一般清洗技術(shù)

干法刻蝕是用等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕的技術(shù)。它是硅片表面物理和化學(xué)兩種過程平衡的結(jié)果。在半導(dǎo)體刻蝕工藝中，存在著兩個極端：離子銑是一種純物理刻蝕，可以做到各向異性刻蝕，但不能進(jìn)行選擇性刻蝕；而濕法刻蝕如前面所述則恰恰相反。人們對這兩種極端過程進(jìn)行折中，得到目前廣泛應(yīng)用的一些干法刻蝕技術(shù)。例如；反應(yīng)離子刻蝕(rie --reactive ion etching)和高密度等離子體刻蝕(hdp)。這些工藝都具有各向異性刻蝕和選擇性刻蝕的特點(diǎn)。反應(yīng)離子刻蝕通過活性離子對襯底的物理轟擊和化學(xué)反應(yīng)雙重作用刻蝕。具有濺射刻蝕和等離子刻蝕兩者的優(yōu)點(diǎn)，同時兼有各向異性和選擇性好的優(yōu)點(diǎn)。目前，rie已成為vlsi工藝中應(yīng)用最廣泛的主流刻蝕技術(shù)。

干法刻蝕借助等離子體中，產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū)，是各向異性的刻蝕技術(shù)，即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi)，各個方向上的刻蝕速度不相同。濕法刻蝕是各向同性的刻蝕方法，利用化學(xué)反應(yīng)過程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料。通常，氮化硅、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術(shù)，二氧化硅采用濕法刻蝕技術(shù)，有時金屬鋁也采用濕法刻蝕技術(shù)。通過刻蝕，或者是形成了圖形線條，如多晶硅條、鋁條等，或者是裸露了硅本體，為將來的選擇摻雜確定了摻雜的窗口。