內(nèi)部氣氛種類及來源
發(fā)布時(shí)間:2012/4/25 19:41:21 訪問次數(shù):1632
密封電路內(nèi)部水汽及殘余氣氛是CY7C63001C-PXC影響密封混合電路質(zhì)量與可靠性的重要因素之一．是目前國(guó)內(nèi)普遍存在的問題。有關(guān)規(guī)定或標(biāo)準(zhǔn)對(duì)混合集成電路內(nèi)部水汽含量及其他殘余氣氛含量有較詳細(xì)的規(guī)定，如不超過5000ppm。
內(nèi)部氣氛測(cè)試的目的，是為了掌握樣品內(nèi)部水汽及其他氣氛的含量，以便分析樣品的質(zhì)量和可靠性。測(cè)試數(shù)據(jù)表中水汽及其他氣氛主要有：
(1)水 汽
任何密封電子元器件內(nèi)部都含有水汽。水汽有3個(gè)主要來源：①外殼漏氣部位滲入的水汽。樣品本身氣密性低或有泄漏，密封后空氣進(jìn)入。這種情況，會(huì)伴隨氧氣(Oxygen)和氬氣(Argon)，經(jīng)過檢漏后，會(huì)有氦氣(Helium)和氟碳化合物( Fluorocarbons)。②內(nèi)部排放的水汽。在物理參數(shù)如時(shí)間、溫度、壓力作用下發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)，產(chǎn)生水汽。腔體內(nèi)各種有機(jī)材料、陶瓷、金屬材料表面吸附的水汽和各種高分子粘結(jié)材料分子間隙中含有的各種氣體和水汽，隨時(shí)間和環(huán)境溫度的變化而不斷逸出。有些陶瓷和玻璃封裝，使用干燥空氣作封裝氣體，在高溫作用下，產(chǎn)生氧化反應(yīng)，出現(xiàn)大量的水汽和二氧化碳。③封蓋操作時(shí)，封口箱氣氛中的水汽。這部分水汽含量可能較少。
(2)氮 氣
氮?dú)馐潜匾膮?shù)。通常采用純氮?dú)庾鳛榉庋b保護(hù)氣體，氮?dú)夂繎?yīng)在99%以上。
(3)氧 氣
空氣中的氧氣含量大約在20%。但氧氣是一種易反應(yīng)的氣體，在高溫條件下，可能使內(nèi)部材料中碳?xì)浠衔镅趸徒饘俦砻嫜趸�，所以�?yīng)控制氧含量�；旌想娐芬�(guī)范中未明確規(guī)定氧含量，但在半導(dǎo)體分立器件規(guī)范中規(guī)定了氧含量不允許超過lOOOppm。
(4)氬 氣
在純氮?dú)夥庋b的器件內(nèi)部氬氣含量應(yīng)該在500ppm以下，在干燥空氣中，氬氣的含量大約9340ppm。氬氣與氧氣的比例關(guān)系可作為判別樣品是否漏氣的參考依據(jù)之一。
(5)二氧化碳
通常二氧化碳是封裝內(nèi)部材料釋放或生成的，它可能是在溫度應(yīng)力作用下，樣品內(nèi)部材料中碳?xì)浠衔镅趸漠a(chǎn)物，二氧化碳的含量從lOOppm到幾個(gè)百分點(diǎn)。高含量=氧化碳和水汽，會(huì)對(duì)暴露的金屬化產(chǎn)生腐蝕。
(6)氫 氣
通常氫氣是低氣壓或封裝后電鍍層金屬表面釋放的氣氛。氫氣含量大于10%表示密封腔體內(nèi)部壓強(qiáng)較低。氫氣在水汽環(huán)境中非�；钴S，會(huì)生成更多混合氣氛。氫氣對(duì)砷化鎵微波器件的可靠性有明顯不良影響，應(yīng)嚴(yán)格控制。
