小結(jié)
發(fā)布時間:2012/4/23 19:29:48 訪問次數(shù):428
高性能的電子系統(tǒng)要求VLSI能長期OV5642可靠的工作,使得原來意義上的“IC設(shè)計”發(fā)展成為“IC性能設(shè)計”和“IC可靠性設(shè)計”兩部分。而后一部分顯得越來越重要。IC可靠性設(shè)計的基礎(chǔ)是可靠性模型的建立和可靠性模擬技術(shù)的研究。IC的可靠性建模與模擬已成為IC設(shè)計、IC可靠性研究的新課題和重要分支。
在研究開發(fā)集成電路可靠性模擬器方面已做了大量工作,其目的是在適當(dāng)?shù)腃PU時間內(nèi)模擬集成電路的可靠性,以使“性能設(shè)計”和“可靠性設(shè)計”能同步進行?煽啃阅P捅仨毢唵,但又必須精確、通用,既能給出電路的主要可靠性弱點,又能在任何時候都能預(yù)測電路的可靠性。已引入的可靠性模型有熱載流子效應(yīng)、時間決定的介質(zhì)擊穿、電遷移、雙極晶體管退化等。為了減少模擬時間,電遷移和二氧化硅擊穿都采用統(tǒng)計模型。
理想的可靠性模擬系統(tǒng)應(yīng)包括所有的失效機理,能在大范圍內(nèi)對各種器件和電路,在設(shè)計階段就預(yù)測出其可靠性,并進行設(shè)計和工藝的優(yōu)化。
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高性能的電子系統(tǒng)要求VLSI能長期OV5642可靠的工作,使得原來意義上的“IC設(shè)計”發(fā)展成為“IC性能設(shè)計”和“IC可靠性設(shè)計”兩部分。而后一部分顯得越來越重要。IC可靠性設(shè)計的基礎(chǔ)是可靠性模型的建立和可靠性模擬技術(shù)的研究。IC的可靠性建模與模擬已成為IC設(shè)計、IC可靠性研究的新課題和重要分支。
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