寄生晶閘管觸發(fā)的條件
發(fā)布時間:2012/4/23 19:35:31 訪問次數(shù):907
從上述的討論，可以歸納STK1262如下三個觸發(fā)條件：
①寄生縱向雙極型管或橫向的雙極型管任何一個發(fā)射結(jié)因外來干擾信號獲得正偏，就有可能使晶閘管觸發(fā)。
②若兩個寄生的雙極型管的共發(fā)射極電流放大系數(shù)≥1，則寄生晶閘管就會觸發(fā)，形成正反饋。
③電源能提供的電流應等于或大于寄生晶閘管觸發(fā)的維持電流。
寄生晶閘管閉鎖效應的發(fā)生必須同時滿足上述的三個條件，缺一不可。
MOS倒相器的閉鎖現(xiàn)象主要來自輸出端與電源或地之間，它是瞬時電壓引起的。
CMOS傳輸門和門電路都可畫出同倒相器相類似的等效電路。
CMOS IC中的閉鎖效應其產(chǎn)生的機理較為復雜，上述的論述僅是主要的機理，更詳細的可參考專門的論著。本書主要討論如何防止閉鎖效應的產(chǎn)生。
①寄生縱向雙極型管或橫向的雙極型管任何一個發(fā)射結(jié)因外來干擾信號獲得正偏，就有可能使晶閘管觸發(fā)。
②若兩個寄生的雙極型管的共發(fā)射極電流放大系數(shù)≥1，則寄生晶閘管就會觸發(fā)，形成正反饋。
③電源能提供的電流應等于或大于寄生晶閘管觸發(fā)的維持電流。
寄生晶閘管閉鎖效應的發(fā)生必須同時滿足上述的三個條件，缺一不可。
MOS倒相器的閉鎖現(xiàn)象主要來自輸出端與電源或地之間，它是瞬時電壓引起的。
CMOS傳輸門和門電路都可畫出同倒相器相類似的等效電路。
CMOS IC中的閉鎖效應其產(chǎn)生的機理較為復雜，上述的論述僅是主要的機理，更詳細的可參考專門的論著。本書主要討論如何防止閉鎖效應的產(chǎn)生。
從上述的討論，可以歸納STK1262如下三個觸發(fā)條件：
①寄生縱向雙極型管或橫向的雙極型管任何一個發(fā)射結(jié)因外來干擾信號獲得正偏，就有可能使晶閘管觸發(fā)。
②若兩個寄生的雙極型管的共發(fā)射極電流放大系數(shù)≥1，則寄生晶閘管就會觸發(fā)，形成正反饋。
③電源能提供的電流應等于或大于寄生晶閘管觸發(fā)的維持電流。
寄生晶閘管閉鎖效應的發(fā)生必須同時滿足上述的三個條件，缺一不可。
MOS倒相器的閉鎖現(xiàn)象主要來自輸出端與電源或地之間，它是瞬時電壓引起的。
CMOS傳輸門和門電路都可畫出同倒相器相類似的等效電路。
CMOS IC中的閉鎖效應其產(chǎn)生的機理較為復雜，上述的論述僅是主要的機理，更詳細的可參考專門的論著。本書主要討論如何防止閉鎖效應的產(chǎn)生。
①寄生縱向雙極型管或橫向的雙極型管任何一個發(fā)射結(jié)因外來干擾信號獲得正偏，就有可能使晶閘管觸發(fā)。
②若兩個寄生的雙極型管的共發(fā)射極電流放大系數(shù)≥1，則寄生晶閘管就會觸發(fā)，形成正反饋。
③電源能提供的電流應等于或大于寄生晶閘管觸發(fā)的維持電流。
寄生晶閘管閉鎖效應的發(fā)生必須同時滿足上述的三個條件，缺一不可。
MOS倒相器的閉鎖現(xiàn)象主要來自輸出端與電源或地之間，它是瞬時電壓引起的。
CMOS傳輸門和門電路都可畫出同倒相器相類似的等效電路。
CMOS IC中的閉鎖效應其產(chǎn)生的機理較為復雜，上述的論述僅是主要的機理，更詳細的可參考專門的論著。本書主要討論如何防止閉鎖效應的產(chǎn)生。
上一篇：晶閘管效應
上一篇：防止晶閘管（閉鎖）效應的措施
相關技術資料- 4-23寄生晶閘管觸發(fā)的條件
熱門點擊
- GAFT和TopDisc
- DSWare
- 功率控制技術
- 產(chǎn)品的質(zhì)量保證等級
- ZigBee協(xié)議棧
- 引線鍵合失效
- 無線傳感器網(wǎng)絡安全防護技術
- 無線傳感器網(wǎng)絡安全問題概述
- 焊接方法
- BiMOS集成電路
推薦技術資料
- 泰克新發(fā)布的DSA830
- 泰克新發(fā)布的DSA8300在一臺儀器中同時實現(xiàn)時域和頻域分析，DS... [詳細]
公網(wǎng)安備44030402000607
