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Bi3.25 La0.75 Ti3O12薄膜的化學(xué)溶液淀積方法制備及表征

發(fā)布時(shí)間:2008/6/5 0:00:00 訪問次數(shù):400

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  1. 王曉光, 林殷茵, 湯庭鰲
    (復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)系 asic和系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室,上海 200433)


    摘要:采用新穎的化學(xué)溶液淀積方法,配制出可長時(shí)間穩(wěn)定的先體溶液,采用紅外分析和熱分析等手段,對成膜過程中發(fā)生的反應(yīng)變化進(jìn)行了分析,結(jié)果表明采用新的方法可以增加先體的穩(wěn)定性,并且確定了薄膜的析晶溫度。xrd測試表明薄膜在不到500℃即開始析晶,并且析晶情況與bi含量有關(guān)。對薄膜的電學(xué)性能研究表明隨著bi含量的增加,薄膜的漏電性能和抗疲勞特性變差,矯頑場變大,而2 pr在bi過量10%的情況下達(dá)到最大31.6μc/cm2 。

    關(guān)鍵詞:鐵電薄膜;化學(xué)溶液淀積;疲勞

    中圖分類號:tn386 文獻(xiàn)標(biāo)識碼: a 文章編號:1003-353x(2004)03-0049-05

    1 引言

    隨著集成電路的發(fā)展,與傳統(tǒng)的存儲器相比,具有非揮發(fā)性、更快讀寫速度的鐵電存儲器正越來越受到人們的重視。而在鐵電存儲器的研究中,選用哪種鐵電材料無疑是一個(gè)非常重要的問題。

    pzt是一種很好的鐵電材料,具有很高的自發(fā)極化強(qiáng)度,并且其制備技術(shù)和特性也經(jīng)過了多年的研究和發(fā)展。但是pzt也有缺點(diǎn),該材料中含有重金屬鉛,易揮發(fā),會對環(huán)境和人體造成危害,且pzt薄膜的抗疲勞特性較差。近年來,層狀bi材料(bi2o2)2+(am-1bmo3m+1)2-(其中m取決于單元結(jié)構(gòu)中氧八面體的數(shù)目)引起了人們更多的關(guān)注。其中,srbi 2ta2o9(sbt)被認(rèn)為是一種很有應(yīng)用前景的材料,該材料的自發(fā)極化強(qiáng)度比pzt小,可是漏電特性、矯頑場均優(yōu)于pzt,特別是在抗疲勞特性方面更表現(xiàn)出了優(yōu)越的性能[1,2]。但析晶溫度較高,通常高于750℃。另一種層狀bi結(jié)構(gòu)的材料bi3.25 la0.75 ti3o12(blt),其結(jié)構(gòu)如圖1所示。它的2pr可以達(dá)到28μc/cm2左右,在經(jīng)過1010次的電壓翻轉(zhuǎn)后,其剩余極化強(qiáng)度也沒有顯著的下降。與sbt材料相比,blt在不到700℃下退火即可得到具有鐵電性能的結(jié)構(gòu),被認(rèn)為是最具有應(yīng)用前景的鐵電材料之一[3]。

    目前,用于制備blt薄膜的方法主要有pld、mocvd和sol-gel等[3,4,5]。本文中,采用了化學(xué)溶液淀積法(csd)制備blt薄膜,所用原料均為國產(chǎn),不需要復(fù)雜的設(shè)備,具有工藝簡單,成本低的優(yōu)點(diǎn)。由于用到的原料容易水解而造成先體的不穩(wěn)定,通過研究后采用了新的先體配制方法增強(qiáng)了先體的穩(wěn)定性。除了la的含量對blt材料的電學(xué)性能有影響外,本文發(fā)現(xiàn)bi的含量也有很大關(guān)系,這方面還沒有見到系統(tǒng)的報(bào)導(dǎo)。

    2 實(shí)驗(yàn)

    2.1 先體的配制與薄膜的制備

    實(shí)驗(yàn)中采用的原料:硝酸鉍bi(no3 )·5h2o、硝酸鑭la(no3)·nh2o和鈦酸正四丁酯ti(oc4h9)4,溶劑為冰乙酸ch3cooh、乙二醇hoch3ch3oh和乙酰丙酮ch3coch2coch3。

