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化學(xué)放大膠在電子束光刻技術(shù)中的應(yīng)用

發(fā)布時間:2008/6/5 0:00:00 訪問次數(shù):757

田豐,韓立,楊忠山
(中國科學(xué)院電工研究所,北京 100080)
摘要:化學(xué)放大膠(chemically amplified resists,簡稱cars)是下一代光刻技術(shù)中極具發(fā)展?jié)摿Φ囊环N光學(xué)記錄介質(zhì)。介紹了化學(xué)放大膠在電子束光刻技術(shù)中圖形制作工藝的關(guān)鍵步驟以及目前常用的幾種化學(xué)放大膠,分析了將化學(xué)放大膠用于電子束曝光工藝應(yīng)注意的問題和它將來的發(fā)展趨勢。

關(guān)鍵詞:化學(xué)放大膠;電子束光刻;抗蝕劑

中圖分類號:tn305.7 文章編號:1671-4776(2003)12-0043-04


1引言

微電子產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展要求半導(dǎo)體器件的特征尺寸越來越小,器件特征尺寸的減小一方面依賴于曝光工具,另一方面也與抗蝕劑的選擇密切相關(guān)。電子束直寫曝光技術(shù)由于具有高分辨率,無需掩模等優(yōu)點成為下一代光刻技術(shù)中極具潛力的候選者。那么與此光刻技術(shù)相應(yīng)的電子抗蝕劑的選擇與應(yīng)用也成為光刻工藝中的一個重要研究內(nèi)容。電子束光刻中最常用的抗蝕劑是聚甲基丙烯酸甲酯(poly(methylmethacrylate),pmma),其優(yōu)點是分辨率高,附著力強,工藝簡單成熟。但其靈敏度低,耐干法腐蝕性差也限制了它的應(yīng)用范圍;诨瘜W(xué)增幅原理的化學(xué)放大膠在很大程度上彌補了pmma的不足。它不僅具有高的靈敏度,有利于提高電子束曝光的效率,而且具有強的耐干法腐蝕性,有利于半導(dǎo)體后續(xù)加工工藝的進行,因此在半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。國外已有大量學(xué)者從事cars的工藝研究與應(yīng)用工作,而我國在此方面鮮有報道。本文對化學(xué)放大膠的電子束光刻工藝進行了綜述,為其在我國半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域中的應(yīng)用提供了一定的參考。

2光刻工藝

化學(xué)放大膠最初是為深紫外(duv)光學(xué)曝光開發(fā)的,但國外大量文獻[1~3]表明,將其用于電子束曝光工藝中也同樣具有高靈敏度、高對比度和高分辨率。

化學(xué)放大膠一般包括三個部分:基質(zhì)樹脂、有機溶劑和酸性發(fā)生劑(photoacid generator,pag);瘜W(xué)放大膠經(jīng)電子束曝光或光照后,pag吸收能量發(fā)生光分解,生成自由酸,發(fā)生酸催化反應(yīng),使曝光區(qū)域的基質(zhì)樹脂發(fā)生保護基團的去除反應(yīng)或樹脂與交聯(lián)劑之間的交聯(lián)反應(yīng),形成正性或負性潛影,在一定的溶劑中顯影形成曝光圖形;瘜W(xué)放大膠的曝光工藝流程如圖1所示。

其中前烘(postapply bake,pab)、曝光后烘烤(postexposure bake,peb)和顯影是三個重要環(huán)節(jié),每一步的工藝控制都能不同程度地影響曝光圖形的分辨率。

2.1前烘

前烘的目的是使膠膜內(nèi)的溶劑充分蒸發(fā),使膠膜干燥,排除涂膠過程所造成的空隙,使抗蝕劑致密,同時增加它與基片的附著力。前烘的溫度一般應(yīng)稍高于抗蝕劑的玻璃化溫度,低于正膠的分解溫度或負膠的交聯(lián)溫度,溫度過高會影響抗蝕劑性能。烘烤時間應(yīng)適當,欠烘會導(dǎo)致溶劑揮發(fā)不完全,影響顯影剖面輪廓;過烘會降低化學(xué)放大膠的靈敏度,從而影響最終成像結(jié)果。

