nextreme公司日前宣布已經(jīng)通過(guò)其外部銅柱凸塊解決了當(dāng)今倒晶封裝芯片中的過(guò)熱問(wèn)題。該技術(shù)在每個(gè)塊凸中嵌入了一個(gè)熱電制冷器，既可以冷卻芯片，也可以反過(guò)來(lái)從廢棄的熱量中制造能量。

　　prismark partners(紐約cold spring harbor)公司執(zhí)行合伙人jeff doubrava表示：“在過(guò)去的10年里，散熱管理已經(jīng)成為了半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的一個(gè)最重要問(wèn)題之一。nextreme公司的技術(shù)將能解決這一問(wèn)題，我們相信他們邁向了正確的發(fā)展方向。”

　　nextreme的散熱銅柱技術(shù)在倒晶封裝芯片的背面散布了焊接凸塊，這不僅能夠傳電，還可以將熱量散發(fā)出芯片之外。它的銅柱將專(zhuān)有的納米級(jí)熱電薄膜集成到每個(gè)凸塊中，時(shí)刻保持熱量活躍。當(dāng)電流流過(guò)這些凸塊時(shí)，熱電活躍架構(gòu)的一端冷卻速度比另一端要快，就產(chǎn)生了一個(gè)熱差，加快芯片冷卻。

　　這一過(guò)程還可以反過(guò)來(lái)運(yùn)行，即利用溫差來(lái)產(chǎn)生少量能量，用于能量?jī)艋瘧?yīng)用。nextreme表示，只要讓電流通過(guò)一根60微米高的柱子，就能產(chǎn)生60攝氏度的溫差，最大可以在每平方厘米上產(chǎn)生150瓦的電能，比當(dāng)前倒裝芯片每平方厘米15w的電能要高出9倍。在發(fā)電應(yīng)用中，同樣的溫差每平方厘米還可以多產(chǎn)生3w的電能，相當(dāng)于每個(gè)凸塊就能產(chǎn)生10mw的電能。

　　nextreme公司ceo jesko von windheim表示：“我們希望能夠改變半導(dǎo)體行業(yè)里散熱和電能管理的方式。我們的技術(shù)具有冷卻和發(fā)電功能，可以設(shè)計(jì)到標(biāo)準(zhǔn)的倒晶封裝芯片凸塊焊接制程中�！�

　　nextreme公司的專(zhuān)有薄膜使得一個(gè)嵌入式熱電冷卻器（etec）可以利用塞貝克效應(yīng)，這里的電能是通過(guò)一個(gè)溫差來(lái)產(chǎn)生的，該溫差能讓費(fèi)爾米能量貫穿所有熱電材料，產(chǎn)生一個(gè)足以驅(qū)動(dòng)電流的電壓。

　　這一制程目前正在進(jìn)行g(shù)r-468可靠性測(cè)試，并將在今年年底開(kāi)始試產(chǎn)。它可以用于微控制器、顯示器驅(qū)動(dòng)、射頻離散器件、手表芯片、智能卡和固定信號(hào)設(shè)備。

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