晶閘管效應(yīng)又稱(chēng)閉鎖或BCM5338MKQMG鎖定效應(yīng)，這種效應(yīng)是CMOS電路中固有的。因?yàn)镃MOS電路結(jié)構(gòu)中存在著固有的寄生雙極型NPN和PNP晶體管，這些晶體管會(huì)被許多方式所激活，形成晶閘管，產(chǎn)生閉鎖效應(yīng)。隨著CMOS工藝尺寸的按比例縮小和電路延遲時(shí)間的縮短，各種引起激活的因素將會(huì)逐漸增強(qiáng)，如何從加工工藝和版圖設(shè)計(jì)上采取措施防止和避免閉鎖效應(yīng)就成為至關(guān)重要的問(wèn)題。匹壘產(chǎn)生閉鎖效應(yīng)的機(jī)理。
    所謂閉鎖效應(yīng)，是指由于電路的輸入端或輸出端輸入外來(lái)的噪聲電壓，而導(dǎo)致寄生的雙極型管形成晶閘管導(dǎo)通，所引起的從電源到地之間流過(guò)大電流的現(xiàn)象，這種驟然增大的電流會(huì)將電路燒壞。不論是P阱，還是N阱CMOS電路結(jié)構(gòu)，都天然地存在著寄生的縱向和橫向的雙極型管。我們以N阱CMOS倒相器為例來(lái)討論產(chǎn)生閉鎖效應(yīng)的機(jī)理。

             
    圖2. 53給出N阱CMOS倒相器的截面圖。圖中有兩個(gè)縱向的PNP管(LQi、LQz)和兩個(gè)橫向NPN管。N阱既是每個(gè)縱向PNP管的基區(qū)，又是每個(gè)橫向NPN管的集電區(qū)。同樣，墅襯底既是橫向NPN管的基區(qū)，又是縱向PNP管的集電區(qū)。N阱和P襯底都存在有分布電阻。Rwi是縱向PNP管源與電源之間的電阻，是橫向NPN管源與P型襯底之間的電阻，Rw。是兩個(gè)縱向PNP管基極之間的電阻，Rw。和Rw。是縱向PNP管基極到橫向NPN管集電極之間的電阻，分別為P型襯底的體電阻和橫向NPN基極到縱向PNP管集電極之間的電阻。