2.2 曝光后烘烤

曝光后烘烤是化學(xué)放大膠工藝中最關(guān)鍵,也是反應(yīng)機理最復(fù)雜的一道工序。烘烤的溫度、時間和曝光與烘烤之間停留的時間間隔(postexposure delay,ped)都是影響曝光圖形線寬的重要因素。例如,對于負性化學(xué)放大膠sal601,當曝光線條尺寸為150 nm時,其線寬隨peb溫度的變化為11nm/℃。

后烘過程中,化學(xué)放大膠內(nèi)存在多種反應(yīng)機制,情況復(fù)雜并相互影響[4]。例如:各反應(yīng)基團的擴散、蒸發(fā)將導(dǎo)致抗蝕劑的組成分布梯度變化;基質(zhì)樹脂中的去保護反應(yīng)會引起膠膜體積增加;但當烘烤溫度達到抗蝕劑的玻璃化溫度時,基質(zhì)樹脂又開始變得稠密,兩者同時又都會影響膠膜中酸的擴散,且影響作用相反。這眾多的反應(yīng)機制都將影響到最終的曝光圖形,給工藝帶來了很多不確定因素,也給建立合理正確的數(shù)學(xué)模型增添了很多困難。針對這一現(xiàn)象,科研人員研制了具有低活化能的化學(xué)放大膠,它們可以在常溫下發(fā)生酸催化反應(yīng),從而避免了曝光后烘烤這一復(fù)雜過程。

2.3顯影

顯影就是用浸泡或噴涂的方法使曝光后樣品與某種溶劑接觸,將樣品上應(yīng)去除的抗蝕劑溶除干凈,以獲得所需要的曝光圖形。不同的抗蝕劑需要不同的顯影液,顯影時間隨抗蝕劑的厚度、顯影溫度和顯影方法的不同而不同。顯影時間過長,會使膠膜軟化膨脹,圖形邊緣參差不齊發(fā)生鉆溶,甚至出現(xiàn)浮膠;若顯影時間過短,曝光區(qū)域(對于負膠是非曝光區(qū))底部會留有殘膠,將影響后續(xù)工藝。顯影液濃度、配比的選擇不僅會影響顯影時間,還會影響曝光圖形的對比度。對于化學(xué)放大膠,通常用四甲基氫氧化銨(tetramethylam

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  • 田豐,韓立,楊忠山
    (中國科學(xué)院電工研究所,北京 100080)
    摘要:化學(xué)放大膠(chemically amplified resists,簡稱cars)是下一代光刻技術(shù)中極具發(fā)展?jié)摿Φ囊环N光學(xué)記錄介質(zhì)。介紹了化學(xué)放大膠在電子束光刻技術(shù)中圖形制作工藝的關(guān)鍵步驟以及目前常用的幾種化學(xué)放大膠,分析了將化學(xué)放大膠用于電子束曝光工藝應(yīng)注意的問題和它將來的發(fā)展趨勢。

    關(guān)鍵詞:化學(xué)放大膠;電子束光刻;抗蝕劑

    中圖分類號:tn305.7 文章編號:1671-4776(2003)12-0043-04


    1引言

    微電子產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展要求半導(dǎo)體器件的特征尺寸越來越小,器件特征尺寸的減小一方面依賴于曝光工具,另一方面也與抗蝕劑的選擇密切相關(guān)。電子束直寫曝光技術(shù)由于具有高分辨率,無需掩模等優(yōu)點成為下一代光刻技術(shù)中極具潛力的候選者。那么與此光刻技術(shù)相應(yīng)的電子抗蝕劑的選擇與應(yīng)用也成為光刻工藝中的一個重要研究內(nèi)容。電子束光刻中最常用的抗蝕劑是聚甲基丙烯酸甲酯(poly(methylmethacrylate),pmma),其優(yōu)點是分辨率高,附著力強,工藝簡單成熟。但其靈敏度低,耐干法腐蝕性差也限制了它的應(yīng)用范圍。基于化學(xué)增幅原理的化學(xué)放大膠在很大程度上彌補了pmma的不足。它不僅具有高的靈敏度,有利于提高電子束曝光的效率,而且具有強的耐干法腐蝕性,有利于半導(dǎo)體后續(xù)加工工藝的進行,因此在半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。國外已有大量學(xué)者從事cars的工藝研究與應(yīng)用工作,而我國在此方面鮮有報道。本文對化學(xué)放大膠的電子束光刻工藝進行了綜述,為其在我國半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域中的應(yīng)用提供了一定的參考。

