一系列高能效GaN功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。兩款新型 ICeGaN™產(chǎn)品系列GaN功率IC封裝，它們具有低熱阻并便于光學(xué)檢查。這兩種封裝均采用經(jīng)過充分驗證的DFN封裝，堅固可靠。

DHDFN-9-1（雙散熱器DFN）是一種薄的雙面冷卻封裝，外形尺寸僅為10x10mm，并采用側(cè)邊可濕焊盤技術(shù)，便于光學(xué)檢查。它具有低熱阻（Rth(JC)），可采用底部、頂部和雙側(cè)冷卻方式運行，在設(shè)計上具有靈活性。

在頂部尤其是雙側(cè)冷卻配置中，性能優(yōu)于常用的TOLT封裝。DHDFN-9-1封裝采用雙極引腳設(shè)計，有助于優(yōu)化PCB布局和簡單并聯(lián)，使客戶能夠輕松處理高達6千瓦的應(yīng)用。

新品可應(yīng)對目前電磁式斷路器對有限空間尺寸的所有要求，且無需復(fù)雜的冷卻系統(tǒng)即可運行，加速從電磁式斷路器向基于半導(dǎo)體的固態(tài)斷路器（SSCB）的轉(zhuǎn)型。

隨著UJ4N075004L8S的推出，Qorvo將繼續(xù)領(lǐng)導(dǎo)SiC電源產(chǎn)品的創(chuàng)新，以超小型元件封裝的超低導(dǎo)通電阻FET器件助力電路保護等應(yīng)用的發(fā)展。

其最新款JFET還能承受高瞬時結(jié)溫而不發(fā)生性能劣化或參數(shù)漂移。JFET的常開特性使其能無縫集成到默認導(dǎo)通狀態(tài)的系統(tǒng)中，并在故障條件下轉(zhuǎn)為關(guān)斷狀態(tài)。

1200V碳化硅（SiC） MOSFET，采用D2PAK-7表面貼裝器件（SMD）封裝，有30、40、60和80mΩ RDSon值可供選擇。

3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件之后的又一新產(chǎn)品,它將使其SiC MOSFET產(chǎn)品組合迅速擴展到包括RDSon值為17、30、40、60和80mΩ且封裝靈活的器件。

Omnix®6000 ECHO HPPA系列（非食品接觸）——性能優(yōu)于聚酰胺PA6或PA66基材材料，質(zhì)量平衡分配法生產(chǎn)，其再生材料含量高達83%，可將產(chǎn)品碳足跡降低45%。

深圳市恒凱威科技開發(fā)有限公司http://szhkwkj.51dzw.com