開關(guān)電容電路由受時(shí)鐘脈沖信號(hào)控制的模擬開關(guān)、電容器和運(yùn)算放大電路三部分組成。這種電路的特性與電容器的精度無關(guān)，而僅與各電容器電容量之比的準(zhǔn)確性有關(guān)。在集成電路中，可以通過均勻地控制硅片上氧化層的介電常數(shù)及其厚度，使電容量之比主要取決于各個(gè)電容電極的面積，從而獲得準(zhǔn)確性很高的電容比。自20世紀(jì)80年代以來，開關(guān)電容電路廣泛地應(yīng)用于濾波器、振蕩器、平衡調(diào)制器和自適應(yīng)均衡器等各種模擬信號(hào)處理電路之中。由于開關(guān)電容電路應(yīng)用mos工藝，故尺寸小、功耗低，工藝過程較簡單，且易于制成大規(guī)模集成電路。

　　圖1 開關(guān)電容單元

　　圖1所示為開關(guān)電容單元電路，兩相時(shí)鐘脈沖φ1和φ2互補(bǔ)，即φ1為高電平時(shí)φ2為高電平，低電平，φ1為低電平時(shí)φ2為高電平，它們分別控制電子開關(guān)s1和s2，因此兩個(gè)開關(guān)不可能同時(shí)閉合和斷開。當(dāng)s1閉合時(shí)，s2必然斷開，u1對(duì)電容c充電，充電電荷q1＝cu1；而s1斷開，s2必然閉合，電容c放電，放電電荷q2=cu2。設(shè)開關(guān)的周期為t，節(jié)點(diǎn)從左到右傳輸?shù)目傠姾蔀?/p>

　　若c＝1pf，f=100khz，則等效電阻r等于10mω。利用mos工藝，電容只需硅片面積0.01 2m，所占面積小，所以解決了集成運(yùn)放不能直接制作大電阻的問題。

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