光刻技術(shù)是集成電路的關(guān)鍵技術(shù)之一
　　在整個(gè)產(chǎn)品制造中是重要的經(jīng)濟(jì)影響因子，光刻成本占據(jù)了整個(gè)制造成本的35％

　　光刻也是決定了集成電路按照摩爾定律發(fā)展的一個(gè)重要原因，如果沒(méi)有光刻技術(shù)的
　　進(jìn)步，集成電路就不可能從微米進(jìn)入深亞微米再進(jìn)入納米時(shí)代。

所以說(shuō)光刻系統(tǒng)的先進(jìn)程度也就決定了光刻工程的高低,

光刻系統(tǒng)的組成：

　　　　光刻機(jī)（曝光工具） (光刻工程的核心部分,其造價(jià)昂貴.號(hào)稱(chēng)世界上最精密的儀 器,目前世界是已有7000萬(wàn)美金的光刻機(jī).)

　　　　掩膜版
　　　　光刻膠(常伴隨著光刻機(jī)的發(fā)展而前進(jìn).在一定程度上其也制約著光刻工藝的發(fā)展)

主要指標(biāo)：

　　　　分辨率w（resolution）-> 光刻系統(tǒng)所能分辨和加工的最小線條尺寸
　　　　焦深(dof-depth of focus) -> 投影光學(xué)系統(tǒng)可清晰成象的尺度范圍
　　　　關(guān)鍵尺寸（cd-critical dimension）控制
　　　　對(duì)準(zhǔn)和套刻精度(alignment and overlay)
　　　　產(chǎn)率(throughout)
　　　　價(jià)格

其中，w是決定光刻系統(tǒng)最重要的指標(biāo)，也是決定芯片最小特征尺寸的原因。
其由瑞利定律決定：　r = k1r/na ，　其中　r 是光刻波的波長(zhǎng)。

提高光刻分辨率的途徑:

　　　　減小波長(zhǎng)r, 其中，　光刻加工極限值：r/2 , 即半波長(zhǎng)的分辨率
　　　　增加數(shù)值孔徑
　　　　優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)（分辨率增強(qiáng)技術(shù)）
　　　　減小k1

主流光刻技術(shù):
248nm duv技術(shù)（krf準(zhǔn)分子激光） -> 0.10um 特征尺寸
193nm duv技術(shù)（arf準(zhǔn)分子激光） -> 90nm 特征尺寸

新一代的替代光刻技術(shù):
immersion 193nm技術(shù)
157nm f2
euv光刻 紫外線光刻
電子束投影光刻
x射線光刻
離子束光刻
納米印制光刻

光學(xué)透鏡
　　　　透射式透鏡（248nm、193nm)
　　　　反射式透鏡（157nm）

掩膜版
　　　　由透光的襯底材料（石英玻璃）和不透光金屬吸收層材料（主要是金屬cr）組成。
　　　　通常要在表面淀積一層抗深紫外光損傷的增光型保護(hù)涂層

分辨率增強(qiáng)技術(shù)(ret):
　　　　　step-scan 技術(shù)
　　　　　偏軸照明(oai)
　　　　　鄰近效應(yīng)校正(opc)
　　　　　移相掩膜(psm)
　　　　　具有化學(xué)增強(qiáng)放大功能的快速感光光刻膠
　　　　　光刻膠修剪(resist trimming)
　　　　　抗反射功能和表面感光后的多層光刻膠