一、學(xué)習(xí)目的：

     使用orcad/pspice9直流掃描分析(dc sweep)的嵌套掃描(nested sweep)來驗(yàn)證晶體三極管的vce-ib 輸出特性曲線。

    二、練習(xí)步驟：

    步驟一 繪出電路圖

    1．請建立項(xiàng)目q并繪出如圖示1的電路圖,并存為q.opj。

    圖1 測量npn型晶體管的vce-ib曲線的電路

    本電路需要使用的元件,如下所示:

    2、電壓源vce和電流源idc的元件屬性默認(rèn)都為0，我們不去改動它。因?yàn)樗辉谄珘狐c(diǎn)分析（bins point detail）時(shí)有用，而本范例將直接使用直流掃描分析(dc sweep)的嵌套掃描(nested sweep)來求解 q2n2222的vce-ic特性曲線。

    步驟二 設(shè)置直流掃描分析和直流嵌套掃描的參數(shù) 1．晶體管特性曲線vce-ic的橫軸為vce，縱軸為ic，而隨著不同的值會各自有一條對應(yīng)的曲線。也就是說， 有兩個(gè)不同的輸入變量在改變，而主掃描變量為vce，副掃描變量為ib。如果想要在同一張輸出波形圖上同 時(shí)顯示這兩種掃描的輸出結(jié)果，使用直流掃描分析(dc sweep)的嵌套掃描(nested sweep)是最方便不過了。

    2、選擇pspicenew simulation profile或單擊工具欄上的按鈕,打開new simulation對話框，在neme欄 中輸入本仿真文件的名稱dc，打開simulation setting-dc對話框。

    3、設(shè)置dc sweep仿真參數(shù)

    （1）設(shè)置主掃描參數(shù) 在options欄內(nèi)勾選primary sweep 選項(xiàng)，然后如圖2所示輸入?yún)?shù)：

    圖2 dc sweep(primary sweep)仿真參數(shù)

    （2）設(shè)置副掃描參數(shù) 在options欄內(nèi)勾選secondary sweep選項(xiàng)，然后如圖3所示輸入?yún)?shù)：

    圖3 dc sweep(secondary sweep)仿真參數(shù)

    （3）說明：

    ①我們已在設(shè)置主掃描變量為電壓源vce，由0v開始線性掃描直到4v，每隔0.01v記錄一點(diǎn)。副掃描量為電

    流源(current source)ib，sweep type欄：選linear線性掃描，star value:欄設(shè)為0，end value欄設(shè) 為0.5m，increment：設(shè)為0.1m，如此ib將在0ma、0.1ma、0.2ma、0.3ma、0.4ma和0.5ma時(shí)各掃描出一 條曲線。 ②副變量ib也可以用數(shù)值列表的方式(value list)設(shè)置。首先在sweep type欄選value list選項(xiàng)，然后直 接在右邊的空白欄內(nèi)輸入0ma 0.1ma 0.2ma 0.3ma 0.4ma 0.5ma即可。

    步驟三 存檔并執(zhí)行pspice仿真

    1、用filesave功能選項(xiàng)或工具欄的鈕或快捷鍵[ctrl+s]存檔一次。

    2、執(zhí)行pspicerun菜單命令或單擊按鈕，啟動pspice程序執(zhí)行仿。屏幕上自動打開probe窗口。

    步驟四 使用probe觀察仿真結(jié)果

    1、在剛打開的probe窗口空圖，除了x軸變量vce已經(jīng)按照我們在dc sweep的設(shè)置設(shè)為0-4v之外，y軸變量則等待著我們的輸入選擇。

    2、現(xiàn)在選擇traceadd trace...或快捷圖鈕或鍵盤上的[insrt]鈕。打開如下圖的add traces對話框，現(xiàn) 在請?jiān)赼dd traces在對話框左simulation output variables欄內(nèi)的“ic（q1）”處單擊鼠標(biāo)左鍵，現(xiàn)在 窗口下的trace expression欄處應(yīng)該出項(xiàng)“ic（q1）”字樣。用鼠標(biāo)選“ok”鈕退出add traces窗口。這 時(shí)的pspice窗口的輸出波形區(qū)出項(xiàng)如圖4所示五條曲線。由圖可以看到三極管的輸出特性曲線。

