IRiPOWIR同步降壓轉(zhuǎn)換器組合模塊
發(fā)布時(shí)間:2007/4/23 0:00:00 訪問次數(shù):541
國(guó)際整流器公司(International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR)近日推出一款經(jīng)過全面優(yōu)化的功率組合模塊解決方案——iPOWIR iP2003A。它適用于3V到13.2V輸入電壓范圍的大電流多相位同步降壓轉(zhuǎn)換器,是專門為服務(wù)器、臺(tái)式電腦及數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)中的低壓電源線而設(shè)計(jì)的。
作為iPOWIR系列的新成員,iP2003A成功地把硅和無源元件集成到一個(gè)緊湊型柵陣列(LGA)封裝中。集成硅片中包含同步柵極驅(qū)動(dòng)器、高端和低端功率MOSFET及一個(gè)同步肖特基整流器,可有效降低死區(qū)時(shí)間損耗。該器件能在1MHz工作,提供40A的額定持續(xù)輸出電流,可全功率工作直至100°C的溫度條件。
IR中國(guó)及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國(guó)富表示:“iP2003A與標(biāo)準(zhǔn)的分立式解決方案不同,它能在1MHz下工作,并可憑借更小型的輸出濾波器,大大改善瞬態(tài)性能,節(jié)省電路板面積和降低系統(tǒng)成本!
一個(gè)內(nèi)含四顆iP2003A的四相轉(zhuǎn)換器如果配合標(biāo)準(zhǔn)的多相脈寬調(diào)制(PWM)控制器,可提供160A輸出電流,與采用熱強(qiáng)化型SO-8封裝的功率MOSFET同類解決方案相比,它可以節(jié)省55%的電路板空間。
此外,iP2003A集成了轉(zhuǎn)換器每相位所需的主要功率和無源元件,與標(biāo)準(zhǔn)的分立式方案相比,整體設(shè)計(jì)更加簡(jiǎn)化,還縮短了繪制電路時(shí)間。要實(shí)現(xiàn)完整的解決方案,只需加入外部PWM控制器、輸入和輸出電容、輸出電感即可。
iP2003A采用專利封裝技術(shù),其雙面冷卻能力可以通過極低的結(jié)點(diǎn)到外殼及結(jié)點(diǎn)到印刷電路板的熱阻實(shí)現(xiàn)最大的電流處理。
作為iPOWIR系列的新成員,iP2003A成功地把硅和無源元件集成到一個(gè)緊湊型柵陣列(LGA)封裝中。集成硅片中包含同步柵極驅(qū)動(dòng)器、高端和低端功率MOSFET及一個(gè)同步肖特基整流器,可有效降低死區(qū)時(shí)間損耗。該器件能在1MHz工作,提供40A的額定持續(xù)輸出電流,可全功率工作直至100°C的溫度條件。
IR中國(guó)及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國(guó)富表示:“iP2003A與標(biāo)準(zhǔn)的分立式解決方案不同,它能在1MHz下工作,并可憑借更小型的輸出濾波器,大大改善瞬態(tài)性能,節(jié)省電路板面積和降低系統(tǒng)成本!
