本文對mgb₂超導(dǎo)體進(jìn)行不同時(shí)間的激光照射，并利用正電子湮沒技術(shù)對光照樣品進(jìn)行了研究，根據(jù)正電子壽命譜參數(shù)的變化情況，利用光致電荷轉(zhuǎn)移模型對光輻照后的mgb₂超導(dǎo)體樣品的電子結(jié)構(gòu)及超導(dǎo)電性進(jìn)行了研究討論。

引言

自從發(fā)現(xiàn)mgb₂具有異常高的超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度［1］之后，立即引起了超導(dǎo)界及固體物理界的極大關(guān)注，大量的實(shí)驗(yàn)和理論研究使mgb₂的超導(dǎo)機(jī)制已變得清楚，b的同位素效應(yīng)［2］顯示了在mgb₂中電聲相互作用的重要性; kortus et al.進(jìn)行的能帶計(jì)算［3］也表明高t_c的結(jié)果來源于強(qiáng)烈的電聲相互作用及與之相關(guān)聯(lián)的輕元素b的高聲子頻率等等，所有的這些都向我們表明mgb₂是符合bcs理論的第一類超導(dǎo)體。

光照射和光響應(yīng)是研究光與材料相互作用進(jìn)而分析和改變材料性質(zhì)的重要手段.傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料通過光照就可以改變其載流子濃度,而不需要改變材料的化學(xué)組分和晶體結(jié)構(gòu).與化學(xué)摻雜方法相比,人們形象地將光照射(將光子引入物體)而改變材料性質(zhì)的方法稱之為“光摻雜”［4］.而將光摻雜引入到超導(dǎo)領(lǐng)域更加展示了他獨(dú)到的魅力：首先不改變樣品的氧含量，光摻雜可以改變超導(dǎo)轉(zhuǎn)變性質(zhì)，不同氧含量的ybco在光照前后超導(dǎo)臨界溫度發(fā)生變化35，隨著光照時(shí)間的增加樣品的電阻率持續(xù)降低39等，在