ESD保護(hù)設(shè)計(jì)是一個(gè)系統(tǒng)D1616A工作并極為重要。它需要確定出復(fù)雜的多層次的耦合影響。同等重要的是認(rèn)識(shí)到ESD設(shè)計(jì)不是普遍適合的，即使在同一種工藝中也是如此。盡管混合模式的ESD模擬目前還不完美，而且還浪費(fèi)時(shí)間，但應(yīng)該用在先進(jìn)的ESD保護(hù)設(shè)計(jì)中，作為設(shè)計(jì)的輔助手段，并且在投片前的設(shè)計(jì)階段進(jìn)行預(yù)測(cè)。為了對(duì)電路進(jìn)行準(zhǔn)確的ESD預(yù)測(cè)，需要進(jìn)行許多方面的力，如精確的高電流ESD器件模型，幾何敏感的ESD器件模型，三維ESD模擬，以及全芯片級(jí)的ESD設(shè)計(jì)綜合、模擬和驗(yàn)證。
    小結(jié)
    本節(jié)介紹了集成電路在片ESD保護(hù)電路設(shè)計(jì)的進(jìn)展。內(nèi)容涉及ESD一設(shè)計(jì)的各個(gè)方面，如ESD測(cè)試模型、ESD失效機(jī)理、ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)、ESD器件模型、ESD模擬、ESD版圖設(shè)計(jì)、ESD電路的相互影響等。本節(jié)的目的是給實(shí)際的IC設(shè)計(jì)師在處理復(fù)雜ESD保護(hù)設(shè)計(jì)工作時(shí)提供一個(gè)全面的參考。在進(jìn)行CMOS集成電路設(shè)計(jì)時(shí)，ESD保護(hù)電路設(shè)計(jì)是非常重要的環(huán)節(jié)，下面列出的檢查清單是用來幫助IC設(shè)計(jì)者進(jìn)行成功的ESD保護(hù)設(shè)計(jì)的。
    ①理解ESD保護(hù)解決方案不是普適的，即使在相同工藝中也是如此。
    ②當(dāng)參考一個(gè)成功的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)時(shí)，確認(rèn)已經(jīng)理解它的工作原理。f)17個(gè)特定的電路可能大大影響ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)。    

    ③檢查確認(rèn)每一個(gè)管腳至少有一種ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)相連，決定采用全芯片的保護(hù)結(jié)構(gòu)，不包括自保護(hù)的輸出PAD。
    ④檢查確認(rèn)任何兩個(gè)PAD之間存在低阻抗的泄漏通道。
    ⑤按照采用的ESD測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，檢查確認(rèn)所設(shè)計(jì)的泄故通道可以實(shí)現(xiàn)不同極性ESD瞬態(tài)的泄放。
    ⑥對(duì)于任何ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)，精確地定義I-V特性參數(shù)，包括觸發(fā)點(diǎn)，保持點(diǎn)(Vh，Ih)和熱失效點(diǎn)。

    ⑦確認(rèn)Vt，設(shè)置到一個(gè)保險(xiǎn)的容限（比VDD高出50%），以預(yù)防被正常信號(hào)突然打開。
    ⑧檢查確認(rèn)Vh應(yīng)該足夠低，以避免柵氧的過應(yīng)力。
    ⑨對(duì)于多指型NMOS ESD結(jié)構(gòu)，檢查確認(rèn)以保證均勻打開。
    ⑩檢查確認(rèn)ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)對(duì)ESD脈沖的響應(yīng)足夠快，對(duì)于HBM，CDM或IEC模型，選tl≤f。