一個(gè)內(nèi)含四顆iP2003A的四相轉(zhuǎn)換器如果配合標(biāo)準(zhǔn)的多相脈寬調(diào)制(PWM)控制器,可提供160A輸出電流,與采用熱強(qiáng)化型SO-8封裝的功率MOSFET同類解決方案相比,它可以節(jié)省55%的電路板空間。
此外,iP2003A集成了轉(zhuǎn)換器每相位所需的主要功率和無源元件,與標(biāo)準(zhǔn)的分立式方案相比,整體設(shè)計(jì)更加簡(jiǎn)化,還縮短了繪制電路時(shí)間。要實(shí)現(xiàn)完整的解決方案,只需加入外部PWM控制器、輸入和輸出電容、輸出電感即可。
iP2003A采用專利封裝技術(shù),其雙面冷卻能力可以通過極低的結(jié)點(diǎn)到外殼及結(jié)點(diǎn)到印刷電路板的熱阻實(shí)現(xiàn)最大的電流處理。
國(guó)際整流器公司(International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR)近日推出一款經(jīng)過全面優(yōu)化的功率組合模塊解決方案——iPOWIR iP2003A。它適用于3V到13.2V輸入電壓范圍的大電流多相位同步降壓轉(zhuǎn)換器,是專門為服務(wù)器、臺(tái)式電腦及數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)中的低壓電源線而設(shè)計(jì)的。
作為iPOWIR系列的新成員,iP2003A成功地把硅和無源元件集成到一個(gè)緊湊型柵陣列(LGA)封裝中。集成硅片中包含同步柵極驅(qū)動(dòng)器、高端和低端功率MOSFET及一個(gè)同步肖特基整流器,可有效降低死區(qū)時(shí)間損耗。該器件能在1MHz工作,提供40A的額定持續(xù)輸出電流,可全功率工作直至100°C的溫度條件。
IR中國(guó)及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國(guó)富表示:“iP2003A與標(biāo)準(zhǔn)的分立式解決方案不同,它能在1MHz下工作,并可憑借更小型的輸出濾波器,大大改善瞬態(tài)性能,節(jié)省電路板面積和降低系統(tǒng)成本!
一個(gè)內(nèi)含四顆iP2003A的四相轉(zhuǎn)換器如果配合標(biāo)準(zhǔn)的多相脈寬調(diào)制(PWM)控制器,可提供160A輸出電流,與采用熱強(qiáng)化型SO-8封裝的功率MOSFET同類解決方案相比,它可以節(jié)省55%的電路板空間。
此外,iP2003A集成了轉(zhuǎn)換器每相位所需的主要功率和無源元件,與標(biāo)準(zhǔn)的分立式方案相比,整體設(shè)計(jì)更加簡(jiǎn)化,還縮短了繪制電路時(shí)間。要實(shí)現(xiàn)完整的解決方案,只需加入外部PWM控制器、輸入和輸出電容、輸出電感即可。
iP2003A采用專利封裝技術(shù),其雙面冷卻能力可以通過極低的結(jié)點(diǎn)到外殼及結(jié)點(diǎn)到印刷電路板的熱阻實(shí)現(xiàn)最大的電流處理。
作為iPOWIR系列的新成員,iP2003A成功地把硅和無源元件集成到一個(gè)緊湊型柵陣列(LGA)封裝中。集成硅片中包含同步柵極驅(qū)動(dòng)器、高端和低端功率MOSFET及一個(gè)同步肖特基整流器,可有效降低死區(qū)時(shí)間損耗。該器件能在1MHz工作,提供40A的額定持續(xù)輸出電流,可全功率工作直至100°C的溫度條件。
IR中國(guó)及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國(guó)富表示:“iP2003A與標(biāo)準(zhǔn)的分立式解決方案不同,它能在1MHz下工作,并可憑借更小型的輸出濾波器,大大改善瞬態(tài)性能,節(jié)省電路板面積和降低系統(tǒng)成本!
一個(gè)內(nèi)含四顆iP2003A的四相轉(zhuǎn)換器如果配合標(biāo)準(zhǔn)的多相脈寬調(diào)制(PWM)控制器,可提供160A輸出電流,與采用熱強(qiáng)化型SO-8封裝的功率MOSFET同類解決方案相比,它可以節(jié)省55%的電路板空間。
此外,iP2003A集成了轉(zhuǎn)換器每相位所需的主要功率和無源元件,與標(biāo)準(zhǔn)的分立式方案相比,整體設(shè)計(jì)更加簡(jiǎn)化,還縮短了繪制電路時(shí)間。要實(shí)現(xiàn)完整的解決方案,只需加入外部PWM控制器、輸入和輸出電容、輸出電感即可。
iP2003A采用專利封裝技術(shù),其雙面冷卻能力可以通過極低的結(jié)點(diǎn)到外殼及結(jié)點(diǎn)到印刷電路板的熱阻實(shí)現(xiàn)最大的電流處理。
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