    2光刻工藝

    化學(xué)放大膠最初是為深紫外(duv)光學(xué)曝光開發(fā)的,但國外大量文獻[1~3]表明,將其用于電子束曝光工藝中也同樣具有高靈敏度、高對比度和高分辨率。

    化學(xué)放大膠一般包括三個部分:基質(zhì)樹脂、有機溶劑和酸性發(fā)生劑(photoacid generator,pag)。化學(xué)放大膠經(jīng)電子束曝光或光照后,pag吸收能量發(fā)生光分解,生成自由酸,發(fā)生酸催化反應(yīng),使曝光區(qū)域的基質(zhì)樹脂發(fā)生保護基團的去除反應(yīng)或樹脂與交聯(lián)劑之間的交聯(lián)反應(yīng),形成正性或負性潛影,在一定的溶劑中顯影形成曝光圖形;瘜W(xué)放大膠的曝光工藝流程如圖1所示。

    其中前烘(postapply bake,pab)、曝光后烘烤(postexposure bake,peb)和顯影是三個重要環(huán)節(jié),每一步的工藝控制都能不同程度地影響曝光圖形的分辨率。

    2.1前烘

    前烘的目的是使膠膜內(nèi)的溶劑充分蒸發(fā),使膠膜干燥,排除涂膠過程所造成的空隙,使抗蝕劑致密,同時增加它與基片的附著力。前烘的溫度一般應(yīng)稍高于抗蝕劑的玻璃化溫度,低于正膠的分解溫度或負膠的交聯(lián)溫度,溫度過高會影響抗蝕劑性能。烘烤時間應(yīng)適當,欠烘會導(dǎo)致溶劑揮發(fā)不完全,影響顯影剖面輪廓;過烘會降低化學(xué)放大膠的靈敏度,從而影響最終成像結(jié)果。

    2.2 曝光后烘烤

    曝光后烘烤是化學(xué)放大膠工藝中最關(guān)鍵,也是反應(yīng)機理最復(fù)雜的一道工序。烘烤的溫度、時間和曝光與烘烤之間停留的時間間隔(postexposure delay,ped)都是影響曝光圖形線寬的重要因素。例如,對于負性化學(xué)放大膠sal601,當曝光線條尺寸為150 nm時,其線寬隨peb溫度的變化為11nm/℃。

    后烘過程中,化學(xué)放大膠內(nèi)存在多種反應(yīng)機制,情況復(fù)雜并相互影響[4]。例如:各反應(yīng)基團的擴散、蒸發(fā)將導(dǎo)致抗蝕劑的組成分布梯度變化;基質(zhì)樹脂中的去保護反應(yīng)會引起膠膜體積增加;但當烘烤溫度達到抗蝕劑的玻璃化溫度時,基質(zhì)樹脂又開始變得稠密,兩者同時又都會影響膠膜中酸的擴散,且影響作用相反。這眾多的反應(yīng)機制都將影響到最終的曝光圖形,給工藝帶來了很多不確定因素,也給建立合理正確的數(shù)學(xué)模型增添了很多困難。針對這一現(xiàn)象,科研人員研制了具有低活化能的化學(xué)放大膠,它們可以在常溫下發(fā)生酸催化反應(yīng),從而避免了曝光后烘烤這一復(fù)雜過程。

    2.3顯影

    顯影就是用浸泡或噴涂的方法使曝光后樣品與某種溶劑接觸,將樣品上應(yīng)去除的抗蝕劑溶除干凈,以獲得所需要的曝光圖形。不同的抗蝕劑需要不同的顯影液,顯影時間隨抗蝕劑的厚度、顯影溫度和顯影方法的不同而不同。顯影時間過長,會使膠膜軟化膨脹,圖形邊緣參差不齊發(fā)生鉆溶,甚至出現(xiàn)浮膠;若顯影時間過短,曝光區(qū)域(對于負膠是非曝光區(qū))底部會留有殘膠,將影響后續(xù)工藝。顯影液濃度、配比的選擇不僅會影響顯影時間,還會影響曝光圖形的對比度。對于化學(xué)放大膠,通常用四甲基氫氧化銨(tetramethylam

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