集成電路的制造工藝是由多種單項(xiàng)工藝組合而成的，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)主要的單項(xiàng)工藝通常包括三類(lèi)：薄膜形成工藝、圖形轉(zhuǎn)移工藝和摻雜工藝。
    (1)薄膜形成工藝  包括氧化工藝和薄膜淀積工藝。該工藝通過(guò)生長(zhǎng)或淀積的方法，生成集成電路制造過(guò)程中所需的各種材料的薄膜，如金屬層、絕緣層等。
    (2)圖形轉(zhuǎn)移工藝包括光刻工藝和刻蝕工藝。從物理上說(shuō)，集成電路是由許許多多的半導(dǎo)體元器件組合而成的，對(duì)應(yīng)在硅晶圓片上就是半導(dǎo)體、導(dǎo)體以及各種不同層上的隔離材料的集合。集成電路制造工藝首先將這些結(jié)構(gòu)以圖形的形式制作在光刻掩模板上，然后通過(guò)圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)將圖形轉(zhuǎn)移到硅晶圓片上。
    (3)摻雜工藝包括擴(kuò)散工藝和離子注入工藝，通過(guò)這些工藝將各種雜質(zhì)按照設(shè)計(jì)要求摻人品圓片的特定位置上，形成晶體管的各“極”以及歐姆接觸（金屬與半導(dǎo)體的接觸）等。
    通過(guò)一定的順序?qū)ι鲜鰡雾?xiàng)工藝進(jìn)行重復(fù)、組合使用，就形成集成電路的完整制造工藝了。芯片基本制造工藝如圖3.4.1所示。     HA17555P