在由7射線、X射線及高能CL6807粒子輻照的環(huán)境中，當(dāng)輻照粒子穿過物質(zhì)和原子的電子相互作用時，使電子脫離原子軌道產(chǎn)生電子一空穴對，可導(dǎo)致康普頓效應(yīng)和光電效應(yīng)等，使絕緣材料的電導(dǎo)率升高，或引起材料發(fā)生化學(xué)性質(zhì)和分子結(jié)構(gòu)的變化。質(zhì)子也產(chǎn)生電離，高能核粒子也會產(chǎn)生位移破壞和電離，電離效應(yīng)又可分為總劑量效應(yīng)、劑量效應(yīng)和單粒子效應(yīng)等3種情況，對MOS和雙極器件或材料的表面性能產(chǎn)生影響，也可使器件或電路產(chǎn)生光電流，引起電路擾動，嚴(yán)重時引起器件閉鎖或燒毀。電離在半導(dǎo)體和絕緣體中產(chǎn)生了電子一空穴對，這可使半導(dǎo)體和絕緣體之間的界面俘獲電荷。這一機理對硅器件非常重要，但對化合物半導(dǎo)體則沒那么重要。

               
    X射線或低能y射線射人不同原子序數(shù)材料組成的界面時，在界面較低原子序數(shù)材料內(nèi)將產(chǎn)生劑量增強，這種劑量增強效應(yīng)與射線方向無關(guān)。
    電子元器件的抗輻射性能與材料、工藝及系統(tǒng)的屏蔽情況有關(guān)，例如，7射線會使電阻器的絕緣材料發(fā)生電離形成泄漏通道，使電阻器發(fā)生變化。不同的電子元器件類別在不同的輻照下的容限不同，例如，電阻器在不同的輻照下的容限分別為：Y射線應(yīng)小于l06 rad(si)；中子應(yīng)小于losnvt；質(zhì)子應(yīng)小于l013 pl cmz。不同的電阻器類型耐輻照劑量性能區(qū)別很大（見表1.29。微電子器件對各種輻射都很敏感，如雙極犁器件，輻射損傷使少子壽命下降，從而使^ FE降低甚至失效；對于高壓器件，輻射也使載流子濃度下降，V ces增大，LCO上升。