單電源供電的電路運放的電源腳連接到正電源和地。正電源引腳接到VCC+，地或者VCC-引腳連接到GND。將正電壓分成一半后的電壓作為虛地接到運放的輸入引腳上，這時運放的輸出電壓也是該虛地電壓，運放的輸出電壓以虛地為中心，擺幅在Vom之內(nèi)。

所有的運算放大器都有兩個電源引腳，一般在資料中，它們的標識是VCC+和VCC-，但是有些時候它們的標識是VCC+和GND。

這是因為有些數(shù)據(jù)手冊的作者企圖將這種標識差異作為單電源運放和雙電源運放區(qū)別。

根據(jù)電流鏡的比例關(guān)系和主反饋支路的電流大小，可以計算出各支路RSET電阻的理論值。然而，由于實際電路中的非理想因素(如MOSFET的通道長度調(diào)制效應(yīng)、溫度漂移等)，可能需要通過仿真或?qū)嶒瀬砦⒄{(diào)RSET電阻的值，以確保各支路電流的精確性。

完成電路設(shè)計后，需要進行驗證和測試。通過測量各支路的電流大小，并與理論值進行比較，可以評估電路的性能和精度。

如果發(fā)現(xiàn)偏差較大，需要進一步檢查電路連接、元件參數(shù)和仿真模型的準確性，并進行相應(yīng)的調(diào)整。

LM1117IDT-3.3/NOPB

數(shù)字返回電流干擾模擬返回電流的典型示例。接地路徑的導(dǎo)線電感和電阻由模擬和數(shù)字電路共享，這會造成相互影響，最終產(chǎn)生誤差。

為了生成不同量級的偏置電流，需要調(diào)整各支路中RSET電阻的值。

一個可能的解決方案是讓數(shù)字電路電流返回路徑直接流向GND REF，這是“星型接地”或者叫單點接地的基本原理。在包含多個高頻返回路徑的系統(tǒng)中實現(xiàn)真正的單點接地是很困難的，因為單獨的電流返回路徑導(dǎo)線的物理長度會引入寄生電阻和電感，這不符合高頻電流的低阻抗接地原則。

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