多數(shù)載流子保護環(huán)是通過減小多數(shù)載流子UT2301G電流產生電壓降來達到防止閉鎖效應發(fā)生作用的。因此，多數(shù)載流子保護環(huán)是向襯底材料中擴散相同類型雜質構成的。例如，N阱內擴散N+，或在P型襯底上擴散P+。從本質上說，多數(shù)載流子保護環(huán)是局部減小薄層電阻。
    多數(shù)載流子保護環(huán)的制作通常是在P阱外圍，擴散P+保護環(huán)，并接上低電位；而N型襯底上靠P阱處擴散N+環(huán)，并接上電源電位（如圖2. 59所示），其作用機理如下：假如橫向PNP管的發(fā)射結處于正向，向N襯底注入空穴（少子），被集電極
P阱)所收集，在P阱內就成為多數(shù)截流子，一旦到多子保護環(huán)，就流出去了。減小了多數(shù)載流子電流流到P阱襯底，這樣襯底電阻上的壓降就大為減小，縱向NPN管的發(fā)射結就不易形成正偏。同理，若縱向NPN管處于正偏，注入的流子流到N型襯底就成為N型襯底上的多數(shù)載流子，被多數(shù)載流子保護環(huán)收集，就大大減少了流到N型襯底少數(shù)載流子，從而降低了襯底上的電壓降，就減小了形成橫向PNP管發(fā)射結正偏的條件。

    多數(shù)載流子保護環(huán)多用于會受到瞬態(tài)上沖的I/O電路，例如，在P阱CMOS中，力了能完全控制閉鎖，在P阱內的NMOS管的I/O器件用接地的P+擴散包圍起來，在襯底內PMOS管的I/O器件以N+擴散包圍起來。同時，分別把P+保護環(huán)接地電位，N+保護環(huán)接電源，以固定它們本身的電位。
    對于N阱CMOS電路，也采取與P阱CMOS電路類似的措施，在N阱四周擴散N+環(huán)，而在P型襯底的NMOS管四周擴散P+環(huán)。
    輸入保護電路和輸出驅動級加有多數(shù)載流子保護環(huán)，這對于防止閉鎖效應是極為重要的。