S102薄膜的擊穿機(jī)理
發(fā)布時(shí)間:2012/4/27 19:22:00 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):917
①本征擊穿：外電場(chǎng)超過(guò)介SG6742MRSY質(zhì)材料的介電強(qiáng)度引起擊穿。
②非本征擊穿：介質(zhì)中存在微裂縫、氣孔、灰塵、纖維絲等疵點(diǎn)，由氣體放電、等離子體、電弧、電熱分解等引起擊穿。
③自愈擊穿：擊穿產(chǎn)生的熱量將擊穿點(diǎn)處的Al蒸發(fā)。
④毀壞擊穿：Al在擊穿侵入Si0：層中，使Al-Si連通。
實(shí)驗(yàn)證明，毀壞擊穿多數(shù)發(fā)生在電場(chǎng)強(qiáng)度E≈2×l06V／CIlfl和E≈8×l06 V／cm二個(gè)峰，故可利用上述機(jī)理對(duì)Si0：薄膜進(jìn)行電老化篩選，去除有疵點(diǎn)的Si0。膜（芯片）。
⑤S102雪扇擊穿：碰撞電離E。=9eV。
⑥臨界電場(chǎng)強(qiáng)度：6.1×l07 V／cm，F(xiàn)owler-nordheim隧道擊穿，其擊穿電場(chǎng)較低，為(1～9)×l06 V／cm，對(duì)Al電極，擊穿電場(chǎng)為(1±0.2)×10，V／cm。
當(dāng)Al電極厚度<1000A時(shí)，多數(shù)發(fā)生自愈擊穿，Si0。中存在Na+、H+時(shí)，擊穿電場(chǎng)降低。當(dāng)Al-S102界面有凸起發(fā)生(10～100A)時(shí)，在凸起處，電場(chǎng)集中，Al膜中電子有足夠能量穿透Al-Si0。勢(shì)壘(3. leV)，進(jìn)入Si0。形成隧道擊穿，擊穿點(diǎn)直
徑僅幾十安培，電流密度為l04 A/cm2。
②非本征擊穿：介質(zhì)中存在微裂縫、氣孔、灰塵、纖維絲等疵點(diǎn)，由氣體放電、等離子體、電弧、電熱分解等引起擊穿。
③自愈擊穿：擊穿產(chǎn)生的熱量將擊穿點(diǎn)處的Al蒸發(fā)。
④毀壞擊穿：Al在擊穿侵入Si0：層中，使Al-Si連通。
實(shí)驗(yàn)證明，毀壞擊穿多數(shù)發(fā)生在電場(chǎng)強(qiáng)度E≈2×l06V／CIlfl和E≈8×l06 V／cm二個(gè)峰，故可利用上述機(jī)理對(duì)Si0：薄膜進(jìn)行電老化篩選，去除有疵點(diǎn)的Si0。膜（芯片）。
⑤S102雪扇擊穿：碰撞電離E。=9eV。
⑥臨界電場(chǎng)強(qiáng)度：6.1×l07 V／cm，F(xiàn)owler-nordheim隧道擊穿，其擊穿電場(chǎng)較低，為(1～9)×l06 V／cm，對(duì)Al電極，擊穿電場(chǎng)為(1±0.2)×10，V／cm。
當(dāng)Al電極厚度<1000A時(shí)，多數(shù)發(fā)生自愈擊穿，Si0。中存在Na+、H+時(shí)，擊穿電場(chǎng)降低。當(dāng)Al-S102界面有凸起發(fā)生(10～100A)時(shí)，在凸起處，電場(chǎng)集中，Al膜中電子有足夠能量穿透Al-Si0。勢(shì)壘(3. leV)，進(jìn)入Si0。形成隧道擊穿，擊穿點(diǎn)直
徑僅幾十安培，電流密度為l04 A/cm2。
①本征擊穿：外電場(chǎng)超過(guò)介SG6742MRSY質(zhì)材料的介電強(qiáng)度引起擊穿。
②非本征擊穿：介質(zhì)中存在微裂縫、氣孔、灰塵、纖維絲等疵點(diǎn)，由氣體放電、等離子體、電弧、電熱分解等引起擊穿。
③自愈擊穿：擊穿產(chǎn)生的熱量將擊穿點(diǎn)處的Al蒸發(fā)。
④毀壞擊穿：Al在擊穿侵入Si0：層中，使Al-Si連通。
實(shí)驗(yàn)證明，毀壞擊穿多數(shù)發(fā)生在電場(chǎng)強(qiáng)度E≈2×l06V／CIlfl和E≈8×l06 V／cm二個(gè)峰，故可利用上述機(jī)理對(duì)Si0：薄膜進(jìn)行電老化篩選，去除有疵點(diǎn)的Si0。膜（芯片）。
⑤S102雪扇擊穿：碰撞電離E。=9eV。
⑥臨界電場(chǎng)強(qiáng)度：6.1×l07 V／cm，F(xiàn)owler-nordheim隧道擊穿，其擊穿電場(chǎng)較低，為(1～9)×l06 V／cm，對(duì)Al電極，擊穿電場(chǎng)為(1±0.2)×10，V／cm。
當(dāng)Al電極厚度<1000A時(shí)，多數(shù)發(fā)生自愈擊穿，Si0。中存在Na+、H+時(shí)，擊穿電場(chǎng)降低。當(dāng)Al-S102界面有凸起發(fā)生(10～100A)時(shí)，在凸起處，電場(chǎng)集中，Al膜中電子有足夠能量穿透Al-Si0。勢(shì)壘(3. leV)，進(jìn)入Si0。形成隧道擊穿，擊穿點(diǎn)直
徑僅幾十安培，電流密度為l04 A/cm2。
②非本征擊穿：介質(zhì)中存在微裂縫、氣孔、灰塵、纖維絲等疵點(diǎn)，由氣體放電、等離子體、電弧、電熱分解等引起擊穿。
③自愈擊穿：擊穿產(chǎn)生的熱量將擊穿點(diǎn)處的Al蒸發(fā)。
④毀壞擊穿：Al在擊穿侵入Si0：層中，使Al-Si連通。
實(shí)驗(yàn)證明，毀壞擊穿多數(shù)發(fā)生在電場(chǎng)強(qiáng)度E≈2×l06V／CIlfl和E≈8×l06 V／cm二個(gè)峰，故可利用上述機(jī)理對(duì)Si0：薄膜進(jìn)行電老化篩選，去除有疵點(diǎn)的Si0。膜（芯片）。
⑤S102雪扇擊穿：碰撞電離E。=9eV。
⑥臨界電場(chǎng)強(qiáng)度：6.1×l07 V／cm，F(xiàn)owler-nordheim隧道擊穿，其擊穿電場(chǎng)較低，為(1～9)×l06 V／cm，對(duì)Al電極，擊穿電場(chǎng)為(1±0.2)×10，V／cm。
當(dāng)Al電極厚度<1000A時(shí)，多數(shù)發(fā)生自愈擊穿，Si0。中存在Na+、H+時(shí)，擊穿電場(chǎng)降低。當(dāng)Al-S102界面有凸起發(fā)生(10～100A)時(shí)，在凸起處，電場(chǎng)集中，Al膜中電子有足夠能量穿透Al-Si0。勢(shì)壘(3. leV)，進(jìn)入Si0。形成隧道擊穿，擊穿點(diǎn)直
徑僅幾十安培，電流密度為l04 A/cm2。
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