研究和使用晶體材料時(shí)發(fā)現(xiàn)，材料內(nèi)發(fā)生的過程和性能與晶體的某些方向（晶向 crystallographic directions）和原子構(gòu)成的平面（晶面 crystallographic planes）有關(guān)。目前，通常用三個(gè)或四個(gè)指數(shù)來表征晶向和晶面，稱為密勒指數(shù)（miller indices）。標(biāo)定密勒指數(shù)時(shí)以晶胞為基礎(chǔ)，x, y, z三軸系統(tǒng)的原點(diǎn)o放在晶胞的一個(gè)角上，三個(gè)軸與晶胞的三個(gè)邊相重合（如圖2.2-1所示）。對(duì)斜方、三斜晶系等，三個(gè)坐標(biāo)軸則互相不垂直。

晶向可用點(diǎn)陣中兩陣點(diǎn)間的連線或矢量來定義。
三指數(shù)晶向可按例2.2-1中所示步驟來進(jìn)行標(biāo)定。