降額設計
發(fā)布時間:2012/4/25 19:48:09 訪問次數(shù):2110
該產(chǎn)品電路設計中，對電子元器件的工作CY7C63413C-PVXC電壓、功耗等均作了大量的降額設計的考慮。如集成運放最大允許電壓為±17.5V，設計中除前端一個四運放使用±15V外，其余三個四運放均采用±5V供電，使用電壓分別為最大允許電壓的86%和29%；其余集成芯片最大允許電壓均為±7.5V，而采用工作電壓為±5V即為最大允許電壓的67%；晶體管允許電壓為25V，而工作電壓為5V，降壓至允許電壓的20%；電容器的額定電壓為50V，而實際工作電壓均在10V以下；厚膜電阻器功耗均在額定功耗的20%以下，有效地保證電子元器件的可靠性。
參數(shù)優(yōu)化設計
產(chǎn)品研制過程中，運用參數(shù)優(yōu)化設計控制了設計質(zhì)量。尤其對精度和跟蹤速度兩個重要指標，為保證在全溫范圍內(nèi)的可靠穩(wěn)定，進行了優(yōu)化設計。如對影響精度的輸入電路、精密電阻網(wǎng)絡進行仿真設計，劃定合理的誤差分配，通過參數(shù)優(yōu)化設計為確保精度指標保留了充分的余量。如對跟蹤速率，產(chǎn)品要求最高的跟蹤速率指標折算成壓控振蕩器自動頻卒為某值，設計時將壓控振蕩器的頻率指標設計為遠大于該值，留有相當大的參數(shù)余量。參數(shù)設計中還應用EDA仿真工具，進一
步實施了參數(shù)優(yōu)化和容差設計。
熱設計
該產(chǎn)品屬低功耗器件，最大功耗約1. 4W。在專用lC設計上，盡量選用CMOS工藝，以進一步降低功耗。對主要熱源如內(nèi)部-5V電源、壓控振蕩器電路還進行了熱設計仿真，減少對精密電路部分的影響，進一步提高可靠性。
通過上述可靠性技術的應用，該產(chǎn)品達到了協(xié)議書中的可靠性指標，滿足了用戶需要。
參數(shù)優(yōu)化設計
產(chǎn)品研制過程中，運用參數(shù)優(yōu)化設計控制了設計質(zhì)量。尤其對精度和跟蹤速度兩個重要指標，為保證在全溫范圍內(nèi)的可靠穩(wěn)定，進行了優(yōu)化設計。如對影響精度的輸入電路、精密電阻網(wǎng)絡進行仿真設計，劃定合理的誤差分配，通過參數(shù)優(yōu)化設計為確保精度指標保留了充分的余量。如對跟蹤速率，產(chǎn)品要求最高的跟蹤速率指標折算成壓控振蕩器自動頻卒為某值，設計時將壓控振蕩器的頻率指標設計為遠大于該值，留有相當大的參數(shù)余量。參數(shù)設計中還應用EDA仿真工具，進一
步實施了參數(shù)優(yōu)化和容差設計。
熱設計
該產(chǎn)品屬低功耗器件，最大功耗約1. 4W。在專用lC設計上，盡量選用CMOS工藝，以進一步降低功耗。對主要熱源如內(nèi)部-5V電源、壓控振蕩器電路還進行了熱設計仿真，減少對精密電路部分的影響，進一步提高可靠性。
通過上述可靠性技術的應用，該產(chǎn)品達到了協(xié)議書中的可靠性指標，滿足了用戶需要。
該產(chǎn)品電路設計中，對電子元器件的工作CY7C63413C-PVXC電壓、功耗等均作了大量的降額設計的考慮。如集成運放最大允許電壓為±17.5V，設計中除前端一個四運放使用±15V外，其余三個四運放均采用±5V供電，使用電壓分別為最大允許電壓的86%和29%；其余集成芯片最大允許電壓均為±7.5V，而采用工作電壓為±5V即為最大允許電壓的67%；晶體管允許電壓為25V，而工作電壓為5V，降壓至允許電壓的20%；電容器的額定電壓為50V，而實際工作電壓均在10V以下；厚膜電阻器功耗均在額定功耗的20%以下，有效地保證電子元器件的可靠性。
參數(shù)優(yōu)化設計
產(chǎn)品研制過程中，運用參數(shù)優(yōu)化設計控制了設計質(zhì)量。尤其對精度和跟蹤速度兩個重要指標，為保證在全溫范圍內(nèi)的可靠穩(wěn)定，進行了優(yōu)化設計。如對影響精度的輸入電路、精密電阻網(wǎng)絡進行仿真設計，劃定合理的誤差分配，通過參數(shù)優(yōu)化設計為確保精度指標保留了充分的余量。如對跟蹤速率，產(chǎn)品要求最高的跟蹤速率指標折算成壓控振蕩器自動頻卒為某值，設計時將壓控振蕩器的頻率指標設計為遠大于該值，留有相當大的參數(shù)余量。參數(shù)設計中還應用EDA仿真工具，進一
步實施了參數(shù)優(yōu)化和容差設計。
熱設計
該產(chǎn)品屬低功耗器件，最大功耗約1. 4W。在專用lC設計上，盡量選用CMOS工藝，以進一步降低功耗。對主要熱源如內(nèi)部-5V電源、壓控振蕩器電路還進行了熱設計仿真，減少對精密電路部分的影響，進一步提高可靠性。
通過上述可靠性技術的應用，該產(chǎn)品達到了協(xié)議書中的可靠性指標，滿足了用戶需要。
參數(shù)優(yōu)化設計
產(chǎn)品研制過程中，運用參數(shù)優(yōu)化設計控制了設計質(zhì)量。尤其對精度和跟蹤速度兩個重要指標，為保證在全溫范圍內(nèi)的可靠穩(wěn)定，進行了優(yōu)化設計。如對影響精度的輸入電路、精密電阻網(wǎng)絡進行仿真設計，劃定合理的誤差分配，通過參數(shù)優(yōu)化設計為確保精度指標保留了充分的余量。如對跟蹤速率，產(chǎn)品要求最高的跟蹤速率指標折算成壓控振蕩器自動頻卒為某值，設計時將壓控振蕩器的頻率指標設計為遠大于該值，留有相當大的參數(shù)余量。參數(shù)設計中還應用EDA仿真工具，進一
步實施了參數(shù)優(yōu)化和容差設計。
熱設計
該產(chǎn)品屬低功耗器件，最大功耗約1. 4W。在專用lC設計上，盡量選用CMOS工藝，以進一步降低功耗。對主要熱源如內(nèi)部-5V電源、壓控振蕩器電路還進行了熱設計仿真，減少對精密電路部分的影響，進一步提高可靠性。
通過上述可靠性技術的應用，該產(chǎn)品達到了協(xié)議書中的可靠性指標，滿足了用戶需要。
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