OrCAD/PSpice9直流掃描分析的應用(二極管V-I特性曲線)
發(fā)布時間:2008/5/27 0:00:00 訪問次數(shù):2582
    
    一、學習目的:
    1、使用orcad/pspice9直流掃描分析(dc sweep)來驗證二極管的v-i特性曲線。
    
    2、學習如何改變二極管的模型參數(shù)。
    二、練習步驟
    1、繪出電路圖,并存為d1n4002.opj。
    
    
    圖1 測量二極管v-i特性曲線的電路
    本電路需要使用的元件,如下所示:
    
    
    
    電源vi默認的dc元件屬性為0,我們不去改變它。因為它只在偏壓點分析(bias point detail)時有用,而本例將直接試用直流掃描分析(dc sweep)來求解。
    2、dc sweep 直流掃描分析
    
    步驟一:設置dc sweep 直流掃描分析參數(shù)1、選擇pspicenew simulation profile或單擊工具欄上的按鈕,打開new simulation對話框,在neme欄中輸入本仿真文件的名稱dc。
    
    2、單擊[create]鈕,出現(xiàn)如圖1的simulation setting-dc對話框,按圖2輸入?yún)?shù)。
    
    
    圖2 dc sweep設置
    
    即設置主掃描變量為電壓源vi,由-110v開始掃描直到10v,每隔0.01v記錄一點。
    
    3、設置完畢后,選擇[確定]按鈕退出simulation setting-dc窗口。
    
    步驟二:存檔并啟動pspice執(zhí)行仿真
    
    1、用filesave功能選項或工具欄的鈕或快捷鍵[ctrl+s]存檔一次。
    
    2、執(zhí)行pspicerun菜單命令或單擊按鈕,啟動pspice程序執(zhí)行仿。屏幕上自動打開probe窗口。
    
    步驟三:使用probe觀察仿真結果
    
    1、在剛打開的probe窗口空圖,先調整x軸變量vi為-110-10v。可以直接在x軸位置雙擊鼠標左鍵或是用plotaxis settings對話框,選擇x axis頁,選取user defined選項,然后輸入上下范圍值-110-10v。
    
    2、現(xiàn)在選擇traceadd trace...或快捷圖鈕或鍵盤上的[insrt]鈕。打開如下圖的add traces對話框,現(xiàn)在請在add traces在對話框左simulation output variables欄內的“i(d1)”處單擊鼠標左鍵,現(xiàn)在窗口下的trace expression欄處應該出項“i(d1)”字樣。用鼠標選“ok”鈕退出add traces窗口。這時的pspice窗口的輸出波形區(qū)出項如圖3所示一條曲線,由圖可以看到二極管v-i特性曲線的大致情況。
    
    
    圖3 二極管v-i特性曲線
    
    3、現(xiàn)在調整橫軸與縱軸坐標以便觀察門坎電壓值。請選protaxis settings...功能選項或直接x軸坐標刻度上雙擊左鍵來打開axis settings對話框。請把x axis頁內data rangs欄下的user defined值設為0-2v,請把y axis頁內data rangs欄下的user defined值設為0-5a,F(xiàn)在probe窗口如圖4所示,可見門坎電壓約為0.75v。
    
    
    圖4 二極管門坎電壓
    
    4、再如上面的操作將x軸坐標刻度值設為-101v到-99v,將縱軸坐標調整為-5v到1a,現(xiàn)在probe窗口如圖5所示,可見其雪崩電壓約為100v。
    
    
    圖5 二極管
    
    一、學習目的:
    1、使用orcad/pspice9直流掃描分析(dc sweep)來驗證二極管的v-i特性曲線。
    
    2、學習如何改變二極管的模型參數(shù)。
    二、練習步驟
    1、繪出電路圖,并存為d1n4002.opj。
    
    
    圖1 測量二極管v-i特性曲線的電路
    本電路需要使用的元件,如下所示:
    
    
    
    電源vi默認的dc元件屬性為0,我們不去改變它。因為它只在偏壓點分析(bias point detail)時有用,而本例將直接試用直流掃描分析(dc sweep)來求解。
    2、dc sweep 直流掃描分析
    
    步驟一:設置dc sweep 直流掃描分析參數(shù)1、選擇pspicenew simulation profile或單擊工具欄上的按鈕,打開new simulation對話框,在neme欄中輸入本仿真文件的名稱dc。
    
    2、單擊[create]鈕,出現(xiàn)如圖1的simulation setting-dc對話框,按圖2輸入?yún)?shù)。
    
    
    圖2 dc sweep設置
    
    即設置主掃描變量為電壓源vi,由-110v開始掃描直到10v,每隔0.01v記錄一點。
    
    3、設置完畢后,選擇[確定]按鈕退出simulation setting-dc窗口。
    
    步驟二:存檔并啟動pspice執(zhí)行仿真
    
    1、用filesave功能選項或工具欄的鈕或快捷鍵[ctrl+s]存檔一次。
    
    2、執(zhí)行pspicerun菜單命令或單擊按鈕,啟動pspice程序執(zhí)行仿。屏幕上自動打開probe窗口。
    
    步驟三:使用probe觀察仿真結果
    
    1、在剛打開的probe窗口空圖,先調整x軸變量vi為-110-10v?梢灾苯釉趚軸位置雙擊鼠標左鍵或是用plotaxis settings對話框,選擇x axis頁,選取user defined選項,然后輸入上下范圍值-110-10v。
    
    2、現(xiàn)在選擇traceadd trace...或快捷圖鈕或鍵盤上的[insrt]鈕。打開如下圖的add traces對話框,現(xiàn)在請在add traces在對話框左simulation output variables欄內的“i(d1)”處單擊鼠標左鍵,現(xiàn)在窗口下的trace expression欄處應該出項“i(d1)”字樣。用鼠標選“ok”鈕退出add traces窗口。這時的pspice窗口的輸出波形區(qū)出項如圖3所示一條曲線,由圖可以看到二極管v-i特性曲線的大致情況。
    
    
    圖3 二極管v-i特性曲線
    
    3、現(xiàn)在調整橫軸與縱軸坐標以便觀察門坎電壓值。請選protaxis settings...功能選項或直接x軸坐標刻度上雙擊左鍵來打開axis settings對話框。請把x axis頁內data rangs欄下的user defined值設為0-2v,請把y axis頁內data rangs欄下的user defined值設為0-5a,F(xiàn)在probe窗口如圖4所示,可見門坎電壓約為0.75v。
    
    
    圖4 二極管門坎電壓
    
    4、再如上面的操作將x軸坐標刻度值設為-101v到-99v,將縱軸坐標調整為-5v到1a,現(xiàn)在probe窗口如圖5所示,可見其雪崩電壓約為100v。
    
    
    圖5 二極管
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