(7)氦 氣
一般氦氣用作檢漏氣體。有氦氣存在并伴隨氟碳化合物、高含量的水汽、氧氣、氬氣，表示樣品存在漏氣現(xiàn)象。有時(shí)也用氮?dú)猓饣旌献鳛榉庋b氣體，氮?dú)夂繎?yīng)在78%以上。宇航級(jí)產(chǎn)品要求封口時(shí)，封人10%的氦氣。
(8)其他殘余氣氛
殘余氣氛如甲醇、乙醇、丙酮、甲苯等，通常是有機(jī)材料、殘余溶劑、殘余清洗劑等揮發(fā)出來的。封口前烘烤工藝的同，揮發(fā)釋放的氣體也不同。環(huán)氧材料在高溫下會(huì)產(chǎn)生氨氣(Ammonia)。這些殘余氣氛在高溫下逐漸分解，與水汽作用后形成高酸或高堿環(huán)境，對(duì)金屬部位產(chǎn)生腐蝕作用。
水汽等內(nèi)部殘余氣氛的狀況對(duì)電路的性能、壽命和可靠性影響很大，往往容易造成早期失效和性能劣化。主要表現(xiàn)在以下方面：造成內(nèi)部環(huán)境的污染、加速腐蝕作用、形成電路的短路或燒毀、電路參數(shù)漂移、低溫性能惡化等。
內(nèi)部氣氛測(cè)試的目的，是為了掌握樣品內(nèi)部水汽及其他氣氛的含量，以便分析樣品的質(zhì)量和可靠性。測(cè)試數(shù)據(jù)表中水汽及其他氣氛主要有：
(1)水 汽
任何密封電子元器件內(nèi)部都含有水汽。水汽有3個(gè)主要來源：①外殼漏氣部位滲入的水汽。樣品本身氣密性低或有泄漏，密封后空氣進(jìn)入。這種情況，會(huì)伴隨氧氣(Oxygen)和氬氣(Argon)，經(jīng)過檢漏后，會(huì)有氦氣(Helium)和氟碳化合物( Fluorocarbons)。②內(nèi)部排放的水汽。在物理參數(shù)如時(shí)間、溫度、壓力作用下發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)，產(chǎn)生水汽。腔體內(nèi)各種有機(jī)材料、陶瓷、金屬材料表面吸附的水汽和各種高分子粘結(jié)材料分子間隙中含有的各種氣體和水汽，隨時(shí)間和環(huán)境溫度的變化而不斷逸出。有些陶瓷和玻璃封裝，使用干燥空氣作封裝氣體，在高溫作用下，產(chǎn)生氧化反應(yīng)，出現(xiàn)大量的水汽和二氧化碳。③封蓋操作時(shí)，封口箱氣氛中的水汽。這部分水汽含量可能較少。
(2)氮 氣
氮?dú)馐潜匾膮?shù)。通常采用純氮?dú)庾鳛榉庋b保護(hù)氣體，氮?dú)夂繎?yīng)在99%以上。
(3)氧 氣
空氣中的氧氣含量大約在20%。但氧氣是一種易反應(yīng)的氣體，在高溫條件下，可能使內(nèi)部材料中碳?xì)浠衔镅趸徒饘俦砻嫜趸�，所以�?yīng)控制氧含量�；旌想娐芬�(guī)范中未明確規(guī)定氧含量，但在半導(dǎo)體分立器件規(guī)范中規(guī)定了氧含量不允許超過lOOOppm。
(4)氬 氣
在純氮?dú)夥庋b的器件內(nèi)部氬氣含量應(yīng)該在500ppm以下，在干燥空氣中，氬氣的含量大約9340ppm。氬氣與氧氣的比例關(guān)系可作為判別樣品是否漏氣的參考依據(jù)之一。
(5)二氧化碳
