進(jìn)行集成電路可靠性模擬的目的是MFI341S2162為了在設(shè)計(jì)階段就能對集成電路的可靠性有一個(gè)基本的評價(jià)，以優(yōu)化設(shè)計(jì)，提高集成電路的可靠性。通常用“環(huán)形振蕩器頻率的變化（與未加應(yīng)力前相比）來作為電路老化后性能的判別標(biāo)準(zhǔn)。圖2. 50給出了125級CMOS環(huán)形振蕩器的CAS模擬結(jié)果。有效溝道長度為0.5ym，扇出-1，老化電壓VDD為5.9 V，未老化時(shí)頻率為41 MHz。由圖2.50可以看出，在高電源電壓下，環(huán)形振蕩器的頻率變化率很小，這是因?yàn)樵诘吐〾汉蜄艍合�，漏電流的退化率大，還可以看出，在三種電壓下，模擬結(jié)果和實(shí)驗(yàn)結(jié)果吻合良好。

    Lee等第一次提出了簡單的經(jīng)驗(yàn)準(zhǔn)則，將分立器件的退化轉(zhuǎn)化成反偏CMOS VLSI電路性能退化。Leblebici等[18]也研究了電路參數(shù)如輸入上升時(shí)間，電容、器件尺寸與熱載流子損傷的關(guān)系，并提出了NMOSFETS的宏模型。Quaders3等給出了一系列熱載流子可靠性設(shè)計(jì)準(zhǔn)則，提出了將器件級的退化轉(zhuǎn)化成CMOS電路壽命的一般準(zhǔn)確。該設(shè)計(jì)準(zhǔn)則的核心是引入壽命因子（定義為最壞DC應(yīng)力與AC應(yīng)力之比）的概念，包括PMOSFET和NMOSFET兩種模型，能夠用來快速估計(jì)CMOS電路的壽命。