2003年2月底在圣地亞哥（美國）召開了“化合物半導(dǎo)體2003年展望”會議。除高亮度led和大帶隙固態(tài)激光器外，一些電子器件市場和成熟的固態(tài)激光器市場還未恢復(fù)到其歷史最好水平。某些gaas ic市場和sic器件市場今年將會增長。藍(lán)光激光二極管受一些日本公司左右（日亞、索尼、nec、先鋒、夏普、豐田合成等）。日本公司大力開發(fā)用于大容量光盤的這類激光器。
索尼公司在三月初推出一種新的消費(fèi)產(chǎn)品??“藍(lán)射線”dvd光盤，這是工藝上一項最新進(jìn)展。它使存儲容量由4.7gb（用紅光激光器）增加到～27 gb，是由于采用了gan藍(lán)光激光管。這種dvd售價是～3800美元/臺。
gaas ic
某些“較大”的gaas ic及器件市場有所下降。一些gaas生產(chǎn)線和ⅲ-ⅴ族器件公司不得不“關(guān)、停、并、轉(zhuǎn)”。只有那些生產(chǎn)最好性能產(chǎn)品的公司可得到發(fā)展。產(chǎn)品具有高的性價比對公司的生存和發(fā)展非常重要。
但gaas也有“亮點”：某些gaas ic市場可望增長，其中包括gaas進(jìn)入蜂窩電話電子器件市場。該市場今后若干年的增長率將為5%～10%，在2.5g和3g蜂窩電話中將采用更多的gaas功率放大器和低噪聲放大器。其它可望增加gaas市場的應(yīng)用是寬帶無線、軍用和衛(wèi)星通信。汽車?yán)走_(dá)用gaas器件也可能是其下一個大容量市場，但要在2005年以后。
設(shè)備市場
mocvd沉積設(shè)備也像器件市場一樣，有上有下。2000年，其產(chǎn)值增長50%，2001～2002年間下降1/3以上。但gan基高亮度led（hbled）生產(chǎn)能力還在增長。美國多年來是設(shè)備市場的“主力”，但去年（2002年）轉(zhuǎn)到了亞洲。2002年，aixtron(mocvd主要制造廠之一)報導(dǎo)說，其設(shè)備銷售額59%在亞洲，30%在美國，11%在歐洲，主要是臺灣生產(chǎn)能力急劇擴(kuò)大。
按所生產(chǎn)器件劃分：mocvd設(shè)備50%用于led，20%用于電信/數(shù)字通信器件�，F(xiàn)代mocvd反應(yīng)器每次可生產(chǎn)ф6″7片，每年可生產(chǎn)ф6″片36000片。值得注意的其它工藝進(jìn)展是8×ф4″晶片的生長gan基器件的反應(yīng)器，若干參數(shù)的（不）均勻性可達(dá)<1%的水平。也推出了可生長ф8″gaas的反應(yīng)器，其不均勻性也在～1%。會議討論了生長 gan器件用常壓mocvd（ap mocvd）工藝的開發(fā)。白光led芯片價格要從70日元（～57美分）下降到40日元（～33美分）以下（每個芯片），即每“流明”（lm）的價格降到0.1美分。這樣可望擴(kuò)大其室內(nèi)照明光源市場。
氮化物led工藝
像北美一樣，亞洲地區(qū)集中力量開發(fā)藍(lán)、綠和白光led，尤其是臺灣，迅速提高其gan器件生產(chǎn)能力。日本政府啟動了“21世紀(jì)光源”工程。三菱電線工業(yè)公司是其主要承擔(dān)者之一。用led得到白光有幾種方法。日本這項工程則是采用多磷光體（紅、綠、藍(lán)或橙、黃、綠、藍(lán)）來得到白光發(fā)射。美國則主要開發(fā)較短波長紫外led以制備白光led光源。
作為這項工程的一部分，三菱研究組開發(fā)了一種圖形化的藍(lán)寶石襯底，在其上生長 gan合金層，位錯密度可下降到原來的1/3。早期曾制出了外量子效率24%以上的ingan led（發(fā)光波長382nm ）。2003年1月份，其外量子效率增加到43%以上（驅(qū)動電流100ma）。
用磷光體制備led的進(jìn)展使目前某些磷光體得到新的應(yīng)用。如摻鈰yag（釔鋁石榴石），目前絕大多數(shù)藍(lán)光led+磷光粉所制白光led就是使用這種磷光體。但這種磷光體對led還不是最佳激發(fā)體，還需開發(fā)一種新穎的與led匹配的磷光體。三菱公司使用多磷光體來激發(fā)其380nm波長led：堿土金屬磷酸鹽基藍(lán)光、zns基綠光及氧化釔基紅光磷光體。這樣所制白光led的光效為29lm/w。
sic進(jìn)展
sic 大功率器件已進(jìn)行了長期研究開發(fā)，它的好處是耐壓高，工作頻率在高頻段的低→中范圍。由于其帶隙大，因而擊穿電壓較高，熱導(dǎo)率較高，功率損耗小從而可在較高功率密度和較高溫度下工作。但只是最近才有少數(shù)公司推出商品。主要工作集中在提高材料質(zhì)量，例如，降低其微管道密度。sic器件正進(jìn)入長期為 si器件（功率晶體管、二極管、整流器和晶閘管）所壟斷的功率半導(dǎo)體市場。該市場去年達(dá)到120億美元。cree公司有關(guān)人士估計，除二極管部分外，sic每年會占去約1/3或30億美元的市場并有很大的增長潛力。sic功率器件的優(yōu)勢是：擊穿電壓是si器件的10倍，（開啟電阻小，開關(guān)速度更快），熱導(dǎo)率是si的3倍（從而有較大的電流密度），又有較高的工作溫度，這些優(yōu)點使sic器件有較大的系統(tǒng)效率，較低的成本，組件尺寸小，開關(guān)頻率高。
cree公司已推出600v（1～20a）和1200v（5a，10a）的sic整流器產(chǎn)品，其它許多應(yīng)用領(lǐng)域都可能有sic商品，從而產(chǎn)生了一個新的化合物半導(dǎo)體市場??2000v器件很快會商品化，雖然它價格總是比si器件高，但在300v以上器件和其它的一些應(yīng)用領(lǐng)域中使用sic器件是合算的??這些情況下，其大帶隙的特點顯得更為重要。
這類材料的特性還使其應(yīng)用擴(kuò)展到高頻或射頻功率晶體管領(lǐng)域，這方面，去年的市場規(guī)模約10億美元，其中約60%在無線應(yīng)用中，其次為航空電子器件及軍工器件。在射頻器件市場，sic器件也有潛力。已制出功率附加