    制備先體的方法:(1)先將硝酸鉍置于熱板上,保持溫度在120℃左右烘干成白色粉末。(2)分別將一定量烘干的硝酸鉍和硝酸鑭溶解于冰乙酸和乙二醇中,不斷攪拌并加熱至沸騰,然后保持溫度半個(gè)小時(shí)左右?刂苾煞N溶液的體積在1:1。待冷卻到室溫后,將兩者混合攪拌均勻。(3)按照摩爾比1:2取鈦酸丁酯和乙酰丙酮,將兩者攪拌均勻并微熱螯合。冷卻后,將硝酸鉍和硝酸鑭的混合溶液倒入并攪拌均勻,最后得到淡黃色的清亮溶液。所配制的先體溶液的濃度為0.07mol/l左右,其中bi∶la=3.25∶0.75。

    采用旋涂法將先體溶液旋涂在pt/ti/sio2/si襯底上。旋涂的轉(zhuǎn)速為4000r/min,時(shí)間為30s。每涂好一層熱處理一次,先在200℃保溫5min,然后升溫到450℃保溫10min,之后隨爐冷卻。每兩層退火一次,退火溫度與最終退火溫度相同,時(shí)間為10min。共旋涂5~6層,每層厚度為50nm左右。最終退火一次,時(shí)間為30min。整個(gè)熱處理過程均在氧氣氣氛中進(jìn)行,氧氣流量為2l/min。薄膜制備完成后,用lift-off方法制作鉻/金上電極陣列,電極的面積為100mm×100mm。

    2.2 分析測試

    采用avatar-360tr對先體溶液進(jìn)行紅外分析;采用dta7和tga7對先體溶液進(jìn)行熱分析;采用d/max-rb12kw旋轉(zhuǎn)陽極靶多晶x射線衍射儀對薄膜進(jìn)行xrd分析;采用keithley 4200測試薄膜的漏電性能;采用rt66a測試樣品的鐵電性能。

    3 結(jié)果與討論

    3.1 先體溶液的紅外分析

    實(shí)驗(yàn)中所用到的原料鈦酸丁酯極易發(fā)生水解反應(yīng)而導(dǎo)致先體發(fā)生渾濁,而原料硝酸鉍和硝酸鑭中都含有結(jié)晶水。實(shí)驗(yàn)表明,即使采用在溶劑中長時(shí)間加熱的方法,先體也只能穩(wěn)定1~2天就會變渾濁,這表明該方法不能有效地去除結(jié)晶水。如果采用機(jī)械添加乙酰丙酮的方法,即配制先體時(shí)鈦酸丁酯和乙酰丙酮混合溶液不加熱,一周左右即有

    王曉光, 林殷茵, 湯庭鰲
    (復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)系 asic和系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室,上海 200433)


    摘要:采用新穎的化學(xué)溶液淀積方法,配制出可長時(shí)間穩(wěn)定的先體溶液,采用紅外分析和熱分析等手段,對成膜過程中發(fā)生的反應(yīng)變化進(jìn)行了分析,結(jié)果表明采用新的方法可以增加先體的穩(wěn)定性,并且確定了薄膜的析晶溫度。xrd測試表明薄膜在不到500℃即開始析晶,并且析晶情況與bi含量有關(guān)。對薄膜的電學(xué)性能研究表明隨著bi含量的增加,薄膜的漏電性能和抗疲勞特性變差,矯頑場變大,而2 pr在bi過量10%的情況下達(dá)到最大31.6μc/cm2 。

    關(guān)鍵詞:鐵電薄膜;化學(xué)溶液淀積;疲勞

    中圖分類號:tn386 文獻(xiàn)標(biāo)識碼: a 文章編號:1003-353x(2004)03-0049-05

    1 引言

    隨著集成電路的發(fā)展,與傳統(tǒng)的存儲器相比,具有非揮發(fā)性、更快讀寫速度的鐵電存儲器正越來越受到人們的重視。而在鐵電存儲器的研究中,選用哪種鐵電材料無疑是一個(gè)非常重要的問題。

    pzt是一種很好的鐵電材料,具有很高的自發(fā)極化強(qiáng)度,并且其制備技術(shù)和特性也經(jīng)過了多年的研究和發(fā)展。但是pzt也有缺點(diǎn),該材料中含有重金屬鉛,易揮發(fā),會對環(huán)境和人體造成危害,且pzt薄膜的抗疲勞特性較差。近年來,層狀bi材料(bi2o2)2+(am-1bmo3m+1)2-(其中m取決于單元結(jié)構(gòu)中氧八面體的數(shù)目)引起了人們更多的關(guān)注。其中,srbi 2ta2o9(sbt)被認(rèn)為是一種很有應(yīng)用前景的材料,該材料的自發(fā)極化強(qiáng)度比pzt小,可是漏電特性、矯頑場均優(yōu)于pzt,特別是在抗疲勞特性方面更表現(xiàn)出了優(yōu)越的性能[1,2]。但析晶溫度較高,通常高于750℃。另一種層狀bi結(jié)構(gòu)的材料bi3.25 la0.75 ti3o12(blt),其結(jié)構(gòu)如圖1所示。它的2pr可以達(dá)到28μc/cm2左右,在經(jīng)過1010次的電壓翻轉(zhuǎn)后,其剩余極化強(qiáng)度也沒有顯著的下降。與sbt材料相比,blt在不到700℃下退火即可得到具有鐵電性能的結(jié)構(gòu),被認(rèn)為是最具有應(yīng)用前景的鐵電材料之一[3]。