通常二氧化碳是封裝內(nèi)部材料釋放或生成的，它可能是在溫度應(yīng)力作用下，樣品內(nèi)部材料中碳?xì)浠衔镅趸漠a(chǎn)物，二氧化碳的含量從lOOppm到幾個(gè)百分點(diǎn)。高含量=氧化碳和水汽，會(huì)對(duì)暴露的金屬化產(chǎn)生腐蝕。
(6)氫 氣
通常氫氣是低氣壓或封裝后電鍍層金屬表面釋放的氣氛。氫氣含量大于10%表示密封腔體內(nèi)部壓強(qiáng)較低。氫氣在水汽環(huán)境中非�；钴S，會(huì)生成更多混合氣氛。氫氣對(duì)砷化鎵微波器件的可靠性有明顯不良影響，應(yīng)嚴(yán)格控制。
(7)氦 氣
一般氦氣用作檢漏氣體。有氦氣存在并伴隨氟碳化合物、高含量的水汽、氧氣、氬氣，表示樣品存在漏氣現(xiàn)象。有時(shí)也用氮?dú)猓饣旌献鳛榉庋b氣體，氮?dú)夂繎?yīng)在78%以上。宇航級(jí)產(chǎn)品要求封口時(shí)，封人10%的氦氣。
(8)其他殘余氣氛
殘余氣氛如甲醇、乙醇、丙酮、甲苯等，通常是有機(jī)材料、殘余溶劑、殘余清洗劑等揮發(fā)出來的。封口前烘烤工藝的同，揮發(fā)釋放的氣體也不同。環(huán)氧材料在高溫下會(huì)產(chǎn)生氨氣(Ammonia)。這些殘余氣氛在高溫下逐漸分解，與水汽作用后形成高酸或高堿環(huán)境，對(duì)金屬部位產(chǎn)生腐蝕作用。
水汽等內(nèi)部殘余氣氛的狀況對(duì)電路的性能、壽命和可靠性影響很大，往往容易造成早期失效和性能劣化。主要表現(xiàn)在以下方面：造成內(nèi)部環(huán)境的污染、加速腐蝕作用、形成電路的短路或燒毀、電路參數(shù)漂移、低溫性能惡化等。
密封電路內(nèi)部水汽及殘余氣氛是CY7C63001C-C影響密封混合電路質(zhì)量與可靠性的重要因素之一．是目前國(guó)內(nèi)普遍存在的問題。有關(guān)規(guī)定或標(biāo)準(zhǔn)對(duì)混合集成電路內(nèi)部水汽含量及其他殘余氣氛含量有較詳細(xì)的規(guī)定，如不超過5000ppm。
內(nèi)部氣氛測(cè)試的目的，是為了掌握樣品內(nèi)部水汽及其他氣氛的含量，以便分析樣品的質(zhì)量和可靠性。測(cè)試數(shù)據(jù)表中水汽及其他氣氛主要有：
(1)水 汽
任何密封電子元器件內(nèi)部都含有水汽。水汽有3個(gè)主要來源：①外殼漏氣部位滲入的水汽。樣品本身氣密性低或有泄漏，密封后空氣進(jìn)入。這種情況，會(huì)伴隨氧氣(Oxygen)和氬氣(Argon)，經(jīng)過檢漏后，會(huì)有氦氣(Helium)和氟碳化合物( Fluorocarbons)。②內(nèi)部排放的水汽。在物理參數(shù)如時(shí)間、溫度、壓力作用下發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)，產(chǎn)生水汽。腔體內(nèi)各種有機(jī)材料、陶瓷、金屬材料表面吸附的水汽和各種高分子粘結(jié)材料分子間隙中含有的各種氣體和水汽，隨時(shí)間和環(huán)境溫度的變化而不斷逸出。有些陶瓷和玻璃封裝，使用干燥空氣作封裝氣體，在高溫作用下，產(chǎn)生氧化反應(yīng)，出現(xiàn)大量的水汽和二氧化碳。③封蓋操作時(shí)，封口箱氣氛中的水汽。這部分水汽含量可能較少。
