MOS集成電路中，介質(zhì)擊穿ACT355是破壞性的，MOS柵的氧化層一旦發(fā)生擊穿，器件就會失效。因此要采取一定的措施對接?xùn)诺妮斎攵思右员Ｗo。圖2.7給出了NMOS電路的幾種輸入保護形式。在圖2.7(a)中，在輸入端和地之間加一個反向的二極管，使其正向鉗位于B VD，反向鉗位于FVD，由于在輸入端和VDD，輸入端和輸出端之間都有兩個二極管——正負(fù)串聯(lián)，所以使它們兩端的電壓正反向都鉗位于F VD +B VD，從而保證了輸入端的安全；圖2.7(b)是一個柵源矩路的MOSFET輸入保護電路，是利用MOSFET的源漏擊穿進(jìn)行保護的；圖2.7(c)則利用MOS管漏襯P-N結(jié)調(diào)制擊穿進(jìn)行保護。

    圖2.8給出了CMOS電路的幾種保護形式，圖2.8(a)是利用二極管D進(jìn)行保護，對PMOS管的柵可以進(jìn)行良好的保護，但對于NMOS管的柵，只能通過由二極管D和阱P-N結(jié)的反相串聯(lián)所形成的P-N-P結(jié)加以保護，這就提高了擊穿電壓，所以對柵保護是不利的。圖2.8(b)和圖2.8(a)的情況類似，只是圖2.8(b)中對NMOS管的保護性能較好；圖2.8(c)利用電阻二極管進(jìn)行保護，其輸入正電位被鉗位在V DD+VF，負(fù)電位被鉗位在VSS- VF，保護電路中的電阻可以起良好的限流作用。