SCR ESD器件
發(fā)布時間:2012/4/22 16:34:51 訪問次數(shù):3031
由于SCR器件具有深snapback卜V特性,所以可以MP1410作為極好的ESD保護(hù)器件。圖2. 27和圖2.28分別給出了一個典型的SCR截面圖和等效電路。當(dāng)ESD脈沖在陽極A端出現(xiàn),通過K端泄放時,ESD脈沖首先擊穿縱向PN( Q1)的BC結(jié),所產(chǎn)生的空穴通過寄生襯底電阻R。。。流動,從而使橫向NPN Qz的VBE增加,直到將它打開,從而觸發(fā)SCR,形成低阻抗的有效通道,泄放ESD電流,同時低的保持電壓將A PAD鉗位到一個安全的電平,以防止任何ESD損害。SCR是非常有效的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu),由于它具有較強的電流保持能力,所以它所占用面積很小。但是需要仔細(xì)設(shè)計以預(yù)防可能的latch-up效應(yīng)。例如,它的保持電流必須設(shè)計得比芯片上的其他電流高。需要采用適當(dāng)隔離的雙保護(hù)環(huán)和布局,以預(yù)防早期觸發(fā)。SCR還有一個缺點,即在相反方向的ESD保護(hù)是靠寄生二極管來完成的,這樣就使許多高壓和混合信號集成電路的性能下降。
由于SCR器件具有深snapback卜V特性,所以可以MP1410作為極好的ESD保護(hù)器件。圖2. 27和圖2.28分別給出了一個典型的SCR截面圖和等效電路。當(dāng)ESD脈沖在陽極A端出現(xiàn),通過K端泄放時,ESD脈沖首先擊穿縱向PN( Q1)的BC結(jié),所產(chǎn)生的空穴通過寄生襯底電阻R。。。流動,從而使橫向NPN Qz的VBE增加,直到將它打開,從而觸發(fā)SCR,形成低阻抗的有效通道,泄放ESD電流,同時低的保持電壓將A PAD鉗位到一個安全的電平,以防止任何ESD損害。SCR是非常有效的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu),由于它具有較強的電流保持能力,所以它所占用面積很小。但是需要仔細(xì)設(shè)計以預(yù)防可能的latch-up效應(yīng)。例如,它的保持電流必須設(shè)計得比芯片上的其他電流高。需要采用適當(dāng)隔離的雙保護(hù)環(huán)和布局,以預(yù)防早期觸發(fā)。SCR還有一個缺點,即在相反方向的ESD保護(hù)是靠寄生二極管來完成的,這樣就使許多高壓和混合信號集成電路的性能下降。
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