日前，vishay intertechnology, inc.宣布推出業(yè)界最小的20v n通道功率mosfet＋肖特基二極管sib800edk，該器件采用1.6mm×1.6mm的熱增強(qiáng)型powerpak sc-75封裝。這款新型器件的推出，意味著vishay將其在100ma時(shí)具有0.32v低正向電壓的肖特基二極管與具有在低至1.5v柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)規(guī)定的額定導(dǎo)通電阻的mosfet進(jìn)行了完美結(jié)合。

　　當(dāng)便攜式電子設(shè)備變得越來(lái)越小時(shí)，元件的大小變得至關(guān)重要。憑借超小的占位面積，vishay的sib800edk比采用2mm×2mm封裝的器件小36%，同時(shí)具有0.75mm的超薄厚度。vishay此番將兩個(gè)元件整合到一個(gè)封裝中不僅節(jié)省了空間，而且包含溝槽肖特基二極管可保持較低的正向電壓，從而降低了電平位移應(yīng)用中的壓降。

　　sib800edk具有0.960(1.5v vgs時(shí))～0.225(4.5v vgs時(shí))的低導(dǎo)通電阻范圍。1.5v時(shí)的低導(dǎo)通電阻額定值可使mosfet與低電平時(shí)的信號(hào)一同使用。

　　該新器件的典型應(yīng)用將包括手機(jī)、pda、數(shù)碼相機(jī)、mp3播放器及智能電話等便攜式設(shè)備的i2c接口與升壓轉(zhuǎn)換器中的電平位移轉(zhuǎn)換。

　　sib800edk具有esd保護(hù)，并且100%無(wú)鉛(pb)，無(wú)鹵素，以及符合rohs，因此符合有關(guān)消除有害物質(zhì)的國(guó)際法規(guī)要求。

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