遷移率主要影響到晶體管的兩個性能：
一是載流子濃度一起決定半導體材料的電導率（電阻率的倒數(shù)）的大小。遷移率越大，電阻率越小，通過相同電流時，功耗越小，電流承載能力越大。由于電子的遷移率一般高于空穴的遷移率，因此，功率型mosfet通�？偸遣捎秒娮幼鳛檩d流子的n溝道結(jié)構(gòu)，而不采用空穴作為載流子的p溝道結(jié)構(gòu)。

二是影響器件的工作頻率。雙極晶體管頻率響應特性最主要的限制是少數(shù)載流子渡越基區(qū)的時間。遷移率越大，需要的渡越時間越短，晶體管的截止頻率與基區(qū)材料的載流子遷移率成正比，因此提高載流子遷移率，可以降低功耗，提高器件的電流承載能力，同時，提高晶體管的開關(guān)形影速度。