消除寄生元器件和潛在通路設(shè)計(jì)
發(fā)布時(shí)間:2012/4/20 19:41:13 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):621
特別是單元結(jié)構(gòu)復(fù)雜的VC8563T電子元器件，會(huì)形成寄生元器件和潛在通路，它們?cè)谝欢ǖ墓ぷ鳁l件下會(huì)改變電子元器件的功能，引起失效，例如在高頻元器件中的寄生電容和寄生電感效應(yīng)、硅體CMOS電路中寄生晶體管引起閂鎖效應(yīng)以及交叉工作的晶體管瞬態(tài)對(duì)通效應(yīng)等，在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中就要采取措施，力求減小或避免寄生元器件和潛在通路。
最壞情況設(shè)計(jì)技術(shù)
作為可靠性和設(shè)計(jì)計(jì)劃的一部分，分析可在最差情況條件下進(jìn)行，以確保遵守規(guī)范要求，降低因操作容限不充分造成的失效風(fēng)險(xiǎn)。
對(duì)設(shè)計(jì)進(jìn)行檢查，在分析驗(yàn)證電路操作條件的充分操作容限時(shí)應(yīng)考慮原材料、零部件參數(shù)變化、初始容限、溫度影響、老化效應(yīng)、輻射效應(yīng)、電源輸入線(xiàn)電壓變化、操作模式效應(yīng)、負(fù)載和激勵(lì)等造成的電路參數(shù)變化等方面，進(jìn)行最壞情況的可靠性
設(shè)計(jì)。
最壞情況設(shè)計(jì)技術(shù)
作為可靠性和設(shè)計(jì)計(jì)劃的一部分，分析可在最差情況條件下進(jìn)行，以確保遵守規(guī)范要求，降低因操作容限不充分造成的失效風(fēng)險(xiǎn)。
對(duì)設(shè)計(jì)進(jìn)行檢查，在分析驗(yàn)證電路操作條件的充分操作容限時(shí)應(yīng)考慮原材料、零部件參數(shù)變化、初始容限、溫度影響、老化效應(yīng)、輻射效應(yīng)、電源輸入線(xiàn)電壓變化、操作模式效應(yīng)、負(fù)載和激勵(lì)等造成的電路參數(shù)變化等方面，進(jìn)行最壞情況的可靠性
設(shè)計(jì)。
特別是單元結(jié)構(gòu)復(fù)雜的VC8563T電子元器件，會(huì)形成寄生元器件和潛在通路，它們?cè)谝欢ǖ墓ぷ鳁l件下會(huì)改變電子元器件的功能，引起失效，例如在高頻元器件中的寄生電容和寄生電感效應(yīng)、硅體CMOS電路中寄生晶體管引起閂鎖效應(yīng)以及交叉工作的晶體管瞬態(tài)對(duì)通效應(yīng)等，在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中就要采取措施，力求減小或避免寄生元器件和潛在通路。
最壞情況設(shè)計(jì)技術(shù)
作為可靠性和設(shè)計(jì)計(jì)劃的一部分，分析可在最差情況條件下進(jìn)行，以確保遵守規(guī)范要求，降低因操作容限不充分造成的失效風(fēng)險(xiǎn)。
對(duì)設(shè)計(jì)進(jìn)行檢查，在分析驗(yàn)證電路操作條件的充分操作容限時(shí)應(yīng)考慮原材料、零部件參數(shù)變化、初始容限、溫度影響、老化效應(yīng)、輻射效應(yīng)、電源輸入線(xiàn)電壓變化、操作模式效應(yīng)、負(fù)載和激勵(lì)等造成的電路參數(shù)變化等方面，進(jìn)行最壞情況的可靠性
設(shè)計(jì)。
最壞情況設(shè)計(jì)技術(shù)
作為可靠性和設(shè)計(jì)計(jì)劃的一部分，分析可在最差情況條件下進(jìn)行，以確保遵守規(guī)范要求，降低因操作容限不充分造成的失效風(fēng)險(xiǎn)。
對(duì)設(shè)計(jì)進(jìn)行檢查，在分析驗(yàn)證電路操作條件的充分操作容限時(shí)應(yīng)考慮原材料、零部件參數(shù)變化、初始容限、溫度影響、老化效應(yīng)、輻射效應(yīng)、電源輸入線(xiàn)電壓變化、操作模式效應(yīng)、負(fù)載和激勵(lì)等造成的電路參數(shù)變化等方面，進(jìn)行最壞情況的可靠性
設(shè)計(jì)。
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