    目前,用于制備blt薄膜的方法主要有pld、mocvd和sol-gel等[3,4,5]。本文中,采用了化學(xué)溶液淀積法(csd)制備blt薄膜,所用原料均為國產(chǎn),不需要復(fù)雜的設(shè)備,具有工藝簡單,成本低的優(yōu)點(diǎn)。由于用到的原料容易水解而造成先體的不穩(wěn)定,通過研究后采用了新的先體配制方法增強(qiáng)了先體的穩(wěn)定性。除了la的含量對blt材料的電學(xué)性能有影響外,本文發(fā)現(xiàn)bi的含量也有很大關(guān)系,這方面還沒有見到系統(tǒng)的報(bào)導(dǎo)。

    2 實(shí)驗(yàn)

    2.1 先體的配制與薄膜的制備

    實(shí)驗(yàn)中采用的原料:硝酸鉍bi(no3 )·5h2o、硝酸鑭la(no3)·nh2o和鈦酸正四丁酯ti(oc4h9)4,溶劑為冰乙酸ch3cooh、乙二醇hoch3ch3oh和乙酰丙酮ch3coch2coch3。

    制備先體的方法:(1)先將硝酸鉍置于熱板上,保持溫度在120℃左右烘干成白色粉末。(2)分別將一定量烘干的硝酸鉍和硝酸鑭溶解于冰乙酸和乙二醇中,不斷攪拌并加熱至沸騰,然后保持溫度半個(gè)小時(shí)左右?刂苾煞N溶液的體積在1:1。待冷卻到室溫后,將兩者混合攪拌均勻。(3)按照摩爾比1:2取鈦酸丁酯和乙酰丙酮,將兩者攪拌均勻并微熱螯合。冷卻后,將硝酸鉍和硝酸鑭的混合溶液倒入并攪拌均勻,最后得到淡黃色的清亮溶液。所配制的先體溶液的濃度為0.07mol/l左右,其中bi∶la=3.25∶0.75。

    采用旋涂法將先體溶液旋涂在pt/ti/sio2/si襯底上。旋涂的轉(zhuǎn)速為4000r/min,時(shí)間為30s。每涂好一層熱處理一次,先在200℃保溫5min,然后升溫到450℃保溫10min,之后隨爐冷卻。每兩層退火一次,退火溫度與最終退火溫度相同,時(shí)間為10min。共旋涂5~6層,每層厚度為50nm左右。最終退火一次,時(shí)間為30min。整個(gè)熱處理過程均在氧氣氣氛中進(jìn)行,氧氣流量為2l/min。薄膜制備完成后,用lift-off方法制作鉻/金上電極陣列,電極的面積為100mm×100mm。

    2.2 分析測試

    采用avatar-360tr對先體溶液進(jìn)行紅外分析;采用dta7和tga7對先體溶液進(jìn)行熱分析;采用d/max-rb12kw旋轉(zhuǎn)陽極靶多晶x射線衍射儀對薄膜進(jìn)行xrd分析;采用keithley 4200測試薄膜的漏電性能;采用rt66a測試樣品的鐵電性能。

    3 結(jié)果與討論

    3.1 先體溶液的紅外分析

    實(shí)驗(yàn)中所用到的原料鈦酸丁酯極易發(fā)生水解反應(yīng)而導(dǎo)致先體發(fā)生渾濁,而原料硝酸鉍和硝酸鑭中都含有結(jié)晶水。實(shí)驗(yàn)表明,即使采用在溶劑中長時(shí)間加熱的方法,先體也只能穩(wěn)定1~2天就會變渾濁,這表明該方法不能有效地去除結(jié)晶水。如果采用機(jī)械添加乙酰丙酮的方法,即配制先體時(shí)鈦酸丁酯和乙酰丙酮混合溶液不加熱,一周左右即有

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