    一、學(xué)習(xí)目的：

     使用orcad/pspice9直流掃描分析(dc sweep)的嵌套掃描(nested sweep)來驗(yàn)證晶體三極管的vce-ib 輸出特性曲線。

    二、練習(xí)步驟：

    步驟一 繪出電路圖

    1．請建立項(xiàng)目q并繪出如圖示1的電路圖,并存為q.opj。

    圖1 測量npn型晶體管的vce-ib曲線的電路

    本電路需要使用的元件,如下所示:

    2、電壓源vce和電流源idc的元件屬性默認(rèn)都為0，我們不去改動它。因?yàn)樗辉谄珘狐c(diǎn)分析（bins point detail）時(shí)有用，而本范例將直接使用直流掃描分析(dc sweep)的嵌套掃描(nested sweep)來求解 q2n2222的vce-ic特性曲線。

    步驟二 設(shè)置直流掃描分析和直流嵌套掃描的參數(shù) 1．晶體管特性曲線vce-ic的橫軸為vce，縱軸為ic，而隨著不同的值會各自有一條對應(yīng)的曲線。也就是說， 有兩個(gè)不同的輸入變量在改變，而主掃描變量為vce，副掃描變量為ib。如果想要在同一張輸出波形圖上同 時(shí)顯示這兩種掃描的輸出結(jié)果，使用直流掃描分析(dc sweep)的嵌套掃描(nested sweep)是最方便不過了。

    2、選擇pspicenew simulation profile或單擊工具欄上的按鈕,打開new simulation對話框，在neme欄 中輸入本仿真文件的名稱dc，打開simulation setting-dc對話框。

    3、設(shè)置dc sweep仿真參數(shù)

    （1）設(shè)置主掃描參數(shù) 在options欄內(nèi)勾選primary sweep 選項(xiàng)，然后如圖2所示輸入?yún)?shù)：

    圖2 dc sweep(primary sweep)仿真參數(shù)

    （2）設(shè)置副掃描參數(shù) 在options欄內(nèi)勾選secondary sweep選項(xiàng)，然后如圖3所示輸入?yún)?shù)：

    圖3 dc sweep(secondary sweep)仿真參數(shù)

    （3）說明：

    ①我們已在設(shè)置主掃描變量為電壓源vce，由0v開始線性掃描直到4v，每隔0.01v記錄一點(diǎn)。副掃描量為電

    流源(current source)ib，sweep type欄：選linear線性掃描，star value:欄設(shè)為0，end value欄設(shè) 為0.5m，increment：設(shè)為0.1m，如此ib將在0ma、0.1ma、0.2ma、0.3ma、0.4ma和0.5ma時(shí)各掃描出一 條曲線。 ②副變量ib也可以用數(shù)值列表的方式(value list)設(shè)置。首先在sweep type欄選value list選項(xiàng)，然后直 接在右邊的空白欄內(nèi)輸入0ma 0.1ma 0.2ma 0.3ma 0.4ma 0.5ma即可。

    步驟三 存檔并執(zhí)行pspice仿真

    1、用filesave功能選項(xiàng)或工具欄的鈕或快捷鍵[ctrl+s]存檔一次。

    2、執(zhí)行pspicerun菜單命令或單擊按鈕，啟動pspice程序執(zhí)行仿。屏幕上自動打開probe窗口。

    步驟四 使用probe觀察仿真結(jié)果

    1、在剛打開的probe窗口空圖，除了x軸變量vce已經(jīng)按照我們在dc sweep的設(shè)置設(shè)為0-4v之外，y軸變量則等待著我們的輸入選擇。

    2、現(xiàn)在選擇traceadd trace...或快捷圖鈕或鍵盤上的[insrt]鈕。打開如下圖的add traces對話框，現(xiàn) 在請?jiān)赼dd traces在對話框左simulation output variables欄內(nèi)的“ic（q1）”處單擊鼠標(biāo)左鍵，現(xiàn)在 窗口下的trace expression欄處應(yīng)該出項(xiàng)“ic（q1）”字樣。用鼠標(biāo)選“ok”鈕退出add traces窗口。這 時(shí)的pspice窗口的輸出波形區(qū)出項(xiàng)如圖4所示五條曲線。由圖可以看到三極管的輸出特性曲線。