SCR ESD器件
發(fā)布時(shí)間:2012/4/22 16:34:51 訪問(wèn)次數(shù):3054
由于SCR器件具有深snapback卜V特性,所以可以MP1410作為極好的ESD保護(hù)器件。圖2. 27和圖2.28分別給出了一個(gè)典型的SCR截面圖和等效電路。當(dāng)ESD脈沖在陽(yáng)極A端出現(xiàn),通過(guò)K端泄放時(shí),ESD脈沖首先擊穿縱向PN( Q1)的BC結(jié),所產(chǎn)生的空穴通過(guò)寄生襯底電阻R。。。流動(dòng),從而使橫向NPN Qz的VBE增加,直到將它打開(kāi),從而觸發(fā)SCR,形成低阻抗的有效通道,泄放ESD電流,同時(shí)低的保持電壓將A PAD鉗位到一個(gè)安全的電平,以防止任何ESD損害。SCR是非常有效的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu),由于它具有較強(qiáng)的電流保持能力,所以它所占用面積很小。但是需要仔細(xì)設(shè)計(jì)以預(yù)防可能的latch-up效應(yīng)。例如,它的保持電流必須設(shè)計(jì)得比芯片上的其他電流高。需要采用適當(dāng)隔離的雙保護(hù)環(huán)和布局,以預(yù)防早期觸發(fā)。SCR還有一個(gè)缺點(diǎn),即在相反方向的ESD保護(hù)是靠寄生二極管來(lái)完成的,這樣就使許多高壓和混合信號(hào)集成電路的性能下降。
由于SCR器件具有深snapback卜V特性,所以可以MP1410作為極好的ESD保護(hù)器件。圖2. 27和圖2.28分別給出了一個(gè)典型的SCR截面圖和等效電路。當(dāng)ESD脈沖在陽(yáng)極A端出現(xiàn),通過(guò)K端泄放時(shí),ESD脈沖首先擊穿縱向PN( Q1)的BC結(jié),所產(chǎn)生的空穴通過(guò)寄生襯底電阻R。。。流動(dòng),從而使橫向NPN Qz的VBE增加,直到將它打開(kāi),從而觸發(fā)SCR,形成低阻抗的有效通道,泄放ESD電流,同時(shí)低的保持電壓將A PAD鉗位到一個(gè)安全的電平,以防止任何ESD損害。SCR是非常有效的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu),由于它具有較強(qiáng)的電流保持能力,所以它所占用面積很小。但是需要仔細(xì)設(shè)計(jì)以預(yù)防可能的latch-up效應(yīng)。例如,它的保持電流必須設(shè)計(jì)得比芯片上的其他電流高。需要采用適當(dāng)隔離的雙保護(hù)環(huán)和布局,以預(yù)防早期觸發(fā)。SCR還有一個(gè)缺點(diǎn),即在相反方向的ESD保護(hù)是靠寄生二極管來(lái)完成的,這樣就使許多高壓和混合信號(hào)集成電路的性能下降。
熱門點(diǎn)擊
- TPSN協(xié)議
- RBS協(xié)議
- ZigBee的主要特征
- DFuse
- SCR ESD器件
- 機(jī)械應(yīng)力對(duì)電子元器件可靠性影響分析
- DV-HOP定位方法
- 節(jié)點(diǎn)電路原理圖
- 射頻通信技術(shù)
- 降額設(shè)計(jì)
推薦技術(shù)資料
- 驅(qū)動(dòng)板的原理分析
- 先來(lái)看看原理圖。圖8所示為底板及其驅(qū)動(dòng)示意圖,F(xiàn)M08... [詳細(xì)]
- 高速功耗比 (2.5MHz)
- 32 位微控制器 (MCU)&
- 微控制器RA Arm Cortex-M MC
- 32MHz Arm Cortex-M23 超
- RA2T1 系列微控制器
- CNC(計(jì)算機(jī)數(shù)控)和制造機(jī)械系統(tǒng)應(yīng)用探究
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究