3G帶來的人們對移動多媒體功能的需求，讓半導體存儲器市場獲得了持續(xù)的活力，在市場頭緒沒有理清之前，所有的參與者似乎都有機會。

　　2005年，中國3G網絡將商用，這無疑給全球手機制造商提供了一個新的機會，3G手機等新興應用更是為存儲器廠商留下了巨大的想象空間。伴隨著手機從2G演變到3G，其對存儲器的需求也在不斷提升中，存儲器子系統(tǒng)在整個手機系統(tǒng)中變得越來越重要，其成本已逐漸超過基帶處理器的成本，而存儲容量依然在繼續(xù)攀升中，如圖1所示。

圖1，在2G、2.5G、2.75G到3G手機的不斷發(fā)展過程中，手機存儲器的容量和出貨量都在不斷攀升。（資料來源：Micron Market Research）

　　與存儲容量的攀升相適應，手機存儲器的架構也發(fā)生了巨大的變化。在中低端手機中，多數(shù)采用NOR閃存和SRAM分離器件的架構，在此種存儲子系統(tǒng)中，NOR閃存主要用來存儲代碼，SRAM用作數(shù)據緩存。對于3G手機，由于3G網絡帶寬的增加，使手機整合了更多的功能，如MP3、拍照、圖像傳輸與處理等，3G手機對存儲器子系統(tǒng)有了更高的要求，如高密度、低成本、小體積等，NAND、PSRAM（偽靜態(tài)RAM）、LP-SDRAM（低功耗SDRAM）等新型存儲器越來越多地被應用于手機中。同時，為了追求低成本、低功耗和小體積，集成了多種不同類型存儲器的多芯片封裝（MCP：Multi-chip Packaging）器件也將逐漸流行。手機存儲器類型見圖2。

圖2，為了滿足3G手機存儲子系統(tǒng)大容量、低功耗、小體積等要求，各種新型存儲器被越來越多地用于手機中。

　　閃存：半導體市場的新寵
　　消費電子市場的火爆使閃存取代了DRAM，成為半導體產業(yè)的新寵，3G手機等新興應用更是閃存市場快速發(fā)展的助推劑。在NOR和NAND兩種閃存技術快速發(fā)展的背后，各個廠商之間展開了激烈的競爭。英特爾（Intel）、AMD和意法半導體（STMicroelectronics）曾是最大的NOR器件供應商。然而隨著AMD與富士通（Fujitsu）的合資公司Spansion的成立，其很快擠掉了英特爾在閃存市場的霸主地位，一躍成為NOR閃存市場的老大，而在整個閃存市場排名也位居第二。NOR供應商排名見表1。

表1，NOR供應商市場排名（資料來源：iSuppli，2004年5月）

　　對于NOR的市場需求情況，Web-Feet研究公司預測，對NOR的比特需求每年將增加約10%，而在可預見的將來，對NAND的需求每年將增長約300%。因而可以想見，NAND將是存儲器廠商更加期待的一個市場。從圖3可見，老牌廠商三星和東芝依然占據著大部分的市場份額，但巨大的市場空間吸引了更多的重量級企業(yè)殺入了這個領域。瑞薩（Renesas）、英飛凌（Infineon）、意法半導體、韓國Hynix半導體以及美光（Micron）也都在生產NAND型器件，向三星和東芝-SanDisk聯(lián)盟發(fā)起了挑戰(zhàn)。業(yè)內人士認為，這些廠商的進入將引發(fā)一場“血腥”的市場份額爭奪戰(zhàn)，NAND市場正陷于老牌廠商和新競爭者的拉鋸戰(zhàn)中。

圖3，從圖中可以看出，雖然有更多的廠商加入NAND閃存市場的競爭，但三星和東芝依然占有該市場絕大部分的份額。（資料來源：SiliconStrategies）
　　美光科技移動存儲器部門副總裁Jan du Preez認為，NAND市場與DRAM市場十分相象，他解釋說：“這有幾個原因：第一，兩者對于工藝都有很高的要求；第二，成本對兩者都是至關重要的。NAND和DRAM的成本主要有兩個方面，一是研發(fā)成本，二是設備成本。如果制造NAND的成本基數(shù)為‘1’，制造DRAM的成本基數(shù)也是‘1’，那么同時制造兩種器件的成本大約是‘1.3’。這也是為什么主要的DRAM制造商都要進入NAND市場的原因。Micron選擇采用90nm工藝制造的容量為2G的器件作為NAND市場的切入點。在2005年第三季度我們將會把工藝升級到70nm，這樣我們就可以與三星、東芝競爭了。
　　NOR和NAND：孰優(yōu)孰劣？
　　作為兩種不同結構的閃存，有關NAND和NOR孰優(yōu)孰劣、誰將壓倒誰的爭論從來沒有停止過。在手機存儲子系統(tǒng)中，NOR因其高可靠性和類似SRAM的寬系統(tǒng)接口而主要用于存儲程序代碼；而NAND則因其高密度和低成本而被更多地用來存儲數(shù)據。
　　20世紀80年代中期，東芝公司發(fā)明了NAND閃存，當時該公司是將其作為硬盤驅動器的半導體等價物，因而NAND提供了高速穩(wěn)定的寫速度，并具有小尺寸、類似簇的擦除塊，它簡化了所需的媒體管理算法。NAND 單元連接成很長的串行鏈，并把數(shù)據輸出到一條具有一個引腳或數(shù)個引腳的系統(tǒng)數(shù)據總線，這帶來了很高的硅效率（低成本），但它的缺點是隨機讀速度很慢。
　　相反，NOR閃存是由EPROM衍生出來的。在擦除操作期間，NOR 采用電場，而不是紫外光來把單元的浮動門中存儲的電子移走。因而它的安全性很好。NOR 器件像EPROM 一樣，被用來存儲可靠性很高的代碼，而不是數(shù)據。