(2)氮 氣
氮?dú)馐潜匾膮?shù)。通常采用純氮?dú)庾鳛榉庋b保護(hù)氣體，氮?dú)夂繎?yīng)在99%以上。
(3)氧 氣
空氣中的氧氣含量大約在20%。但氧氣是一種易反應(yīng)的氣體，在高溫條件下，可能使內(nèi)部材料中碳?xì)浠衔镅趸徒饘俦砻嫜趸詰?yīng)控制氧含量�；旌想娐芬�(guī)范中未明確規(guī)定氧含量，但在半導(dǎo)體分立器件規(guī)范中規(guī)定了氧含量不允許超過lOOOppm。
(4)氬 氣
在純氮?dú)夥庋b的器件內(nèi)部氬氣含量應(yīng)該在500ppm以下，在干燥空氣中，氬氣的含量大約9340ppm。氬氣與氧氣的比例關(guān)系可作為判別樣品是否漏氣的參考依據(jù)之一。
(5)二氧化碳
通常二氧化碳是封裝內(nèi)部材料釋放或生成的，它可能是在溫度應(yīng)力作用下，樣品內(nèi)部材料中碳?xì)浠衔镅趸漠a(chǎn)物，二氧化碳的含量從lOOppm到幾個(gè)百分點(diǎn)。高含量=氧化碳和水汽，會(huì)對(duì)暴露的金屬化產(chǎn)生腐蝕。
(6)氫 氣
通常氫氣是低氣壓或封裝后電鍍層金屬表面釋放的氣氛。氫氣含量大于10%表示密封腔體內(nèi)部壓強(qiáng)較低。氫氣在水汽環(huán)境中非�；钴S，會(huì)生成更多混合氣氛。氫氣對(duì)砷化鎵微波器件的可靠性有明顯不良影響，應(yīng)嚴(yán)格控制。
(7)氦 氣
一般氦氣用作檢漏氣體。有氦氣存在并伴隨氟碳化合物、高含量的水汽、氧氣、氬氣，表示樣品存在漏氣現(xiàn)象。有時(shí)也用氮?dú)猓饣旌献鳛榉庋b氣體，氮?dú)夂繎?yīng)在78%以上。宇航級(jí)產(chǎn)品要求封口時(shí)，封人10%的氦氣。
(8)其他殘余氣氛
殘余氣氛如甲醇、乙醇、丙酮、甲苯等，通常是有機(jī)材料、殘余溶劑、殘余清洗劑等揮發(fā)出來的。封口前烘烤工藝的同，揮發(fā)釋放的氣體也不同。環(huán)氧材料在高溫下會(huì)產(chǎn)生氨氣(Ammonia)。這些殘余氣氛在高溫下逐漸分解，與水汽作用后形成高酸或高堿環(huán)境，對(duì)金屬部位產(chǎn)生腐蝕作用。
水汽等內(nèi)部殘余氣氛的狀況對(duì)電路的性能、壽命和可靠性影響很大，往往容易造成早期失效和性能劣化。主要表現(xiàn)在以下方面：造成內(nèi)部環(huán)境的污染、加速腐蝕作用、形成電路的短路或燒毀、電路參數(shù)漂移、低溫性能惡化等。
內(nèi)部氣氛測(cè)試的目的，是為了掌握樣品內(nèi)部水汽及其他氣氛的含量，以便分析樣品的質(zhì)量和可靠性。測(cè)試數(shù)據(jù)表中水汽及其他氣氛主要有：
(1)水 汽
