英飛凌推出全新最低通態(tài)電阻OptiMOS 3系列MOSFET
發(fā)布時(shí)間:2008/6/5 0:00:00 訪問(wèn)次數(shù):328
“該無(wú)鉛結(jié)構(gòu)封裝具備較低的封裝寄生電阻和電感,最大程度降低了對(duì)整個(gè)器件性能的影響,便于充分利用optimos 3硅技術(shù)功能。”英飛凌電源管理與驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品事業(yè)部負(fù)責(zé)人gerhard wolf指出。
全新optimos 3系列可提供出類拔萃的通態(tài)電阻,optimos 3 40v系列采用superso8封裝具備最低1.8 mw的通態(tài)電阻,optimos 3 60v采用superso8封裝具備最低2.8 mw的通態(tài)電阻,optimos 3 80v采用superso8封裝具備最低4.7 mw的通態(tài)電阻,與最接近的競(jìng)爭(zhēng)性產(chǎn)品相比,通態(tài)電阻降幅高達(dá)50%,為業(yè)界樹(shù)立了新標(biāo)桿。這些器件的fom(品質(zhì)系數(shù),以通態(tài)電阻乘以柵極電荷得出)與采用標(biāo)準(zhǔn)to封裝的同類產(chǎn)品相比高出25%,能夠更快速實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān),同時(shí)最大程度降低開(kāi)關(guān)損耗和柵極驅(qū)動(dòng)損耗,提高功率密度,降低驅(qū)動(dòng)器散熱量。superso8封裝寄生電感不到0.5nh,比to-220封裝的5-10nh電感低很多,這進(jìn)一步提升了器件整體效率,最大程度上減少在開(kāi)關(guān)條件下的振蕩現(xiàn)象。superso8封裝高度為1mm,rth-jt (結(jié)至頂端的熱阻)低于16°k/w,適用于嵌入式系統(tǒng)頂部冷卻解決方案或立式安裝在3d集成系統(tǒng)里的pcb模塊。
optimos 3 40v、60v和80v產(chǎn)品適用于需要高效率和功率密度的功率轉(zhuǎn)換和管理應(yīng)用,包括眾多產(chǎn)品的smps(開(kāi)關(guān)模式電源)、dc/dc轉(zhuǎn)換器和直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等。這些產(chǎn)品包括計(jì)算機(jī)、家用電器、小型電動(dòng)車、工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)、電信設(shè)備和電動(dòng)工具、電動(dòng)剪草機(jī)和風(fēng)扇等消費(fèi)類電子設(shè)備。
采用superso8封裝的optimos 3可滿足多種應(yīng)用中的快速開(kāi)關(guān)smps和dc/dc轉(zhuǎn)換器的需求,譬如ac/dc smps中的同步整流器、隔離式dc/dc轉(zhuǎn)換器的主側(cè)開(kāi)關(guān)和次側(cè)開(kāi)關(guān)和非隔離(降壓)工業(yè)轉(zhuǎn)換器,對(duì)于這些應(yīng)用而言,空間、功率密度和最大效率都是關(guān)鍵要素。該系列具備至pcb的1°k/w熱阻、頂部和雙側(cè)冷卻功能以及100a持續(xù)電流額定值,新的optimos 3 mosfet系列為40v至80v低電阻mosfet樹(shù)立了新標(biāo)桿。該系列還包括業(yè)界首款采用s3o8封裝的60v和80v擊穿電壓mosfet,其占位空間與標(biāo)準(zhǔn)so8或superso8器件相比減少60%。
60v和80v superso8器件與采用to封裝的解決方案相比可使服務(wù)器smps的效率提高0.5%,或與標(biāo)準(zhǔn)解決方案相比,在通態(tài)電阻額定值提高20%的條件下,可獲得相同的效率。
供貨與定價(jià)
全新optimos 3 40v、60v與80v功率mosfet系列采用superso8和s3o8封裝,具有不同的通態(tài)電阻額定值。optimos 3 60v系列現(xiàn)已開(kāi)始批量生產(chǎn),40v 和 80v器件目前只提供樣品。
在訂購(gòu)量達(dá)到萬(wàn)件時(shí),采用superso8封裝且通態(tài)電阻為2.8 mw的optimos 3 60v單價(jià)不超過(guò)0.99美元(0.64歐元),采用superso8封裝且通態(tài)電阻為4.7 mw的optimos 3 80v單價(jià)約為1.1美元(0.70歐元)。在同樣訂購(gòu)量下,采用s308封裝的6.7 mw optimos 3 60v的單價(jià)為0.6美元(0.38歐元),而采用封裝的12.3 mw opti-mos 3 80v的單價(jià)為0.66美元(0.42歐元)。
