半導(dǎo)體簡介
發(fā)布時(shí)間:2011/8/22 14:26:23 訪問次數(shù):1641
1.半導(dǎo)體材料 UAF42AP
物質(zhì)存在的形式多種多樣,類型千差萬別。按導(dǎo)電性能有絕緣體、半導(dǎo)體和導(dǎo)體三種,如圖3.2.1所示。與導(dǎo)體和絕緣體相比,半導(dǎo)體材料的發(fā)現(xiàn)是最晚的,但由于半導(dǎo)體的特殊性能及其在電子技術(shù)中的應(yīng)用,經(jīng)過人們的創(chuàng)新設(shè)計(jì)和一系列工藝制造技術(shù),原本默默無聞的半導(dǎo)體一躍成為信息時(shí)代的寵兒,人們把“神奇”、“魔幻”、“點(diǎn)石成金”、“巧奪天工”等溢美之詞用到半導(dǎo)體材料及其制造技術(shù),并把它的應(yīng)用賦予人類發(fā)展里程碑的意義。
2.半導(dǎo)體類別
半導(dǎo)體材料很多,按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類,如圖3.2.2所示。
鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體;衔锇雽(dǎo)體包括Ⅲ一v族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、Ⅲ一Ⅵ族化合物(硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物)、Ⅳ一Ⅳ族(碳化硅、鉻化硅等);化合物半導(dǎo)體中又有單晶體和混晶體之分。
除上述晶態(tài)半導(dǎo)體外,還有非晶態(tài)的玻璃半導(dǎo)體、有機(jī)半導(dǎo)體和陶瓷半導(dǎo)體等.
3.半導(dǎo)體特性
半導(dǎo)體原子排列不同,也會有不同性能。按一種規(guī)則排列的半導(dǎo)體物質(zhì)稱為單晶半導(dǎo)體,有多種排列規(guī)則的半導(dǎo)體物質(zhì)稱為多晶半導(dǎo)體,沒有排列規(guī)則的半導(dǎo)體物質(zhì)稱為非晶半導(dǎo)體,它們的導(dǎo)電性能依次下降,如圖3.2.3所示。這種晶體狀態(tài)與導(dǎo)電性能相關(guān)的特性對于制造半導(dǎo)體器件非常有用,我們可以通過在單晶半導(dǎo)體中摻人不同類型和數(shù)量的雜質(zhì),用于改變半導(dǎo)體的晶體狀態(tài),從而獲得期望的半導(dǎo)體器件性能。
雖然半導(dǎo)體的種類非常多,但目前用作半導(dǎo)體器件的材料卻幾乎都是硅。這是因?yàn)橐环矫婀柩趸纬傻亩趸枘ば阅芊(wěn)定,能夠作為優(yōu)良的絕緣膜使用,可以獲得電學(xué)性能優(yōu)良、可靠性高的器件;另一方面由于硅原料豐富,并且容易高純度化,有利于以低成本獲得高品質(zhì)的單晶材料。硅的含量約占地表附近元素的27%,氧約占47%,都是地球上資源豐富的元素。
1.半導(dǎo)體材料 UAF42AP
物質(zhì)存在的形式多種多樣,類型千差萬別。按導(dǎo)電性能有絕緣體、半導(dǎo)體和導(dǎo)體三種,如圖3.2.1所示。與導(dǎo)體和絕緣體相比,半導(dǎo)體材料的發(fā)現(xiàn)是最晚的,但由于半導(dǎo)體的特殊性能及其在電子技術(shù)中的應(yīng)用,經(jīng)過人們的創(chuàng)新設(shè)計(jì)和一系列工藝制造技術(shù),原本默默無聞的半導(dǎo)體一躍成為信息時(shí)代的寵兒,人們把“神奇”、“魔幻”、“點(diǎn)石成金”、“巧奪天工”等溢美之詞用到半導(dǎo)體材料及其制造技術(shù),并把它的應(yīng)用賦予人類發(fā)展里程碑的意義。
2.半導(dǎo)體類別
半導(dǎo)體材料很多,按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類,如圖3.2.2所示。
鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體。化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ一v族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、Ⅲ一Ⅵ族化合物(硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物)、Ⅳ一Ⅳ族(碳化硅、鉻化硅等);化合物半導(dǎo)體中又有單晶體和混晶體之分。
除上述晶態(tài)半導(dǎo)體外,還有非晶態(tài)的玻璃半導(dǎo)體、有機(jī)半導(dǎo)體和陶瓷半導(dǎo)體等.
3.半導(dǎo)體特性
半導(dǎo)體原子排列不同,也會有不同性能。按一種規(guī)則排列的半導(dǎo)體物質(zhì)稱為單晶半導(dǎo)體,有多種排列規(guī)則的半導(dǎo)體物質(zhì)稱為多晶半導(dǎo)體,沒有排列規(guī)則的半導(dǎo)體物質(zhì)稱為非晶半導(dǎo)體,它們的導(dǎo)電性能依次下降,如圖3.2.3所示。這種晶體狀態(tài)與導(dǎo)電性能相關(guān)的特性對于制造半導(dǎo)體器件非常有用,我們可以通過在單晶半導(dǎo)體中摻人不同類型和數(shù)量的雜質(zhì),用于改變半導(dǎo)體的晶體狀態(tài),從而獲得期望的半導(dǎo)體器件性能。
雖然半導(dǎo)體的種類非常多,但目前用作半導(dǎo)體器件的材料卻幾乎都是硅。這是因?yàn)橐环矫婀柩趸纬傻亩趸枘ば阅芊(wěn)定,能夠作為優(yōu)良的絕緣膜使用,可以獲得電學(xué)性能優(yōu)良、可靠性高的器件;另一方面由于硅原料豐富,并且容易高純度化,有利于以低成本獲得高品質(zhì)的單晶材料。硅的含量約占地表附近元素的27%,氧約占47%,都是地球上資源豐富的元素。