任何密封電子元器件內(nèi)部都含有水汽。水汽有3個(gè)主要來源：①外殼漏氣部位滲入的水汽。樣品本身氣密性低或有泄漏，密封后空氣進(jìn)入。這種情況，會(huì)伴隨氧氣(Oxygen)和氬氣(Argon)，經(jīng)過檢漏后，會(huì)有氦氣(Helium)和氟碳化合物( Fluorocarbons)。②內(nèi)部排放的水汽。在物理參數(shù)如時(shí)間、溫度、壓力作用下發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)，產(chǎn)生水汽。腔體內(nèi)各種有機(jī)材料、陶瓷、金屬材料表面吸附的水汽和各種高分子粘結(jié)材料分子間隙中含有的各種氣體和水汽，隨時(shí)間和環(huán)境溫度的變化而不斷逸出。有些陶瓷和玻璃封裝，使用干燥空氣作封裝氣體，在高溫作用下，產(chǎn)生氧化反應(yīng)，出現(xiàn)大量的水汽和二氧化碳。③封蓋操作時(shí)，封口箱氣氛中的水汽。這部分水汽含量可能較少。
(2)氮 氣
氮?dú)馐潜匾膮?shù)。通常采用純氮?dú)庾鳛榉庋b保護(hù)氣體，氮?dú)夂繎?yīng)在99%以上。
(3)氧 氣
空氣中的氧氣含量大約在20%。但氧氣是一種易反應(yīng)的氣體，在高溫條件下，可能使內(nèi)部材料中碳?xì)浠衔镅趸徒饘俦砻嫜趸詰?yīng)控制氧含量�；旌想娐芬�(guī)范中未明確規(guī)定氧含量，但在半導(dǎo)體分立器件規(guī)范中規(guī)定了氧含量不允許超過lOOOppm。
(4)氬 氣
在純氮?dú)夥庋b的器件內(nèi)部氬氣含量應(yīng)該在500ppm以下，在干燥空氣中，氬氣的含量大約9340ppm。氬氣與氧氣的比例關(guān)系可作為判別樣品是否漏氣的參考依據(jù)之一。
(5)二氧化碳
通常二氧化碳是封裝內(nèi)部材料釋放或生成的，它可能是在溫度應(yīng)力作用下，樣品內(nèi)部材料中碳?xì)浠衔镅趸漠a(chǎn)物，二氧化碳的含量從lOOppm到幾個(gè)百分點(diǎn)。高含量=氧化碳和水汽，會(huì)對(duì)暴露的金屬化產(chǎn)生腐蝕。
(6)氫 氣
通常氫氣是低氣壓或封裝后電鍍層金屬表面釋放的氣氛。氫氣含量大于10%表示密封腔體內(nèi)部壓強(qiáng)較低。氫氣在水汽環(huán)境中非�；钴S，會(huì)生成更多混合氣氛。氫氣對(duì)砷化鎵微波器件的可靠性有明顯不良影響，應(yīng)嚴(yán)格控制。
(7)氦 氣
一般氦氣用作檢漏氣體。有氦氣存在并伴隨氟碳化合物、高含量的水汽、氧氣、氬氣，表示樣品存在漏氣現(xiàn)象。有時(shí)也用氮?dú)猓饣旌献鳛榉庋b氣體，氮?dú)夂繎?yīng)在78%以上。宇航級(jí)產(chǎn)品要求封口時(shí)，封人10%的氦氣。
(8)其他殘余氣氛
殘余氣氛如甲醇、乙醇、丙酮、甲苯等，通常是有機(jī)材料、殘余溶劑、殘余清洗劑等揮發(fā)出來的。封口前烘烤工藝的同，揮發(fā)釋放的氣體也不同。環(huán)氧材料在高溫下會(huì)產(chǎn)生氨氣(Ammonia)。這些殘余氣氛在高溫下逐漸分解，與水汽作用后形成高酸或高堿環(huán)境，對(duì)金屬部位產(chǎn)生腐蝕作用。
水汽等內(nèi)部殘余氣氛的狀況對(duì)電路的性能、壽命和可靠性影響很大，往往容易造成早期失效和性能劣化。主要表現(xiàn)在以下方面：造成內(nèi)部環(huán)境的污染、加速腐蝕作用、形成電路的短路或燒毀、電路參數(shù)漂移、低溫性能惡化等。
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