在現(xiàn)代ESD保護(hù)電路設(shè)計(jì)中，ESD與電路FS8205A的相互影響是非常復(fù)雜的，也是非常重要的，但又往往被忽略。另外一方面，盡管獨(dú)立的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)在電路中的寄生器件可能引起早期的ESD失效。這些ESD早期失效通常是由內(nèi)部核心電路的寄生器件所形成的微弱泄放通道所引起的，稱為電路對(duì)ESD的影響。另一方面，由ESD保護(hù)單元引起的不可避免的寄生效應(yīng)能大大影響電路的性能，這稱為ESD對(duì)電路的相互影響。典型的ESD對(duì)電路的影響包括ESD誘發(fā)的RC延遲和額外的噪聲（ESD耦合噪聲和ESD自產(chǎn)生噪聲）。這些相互影響對(duì)于射頻集成電路和其他高速、高密度VDSM來說是無法忍受的。所以對(duì)于先進(jìn)的IC慈片，希望探索新穎緊湊的ESD保護(hù)方案。研究表明，采用0.18tim工藝的高速運(yùn)算放大器電路中采用通常NMOS ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)，其性能退化30%，而采用緊湊型ESD結(jié)構(gòu)能夠修復(fù)性能退化的80%，如表2.6所示。研究還表明，使用大NMOS ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)，由于ESD自身產(chǎn)生的噪聲，高性能LNA的噪聲性能(figure)增加4.5%，當(dāng)采用緊湊型iESD保護(hù)結(jié)構(gòu)時(shí)，在不影響ESD性能的情況下，其噪聲性能減小到僅僅0. 6%，如表2.7所示。