這兩款運(yùn)放的輸入失調(diào)電壓極低，在25°C時(shí)典型值為3.5μV；輸入偏置電流在25°C時(shí)典型值為30pA。

TSZ181H1和TSZ182H1的工作溫度范圍很寬，可承受惡劣的工業(yè)和汽車應(yīng)用環(huán)境，在芯片的工作溫度較低時(shí)，可以延長芯片的使用壽命，滿足應(yīng)用長時(shí)間運(yùn)行的需求。該器件符合AEC-Q100汽車電子標(biāo)準(zhǔn)，并具備4kV HBM ESD靜電放電耐受能力。

IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設(shè)計(jì)余量、耐變性能和更長久的可靠性。

STPOWER IH2系列IGBT還提高了功率轉(zhuǎn)換能效，相關(guān)參數(shù)十分出色，例如，飽和電壓Vce(sat)很低，確保器件在導(dǎo)通狀態(tài)下耗散功率很低。續(xù)流二極管的壓降很低，關(guān)斷電能得到優(yōu)化，讓工作頻率16kHz 至60kHz的單開關(guān)準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器具有更高的能效。

在高精度、高帶寬傳感器接口內(nèi)，TSZ181H1和TSZ182H1的性能表現(xiàn)出色，可用于精密信號(hào)調(diào)理，無需校準(zhǔn)，與典型運(yùn)放相比，可以簡化最終產(chǎn)品的制造過程，同時(shí)確保準(zhǔn)確度更高。

90度預(yù)成型通孔引腳，適于水平安裝，僅為8.5mm的薄型尺寸在安裝時(shí)極具優(yōu)勢。

新型R-78K-2.0(L)系列具有相同的電氣規(guī)格，固定輸出選項(xiàng)為1.2V至15V，最大輸入電壓為36V。

這意味著無需散熱裝置，可進(jìn)一步節(jié)省空間和成本。R-78K-2.0(L)系列的最高工作溫度為+110°C，無降額的情況下，某些型號(hào)可在高達(dá)+90°C環(huán)境溫度下工作，具體取決于輸入電壓。靜態(tài)電流最大為1 mA，可實(shí)現(xiàn)節(jié)能并延長便攜式設(shè)備的電池壽命。

集成信號(hào)處理器ASIC通過驅(qū)動(dòng)器和集成壓電盤觸發(fā)，可計(jì)算信號(hào)傳播時(shí)間，重復(fù)率高達(dá)50次采樣/秒，能準(zhǔn)確測量從18厘米到200厘米的距離，在多個(gè)模塊的收發(fā)模式下甚至能測量4厘米的距離。

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