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SCR ESD器件

發(fā)布時(shí)間:2012/4/22 16:34:51 訪問(wèn)次數(shù):3054

    由于SCR器件具有深snapback卜V特性,所以可以MP1410作為極好的ESD保護(hù)器件。圖2. 27和圖2.28分別給出了一個(gè)典型的SCR截面圖和等效電路。當(dāng)ESD脈沖在陽(yáng)極A端出現(xiàn),通過(guò)K端泄放時(shí),ESD脈沖首先擊穿縱向PN( Q1)的BC結(jié),所產(chǎn)生的空穴通過(guò)寄生襯底電阻R。。。流動(dòng),從而使橫向NPN Qz的VBE增加,直到將它打開(kāi),從而觸發(fā)SCR,形成低阻抗的有效通道,泄放ESD電流,同時(shí)低的保持電壓將A PAD鉗位到一個(gè)安全的電平,以防止任何ESD損害。SCR是非常有效的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu),由于它具有較強(qiáng)的電流保持能力,所以它所占用面積很小。但是需要仔細(xì)設(shè)計(jì)以預(yù)防可能的latch-up效應(yīng)。例如,它的保持電流必須設(shè)計(jì)得比芯片上的其他電流高。需要采用適當(dāng)隔離的雙保護(hù)環(huán)和布局,以預(yù)防早期觸發(fā)。SCR還有一個(gè)缺點(diǎn),即在相反方向的ESD保護(hù)是靠寄生二極管來(lái)完成的,這樣就使許多高壓和混合信號(hào)集成電路的性能下降。

                        

    由于SCR器件具有深snapback卜V特性,所以可以MP1410作為極好的ESD保護(hù)器件。圖2. 27和圖2.28分別給出了一個(gè)典型的SCR截面圖和等效電路。當(dāng)ESD脈沖在陽(yáng)極A端出現(xiàn),通過(guò)K端泄放時(shí),ESD脈沖首先擊穿縱向PN( Q1)的BC結(jié),所產(chǎn)生的空穴通過(guò)寄生襯底電阻R。。。流動(dòng),從而使橫向NPN Qz的VBE增加,直到將它打開(kāi),從而觸發(fā)SCR,形成低阻抗的有效通道,泄放ESD電流,同時(shí)低的保持電壓將A PAD鉗位到一個(gè)安全的電平,以防止任何ESD損害。SCR是非常有效的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu),由于它具有較強(qiáng)的電流保持能力,所以它所占用面積很小。但是需要仔細(xì)設(shè)計(jì)以預(yù)防可能的latch-up效應(yīng)。例如,它的保持電流必須設(shè)計(jì)得比芯片上的其他電流高。需要采用適當(dāng)隔離的雙保護(hù)環(huán)和布局,以預(yù)防早期觸發(fā)。SCR還有一個(gè)缺點(diǎn),即在相反方向的ESD保護(hù)是靠寄生二極管來(lái)完成的,這樣就使許多高壓和混合信號(hào)集成電路的性能下降。

                        

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