實際上，fpl在所有存儲技術(shù)（sram、eprom、e2prom和抑熔斷技術(shù)【10】）中都是可行的。根據(jù)具體的技術(shù)可以將元器件定義為是可重復(fù)編程的還是一次性編程的。大多數(shù)sram元器件都可以通過一位流來編程，從而降低了對布線的要求，但是也相應(yīng)地增加了編程的時間（通常情況下，這—范圍是毫秒（ms）級的）。對于fpga來說，具有優(yōu)勢地位的sram元器件是基于靜態(tài)cmos存儲技術(shù)的，并且是在系統(tǒng)可編程和可重復(fù)編程的。然而它們還需要一個外部“引導(dǎo)”器件作為組態(tài)。由于電可編程只讀存儲器（electrically programmable read－only memory，eprom）需要用紫外線照射來擦除，所以經(jīng)常用在—次性cm0s可編程模式中。cmos電可擦可編程只讀存儲器（electrically erasable programmable read－only memory，e2prom）可以用作可重復(fù)編程和在系統(tǒng)編程器件。eprom和e2prom都具有設(shè)置時問短的優(yōu)勢。因為編程信息不是下載到元器件上的，所以能夠得到更好的保護，禁止未授權(quán)的使用。近來出現(xiàn)了一項基于eprom的技術(shù)，稱為閃存（flash memory）的革新技術(shù)。這類元器件通常被視作是“頁方式”的、具有更小的單元，在系統(tǒng)可重復(fù)的編程系統(tǒng)，等同于e2prom元器件。最后，在表1中簡要地給出了不同元器件技術(shù)的主要優(yōu)點和缺點。

　　表1 fpl技 術(shù)

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