D2PAK-7等SMD封裝的高性能SiC開關(guān)日益增長(zhǎng)的需求，這種開關(guān)在電動(dòng)汽車（EV）充電（充電樁）、不間斷電源（UPS）以及太陽(yáng)能和儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）逆變器等各種工業(yè)應(yīng)用中越來(lái)越受歡迎。

將SiC寬帶隙半導(dǎo)體的能效和電氣性能推向了新的高度，同時(shí)還提高了該技術(shù)的未來(lái)生產(chǎn)能力，以滿足不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。

RDSon是SiC MOSFET的一個(gè)關(guān)鍵性能參數(shù)，因?yàn)樗鼤?huì)影響傳導(dǎo)功率損耗。然而，許多制造商只關(guān)注標(biāo)稱值，而忽略了一個(gè)事實(shí)，即隨著設(shè)備工作溫度的升高，RDSon相比室溫下的標(biāo)稱值可能會(huì)增加100%以上，從而造成相當(dāng)大的傳導(dǎo)損耗。

嚴(yán)格的閾值電壓VGS(th)規(guī)格使這些MOSFET分立器件在并聯(lián)時(shí)能夠提供平衡的載流性能。

此外，較低的體二極管正向電壓（VSD）有助于提高器件穩(wěn)健性和效率，同時(shí)還能放寬對(duì)續(xù)流操作的死區(qū)時(shí)間要求。

SSCB市場(chǎng)正迅速增長(zhǎng)，Qorvo的最新產(chǎn)品是這一技術(shù)演進(jìn)中的重要里程碑。

Qorvo的JFET器件堅(jiān)固耐用，能夠在電路故障時(shí)承受極高的浪涌電流并實(shí)現(xiàn)關(guān)斷，非常適合應(yīng)對(duì)電路保護(hù)領(lǐng)域的挑戰(zhàn)。

Nexperia發(fā)現(xiàn)這也是造成目前市場(chǎng)上許多SiC器件的性能受限的因素之一，SiC MOSFET采用了創(chuàng)新型工藝技術(shù)特性，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的RDSon溫度穩(wěn)定性，在25℃至175℃的工作溫度范圍內(nèi)，RDSon的標(biāo)稱值僅增加38%。

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