浓毛老太交欧美老妇热爱乱,蜜臀性色av免费,妺妺窝人体色www看美女,久久久久久久久久久大尺度免费视频,麻豆人妻无码性色av专区

位置:51電子網(wǎng) » 技術資料 » 通信網(wǎng)絡

多顆3.0V超級電容串聯(lián)有效減少智聯(lián)鋰電整機體積提升能量密度

發(fā)布時間:2024/9/15 23:12:34 訪問次數(shù):175

在電動汽車逆變器的開發(fā)中,SiC功率元器件是非常重要的部件,由于可以進行高效率的電力電子設計,因此非常有助于例如延長續(xù)航距離和削減電池尺寸等電動汽車的技術革新。根據(jù)此次的長期供貨協(xié)議,將確保在電動汽車產(chǎn)品開發(fā)方面的重要部件——SiC功率元器件的產(chǎn)能。

隨著電動汽車在中國車載市場蓬勃發(fā)展,SiC為首的功率半導體使用、交付會顯得越來越重要。全球知名半導體企業(yè),特別在SiC高功率器件上有很深造詣。

持續(xù)進行技術交流,對其提案的元器件以及周邊部件解決方案有著很高的評價。感謝一直以來的大力支持,與此同時,我們期待以此為新的起點來構(gòu)筑長期的合作關系。

4G智聯(lián)鋰電池相較于傳統(tǒng)鉛酸電池,壽命更長,續(xù)航更強,長期使用成本更低。在鋰電池工作時,內(nèi)部的超級電容快速釋放能量,為發(fā)動機提供即時電力支持,確保車輛在電瓶電量耗盡時仍能順利啟動。啟動后,發(fā)動機為車輛電瓶充電,形成循環(huán)充電機制。

永銘超級電容器SDB系列具有長循環(huán)壽命、耐高溫、高電壓等特點,更好的解決了重卡續(xù)航問題。

長循環(huán)壽命:SDB系列單體的循環(huán)壽命可達50萬次,整機多顆電容串聯(lián)的循環(huán)壽命超過10萬次。

耐高溫:85℃的環(huán)境下可確保1000小時的工作壽命,使智聯(lián)鋰電整機的使用壽命長達10年以上。

高電壓:多顆3.0V超級電容串聯(lián),能有效減少智聯(lián)鋰電整機的體積,并提升能量密度。

PowiGaN器件不表現(xiàn)出硅器件固有的雪崩擊穿機制。它們的內(nèi)部級聯(lián)結(jié)構(gòu)和高擊穿電壓(通常是額定電壓的兩倍以上)使它們能夠承受高電壓尖峰和長期的線路膨脹。

這些器件在電壓尖峰期間會暫時增加電阻,稍微降低效率,但能迅速恢復而不會對性能產(chǎn)生明顯影響。即使在多個尖峰事件或長期膨脹下,PowiGaN器件仍能保持安全有效的操作而不會退化。

所有功率器件都有定義的操作限制。例如,725V的硅MOSFET通?梢园踩ぷ鞯650V,并降額到725 V。長期暴露在高于725V的電壓下會導致雪崩擊穿,導致局部加熱和潛在的結(jié)構(gòu)損壞。電壓尖峰(如閃電襲擊或電源接線錯誤)和電網(wǎng)不穩(wěn)定導致的線路膨脹可以將這些器件推向極限,導致災難性故障。

深圳市恒凱威科技開發(fā)有限公司http://szhkwkj.51dzw.com

在電動汽車逆變器的開發(fā)中,SiC功率元器件是非常重要的部件,由于可以進行高效率的電力電子設計,因此非常有助于例如延長續(xù)航距離和削減電池尺寸等電動汽車的技術革新。根據(jù)此次的長期供貨協(xié)議,將確保在電動汽車產(chǎn)品開發(fā)方面的重要部件——SiC功率元器件的產(chǎn)能。

隨著電動汽車在中國車載市場蓬勃發(fā)展,SiC為首的功率半導體使用、交付會顯得越來越重要。全球知名半導體企業(yè),特別在SiC高功率器件上有很深造詣。

持續(xù)進行技術交流,對其提案的元器件以及周邊部件解決方案有著很高的評價。感謝一直以來的大力支持,與此同時,我們期待以此為新的起點來構(gòu)筑長期的合作關系。

4G智聯(lián)鋰電池相較于傳統(tǒng)鉛酸電池,壽命更長,續(xù)航更強,長期使用成本更低。在鋰電池工作時,內(nèi)部的超級電容快速釋放能量,為發(fā)動機提供即時電力支持,確保車輛在電瓶電量耗盡時仍能順利啟動。啟動后,發(fā)動機為車輛電瓶充電,形成循環(huán)充電機制。

永銘超級電容器SDB系列具有長循環(huán)壽命、耐高溫、高電壓等特點,更好的解決了重卡續(xù)航問題。

長循環(huán)壽命:SDB系列單體的循環(huán)壽命可達50萬次,整機多顆電容串聯(lián)的循環(huán)壽命超過10萬次。

耐高溫:85℃的環(huán)境下可確保1000小時的工作壽命,使智聯(lián)鋰電整機的使用壽命長達10年以上。

高電壓:多顆3.0V超級電容串聯(lián),能有效減少智聯(lián)鋰電整機的體積,并提升能量密度。

PowiGaN器件不表現(xiàn)出硅器件固有的雪崩擊穿機制。它們的內(nèi)部級聯(lián)結(jié)構(gòu)和高擊穿電壓(通常是額定電壓的兩倍以上)使它們能夠承受高電壓尖峰和長期的線路膨脹。

這些器件在電壓尖峰期間會暫時增加電阻,稍微降低效率,但能迅速恢復而不會對性能產(chǎn)生明顯影響。即使在多個尖峰事件或長期膨脹下,PowiGaN器件仍能保持安全有效的操作而不會退化。

所有功率器件都有定義的操作限制。例如,725V的硅MOSFET通常可以安全工作到650V,并降額到725 V。長期暴露在高于725V的電壓下會導致雪崩擊穿,導致局部加熱和潛在的結(jié)構(gòu)損壞。電壓尖峰(如閃電襲擊或電源接線錯誤)和電網(wǎng)不穩(wěn)定導致的線路膨脹可以將這些器件推向極限,導致災難性故障。

深圳市恒凱威科技開發(fā)有限公司http://szhkwkj.51dzw.com

熱門點擊

 

推薦技術資料

耳機的焊接
    整機電路簡單,用洞洞板搭線比較方便。EM8621實際采... [詳細]
版權所有:51dzw.COM
深圳服務熱線:13751165337  13692101218
粵ICP備09112631號-6(miitbeian.gov.cn)
公網(wǎng)安備44030402000607
深圳市碧威特網(wǎng)絡技術有限公司
付款方式


 復制成功!