ESD工作
發(fā)布時間:2012/4/23 19:08:43 訪問次數(shù):1060
ESD保護設(shè)計是一個系統(tǒng)D1616A工作并極為重要。它需要確定出復雜的多層次的耦合影響。同等重要的是認識到ESD設(shè)計不是普遍適合的,即使在同一種工藝中也是如此。盡管混合模式的ESD模擬目前還不完美,而且還浪費時間,但應該用在先進的ESD保護設(shè)計中,作為設(shè)計的輔助手段,并且在投片前的設(shè)計階段進行預測。為了對電路進行準確的ESD預測,需要進行許多方面的力,如精確的高電流ESD器件模型,幾何敏感的ESD器件模型,三維ESD模擬,以及全芯片級的ESD設(shè)計綜合、模擬和驗證。
小結(jié)
本節(jié)介紹了集成電路在片ESD保護電路設(shè)計的進展。內(nèi)容涉及ESD一設(shè)計的各個方面,如ESD測試模型、ESD失效機理、ESD保護結(jié)構(gòu)、ESD器件模型、ESD模擬、ESD版圖設(shè)計、ESD電路的相互影響等。本節(jié)的目的是給實際的IC設(shè)計師在處理復雜ESD保護設(shè)計工作時提供一個全面的參考。在進行CMOS集成電路設(shè)計時,ESD保護電路設(shè)計是非常重要的環(huán)節(jié),下面列出的檢查清單是用來幫助IC設(shè)計者進行成功的ESD保護設(shè)計的。
①理解ESD保護解決方案不是普適的,即使在相同工藝中也是如此。
②當參考一個成功的ESD保護結(jié)構(gòu)時,確認已經(jīng)理解它的工作原理。f)17個特定的電路可能大大影響ESD保護結(jié)構(gòu)。
③檢查確認每一個管腳至少有一種ESD保護結(jié)構(gòu)相連,決定采用全芯片的保護結(jié)構(gòu),不包括自保護的輸出PAD。
④檢查確認任何兩個PAD之間存在低阻抗的泄漏通道。
⑤按照采用的ESD測試標準,檢查確認所設(shè)計的泄故通道可以實現(xiàn)不同極性ESD瞬態(tài)的泄放。
⑥對于任何ESD保護結(jié)構(gòu),精確地定義I-V特性參數(shù),包括觸發(fā)點,保持點(Vh,Ih)和熱失效點。
⑦確認Vt,設(shè)置到一個保險的容限(比VDD高出50%),以預防被正常信號突然打開。
⑧檢查確認Vh應該足夠低,以避免柵氧的過應力。
⑨對于多指型NMOS ESD結(jié)構(gòu),檢查確認以保證均勻打開。
⑩檢查確認ESD保護結(jié)構(gòu)對ESD脈沖的響應足夠快,對于HBM,CDM或IEC模型,選tl≤f。
ESD保護設(shè)計是一個系統(tǒng)D1616A工作并極為重要。它需要確定出復雜的多層次的耦合影響。同等重要的是認識到ESD設(shè)計不是普遍適合的,即使在同一種工藝中也是如此。盡管混合模式的ESD模擬目前還不完美,而且還浪費時間,但應該用在先進的ESD保護設(shè)計中,作為設(shè)計的輔助手段,并且在投片前的設(shè)計階段進行預測。為了對電路進行準確的ESD預測,需要進行許多方面的力,如精確的高電流ESD器件模型,幾何敏感的ESD器件模型,三維ESD模擬,以及全芯片級的ESD設(shè)計綜合、模擬和驗證。
小結(jié)
本節(jié)介紹了集成電路在片ESD保護電路設(shè)計的進展。內(nèi)容涉及ESD一設(shè)計的各個方面,如ESD測試模型、ESD失效機理、ESD保護結(jié)構(gòu)、ESD器件模型、ESD模擬、ESD版圖設(shè)計、ESD電路的相互影響等。本節(jié)的目的是給實際的IC設(shè)計師在處理復雜ESD保護設(shè)計工作時提供一個全面的參考。在進行CMOS集成電路設(shè)計時,ESD保護電路設(shè)計是非常重要的環(huán)節(jié),下面列出的檢查清單是用來幫助IC設(shè)計者進行成功的ESD保護設(shè)計的。
①理解ESD保護解決方案不是普適的,即使在相同工藝中也是如此。
②當參考一個成功的ESD保護結(jié)構(gòu)時,確認已經(jīng)理解它的工作原理。f)17個特定的電路可能大大影響ESD保護結(jié)構(gòu)。
③檢查確認每一個管腳至少有一種ESD保護結(jié)構(gòu)相連,決定采用全芯片的保護結(jié)構(gòu),不包括自保護的輸出PAD。
④檢查確認任何兩個PAD之間存在低阻抗的泄漏通道。
⑤按照采用的ESD測試標準,檢查確認所設(shè)計的泄故通道可以實現(xiàn)不同極性ESD瞬態(tài)的泄放。
⑥對于任何ESD保護結(jié)構(gòu),精確地定義I-V特性參數(shù),包括觸發(fā)點,保持點(Vh,Ih)和熱失效點。
⑦確認Vt,設(shè)置到一個保險的容限(比VDD高出50%),以預防被正常信號突然打開。
⑧檢查確認Vh應該足夠低,以避免柵氧的過應力。
⑨對于多指型NMOS ESD結(jié)構(gòu),檢查確認以保證均勻打開。
⑩檢查確認ESD保護結(jié)構(gòu)對ESD脈沖的響應足夠快,對于HBM,CDM或IEC模型,選tl≤f。
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