“該無(wú)鉛結(jié)構(gòu)封裝具備較低的封裝寄生電阻和電感,最大程度降低了對(duì)整個(gè)器件性能的影響,便于充分利用optimos 3硅技術(shù)功能。”英飛凌電源管理與驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品事業(yè)部負(fù)責(zé)人gerhard wolf指出。
全新optimos 3系列可提供出類拔萃的通態(tài)電阻,optimos 3 40v系列采用superso8封裝具備最低1.8 mw的通態(tài)電阻,optimos 3 60v采用superso8封裝具備最低2.8 mw的通態(tài)電阻,optimos 3 80v采用superso8封裝具備最低4.7 mw的通態(tài)電阻,與最接近的競(jìng)爭(zhēng)性產(chǎn)品相比,通態(tài)電阻降幅高達(dá)50%,為業(yè)界樹(shù)立了新標(biāo)桿。這些器件的fom(品質(zhì)系數(shù),以通態(tài)電阻乘以柵極電荷得出)與采用標(biāo)準(zhǔn)to封裝的同類產(chǎn)品相比高出25%,能夠更快速實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān),同時(shí)最大程度降低開(kāi)關(guān)損耗和柵極驅(qū)動(dòng)損耗,提高功率密度,降低驅(qū)動(dòng)器散熱量。superso8封裝寄生電感不到0.5nh,比to-220封裝的5-10nh電感低很多,這進(jìn)一步提升了器件整體效率,最大程度上減少在開(kāi)關(guān)條件下的振蕩現(xiàn)象。superso8封裝高度為1mm,rth-jt (結(jié)至頂端的熱阻)低于16°k/w,適用于嵌入式系統(tǒng)頂部冷卻解決方案或立式安裝在3d集成系統(tǒng)里的pcb模塊。
optimos 3 40v、60v和80v產(chǎn)品適用于需要高效率和功率密度的功率轉(zhuǎn)換和管理應(yīng)用,包括眾多產(chǎn)品的smps(開(kāi)關(guān)模式電源)、dc/dc轉(zhuǎn)換器和直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等。這些產(chǎn)品包括計(jì)算機(jī)、家用電器、小型電動(dòng)車、工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)、電信設(shè)備和電動(dòng)工具、電動(dòng)剪草機(jī)和風(fēng)扇等消費(fèi)類電子設(shè)備。
采用superso8封裝的optimos 3可滿足多種應(yīng)用中的快速開(kāi)關(guān)smps和dc/dc轉(zhuǎn)換器的需求,譬如ac/dc smps中的同步整流器、隔離式dc/dc轉(zhuǎn)換器的主側(cè)開(kāi)關(guān)和次側(cè)開(kāi)關(guān)和非隔離(降壓)工業(yè)轉(zhuǎn)換器,對(duì)于這些應(yīng)用而言,空間、功率密度和最大效率都是關(guān)鍵要素。該系列具備至pcb的1°k/w熱阻、頂部和雙側(cè)冷卻功能以及100a持續(xù)電流額定值,新的optimos 3 mosfet系列為40v至80v低電阻mosfet樹(shù)立了新標(biāo)桿。該系列還包括業(yè)界首款采用s3o8封裝的60v和80v擊穿電壓mosfet,其占位空間與標(biāo)準(zhǔn)so8或superso8器件相比減少60%。
60v和80v superso8器件與采用to封裝的解決方案相比可使服務(wù)器smps的效率提高0.5%,或與標(biāo)準(zhǔn)解決方案相比,在通態(tài)電阻額定值提高20%的條件下,可獲得相同的效率。
供貨與定價(jià)
全新optimos 3 40v、60v與80v功率mosfet系列采用superso8和s3o8封裝,具有不同的通態(tài)電阻額定值。optimos 3 60v系列現(xiàn)已開(kāi)始批量生產(chǎn),40v 和 80v器件目前只提供樣品。
在訂購(gòu)量達(dá)到萬(wàn)件時(shí),采用superso8封裝且通態(tài)電阻為2.8 mw的optimos 3 60v單價(jià)不超過(guò)0.99美元(0.64歐元),采用superso8封裝且通態(tài)電阻為4.7 mw的optimos 3 80v單價(jià)約為1.1美元(0.70歐元)。在同樣訂購(gòu)量下,采用s308封裝的6.7 mw optimos 3 60v的單價(jià)為0.6美元(0.38歐元),而采用封裝的12.3 mw opti-mos 3 80v的單價(jià)為0.66美元(0.42歐元)。
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