耐高溫設(shè)計(jì)
發(fā)布時(shí)間:2012/4/19 19:49:59 訪問(wèn)次數(shù):1161
耐高溫設(shè)計(jì)是指在特定的AWT6282RM20P8高溫環(huán)境下,電子元器件能安全可靠地工作。耐高溫設(shè)計(jì)的重點(diǎn)就是考慮環(huán)境溫度對(duì)產(chǎn)品可靠性的影響。例如,在機(jī)載電子設(shè)備中,要求器件在環(huán)境溫度為60℃下工作,在進(jìn)行這種應(yīng)用環(huán)境的殼溫設(shè)計(jì)和結(jié)溫設(shè)計(jì)時(shí)就應(yīng)留有適當(dāng)余地,使殼溫設(shè)計(jì)不超過(guò)70℃,結(jié)溫設(shè)計(jì)不超過(guò)110℃,否則輸出功率就不能滿足要求。
對(duì)大多數(shù)電子元器件來(lái)說(shuō),高溫所施加的應(yīng)力是一種嚴(yán)酷的應(yīng)力,因?yàn)闇囟冗^(guò)高或局部溫度過(guò)高會(huì)使電子元器件結(jié)構(gòu)發(fā)生物理化學(xué)變化,導(dǎo)致電子元器件性能參數(shù)退化,絕緣失效、電特性的改變、焊接熔化、結(jié)構(gòu)失效、潤(rùn)滑特性的損失、機(jī)械應(yīng)力的增加、活動(dòng)部件的磨損增加、壽命縮短甚至引起電子元器件燒毀,如微處理器在高于正常工作溫度條件下使用時(shí),溫度每升高10℃,其失效率會(huì)增加一倍。
電子元器件基本失效率與溫度應(yīng)力的模型關(guān)系考慮了溫度、電應(yīng)力對(duì)產(chǎn)品本身可靠性的影響(表1.16[111)。從表中可看到,集成電路不是像其他電子元器件那樣,在基本失效率模型中直接考慮溫度對(duì)可靠性的影響,而是在工作失效率中直接考慮(見(jiàn)表1. 17中的溫度應(yīng)力系數(shù)7rT)。而混合集成電路的工作失效率除了用7cT來(lái)考慮溫度應(yīng)力的影響外,在基本失效率中還要考慮溫度對(duì)所用其他電子元器件失效率的影響(詳見(jiàn)參考文獻(xiàn)[11])。
耐高溫設(shè)計(jì)是指在特定的AWT6282RM20P8高溫環(huán)境下,電子元器件能安全可靠地工作。耐高溫設(shè)計(jì)的重點(diǎn)就是考慮環(huán)境溫度對(duì)產(chǎn)品可靠性的影響。例如,在機(jī)載電子設(shè)備中,要求器件在環(huán)境溫度為60℃下工作,在進(jìn)行這種應(yīng)用環(huán)境的殼溫設(shè)計(jì)和結(jié)溫設(shè)計(jì)時(shí)就應(yīng)留有適當(dāng)余地,使殼溫設(shè)計(jì)不超過(guò)70℃,結(jié)溫設(shè)計(jì)不超過(guò)110℃,否則輸出功率就不能滿足要求。
對(duì)大多數(shù)電子元器件來(lái)說(shuō),高溫所施加的應(yīng)力是一種嚴(yán)酷的應(yīng)力,因?yàn)闇囟冗^(guò)高或局部溫度過(guò)高會(huì)使電子元器件結(jié)構(gòu)發(fā)生物理化學(xué)變化,導(dǎo)致電子元器件性能參數(shù)退化,絕緣失效、電特性的改變、焊接熔化、結(jié)構(gòu)失效、潤(rùn)滑特性的損失、機(jī)械應(yīng)力的增加、活動(dòng)部件的磨損增加、壽命縮短甚至引起電子元器件燒毀,如微處理器在高于正常工作溫度條件下使用時(shí),溫度每升高10℃,其失效率會(huì)增加一倍。
電子元器件基本失效率與溫度應(yīng)力的模型關(guān)系考慮了溫度、電應(yīng)力對(duì)產(chǎn)品本身可靠性的影響(表1.16[111)。從表中可看到,集成電路不是像其他電子元器件那樣,在基本失效率模型中直接考慮溫度對(duì)可靠性的影響,而是在工作失效率中直接考慮(見(jiàn)表1. 17中的溫度應(yīng)力系數(shù)7rT)。而混合集成電路的工作失效率除了用7cT來(lái)考慮溫度應(yīng)力的影響外,在基本失效率中還要考慮溫度對(duì)所用其他電子元器件失效率的影響(詳見(jiàn)參考文獻(xiàn)[11])。
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