單片集成電路
發(fā)布時(shí)間:2012/4/21 19:23:27 訪問(wèn)次數(shù):1784
集成電路按工藝材料分為STK1261單片集成電路和混合集成電路。單片集成電路又稱半導(dǎo)體集成電路，是在硅平面技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的。利用氧化、擴(kuò)散、注入、外延、光刻、蒸發(fā)等一整套平面技術(shù)，將電路中的所有電子元器件做在一塊半導(dǎo)體基片上，用特殊的結(jié)構(gòu)使電子元器件在電性能上相互隔離，電子元器件之間必要的連接是用蒸發(fā)或?yàn)R射鋁層或其他導(dǎo)電金屬層，并用光刻法刻蝕所需要的金屬條（或其他材料，如多晶硅）來(lái)實(shí)現(xiàn)。半導(dǎo)體材料一般用硅(Si)，在某些應(yīng)用領(lǐng)域，如高頻領(lǐng)域，有的采用砷化鎵(GaAs)材料。
雙極型集成電路
雙極型集成電路采用雙極晶體管作為有源器件。雙極晶體管的工作依賴于兩種極性的載流子（電子和空穴）。在雙極型IC中，雙極型晶體管和二極管的制法與硅平面型半導(dǎo)體器件相同；電阻是利用具有一定寬長(zhǎng)比的摻雜區(qū)或金屬層或多晶硅薄膜構(gòu)成；電容是利用半導(dǎo)體器件中的PN結(jié)電容，或者利用二氧化硅層作為絕緣層，兩側(cè)被覆導(dǎo)體層或?qū)w層和多晶硅這樣一種結(jié)構(gòu)而構(gòu)成。雙極型集成電路中的晶體管分為NPN管和PNP管。在某些電路中采用多發(fā)射極NPN管，超B晶體管、可控增益PNP管、復(fù)合晶體管，以及結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)。
雙極型集成電路
雙極型集成電路采用雙極晶體管作為有源器件。雙極晶體管的工作依賴于兩種極性的載流子（電子和空穴）。在雙極型IC中，雙極型晶體管和二極管的制法與硅平面型半導(dǎo)體器件相同；電阻是利用具有一定寬長(zhǎng)比的摻雜區(qū)或金屬層或多晶硅薄膜構(gòu)成；電容是利用半導(dǎo)體器件中的PN結(jié)電容，或者利用二氧化硅層作為絕緣層，兩側(cè)被覆導(dǎo)體層或?qū)w層和多晶硅這樣一種結(jié)構(gòu)而構(gòu)成。雙極型集成電路中的晶體管分為NPN管和PNP管。在某些電路中采用多發(fā)射極NPN管，超B晶體管、可控增益PNP管、復(fù)合晶體管，以及結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)。
集成電路按工藝材料分為STK1261單片集成電路和混合集成電路。單片集成電路又稱半導(dǎo)體集成電路，是在硅平面技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的。利用氧化、擴(kuò)散、注入、外延、光刻、蒸發(fā)等一整套平面技術(shù)，將電路中的所有電子元器件做在一塊半導(dǎo)體基片上，用特殊的結(jié)構(gòu)使電子元器件在電性能上相互隔離，電子元器件之間必要的連接是用蒸發(fā)或?yàn)R射鋁層或其他導(dǎo)電金屬層，并用光刻法刻蝕所需要的金屬條（或其他材料，如多晶硅）來(lái)實(shí)現(xiàn)。半導(dǎo)體材料一般用硅(Si)，在某些應(yīng)用領(lǐng)域，如高頻領(lǐng)域，有的采用砷化鎵(GaAs)材料。
雙極型集成電路
雙極型集成電路采用雙極晶體管作為有源器件。雙極晶體管的工作依賴于兩種極性的載流子（電子和空穴）。在雙極型IC中，雙極型晶體管和二極管的制法與硅平面型半導(dǎo)體器件相同；電阻是利用具有一定寬長(zhǎng)比的摻雜區(qū)或金屬層或多晶硅薄膜構(gòu)成；電容是利用半導(dǎo)體器件中的PN結(jié)電容，或者利用二氧化硅層作為絕緣層，兩側(cè)被覆導(dǎo)體層或?qū)w層和多晶硅這樣一種結(jié)構(gòu)而構(gòu)成。雙極型集成電路中的晶體管分為NPN管和PNP管。在某些電路中采用多發(fā)射極NPN管，超B晶體管、可控增益PNP管、復(fù)合晶體管，以及結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)。
雙極型集成電路
雙極型集成電路采用雙極晶體管作為有源器件。雙極晶體管的工作依賴于兩種極性的載流子（電子和空穴）。在雙極型IC中，雙極型晶體管和二極管的制法與硅平面型半導(dǎo)體器件相同；電阻是利用具有一定寬長(zhǎng)比的摻雜區(qū)或金屬層或多晶硅薄膜構(gòu)成；電容是利用半導(dǎo)體器件中的PN結(jié)電容，或者利用二氧化硅層作為絕緣層，兩側(cè)被覆導(dǎo)體層或?qū)w層和多晶硅這樣一種結(jié)構(gòu)而構(gòu)成。雙極型集成電路中的晶體管分為NPN管和PNP管。在某些電路中采用多發(fā)射極NPN管，超B晶體管、可控增益PNP管、復(fù)合晶體管，以及結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)。
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