET采用Qorvo獨(dú)特的共源共柵結(jié)構(gòu)電路配置,將SiC JFET與硅基MOSFET合并封裝,從而制造出具備寬帶隙開關(guān)技術(shù)效率優(yōu)勢(shì)和硅基MOSFET簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)的器件。
相對(duì)有線方案,無線方案更偏重能效和連接的穩(wěn)定性。為此,該無線方案增加以下功能:支持大容量1-2節(jié)鋰電池充放電管理;無線模式下超低運(yùn)行功耗遠(yuǎn)低于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn);USB/2.4G同時(shí)支持1kHz穩(wěn)定回報(bào)率;具備更低的睡眠功耗,一級(jí)低功耗模式下<200uA,二級(jí)休眠模式下<100uA.
多種連接模式切換邏輯可自定義;支持硬件開關(guān)/旋鈕切換,支持自定義各種快捷鍵切換;支持在線USB/無線升級(jí)固件。
Coval的多級(jí)技術(shù)通過級(jí)聯(lián)供應(yīng)多個(gè)文丘里階段的壓縮空氣,并結(jié)合它們各自的吸氣流量,最大化壓縮空氣的能量利用。中間閥門逐步隔離每個(gè)階段,以獲得真空水平。這種技術(shù)能在低真空水平下生成重要的吸氣流量。
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