誘生層錯(cuò)對(duì)Si器件的影響及其工藝控制
發(fā)布時(shí)間:2012/4/27 19:40:45 訪問(wèn)次數(shù):1238
誘生層錯(cuò)可分為氧化層錯(cuò)和外延層錯(cuò)。誘生層錯(cuò)DSEP8-12A主要是由晶片表面機(jī)械損傷、雜質(zhì)沾污、晶體生長(zhǎng)缺陷引起的。氧化層錯(cuò)與雜質(zhì)淀積交互作用可引起器件性能退化，反向電流增加。層錯(cuò)對(duì)硼、P雜質(zhì)擴(kuò)散起堵塞作用，使擴(kuò)散結(jié)面不平整，降低了擊穿電壓，增大了反向漏電流，層錯(cuò)也可能增加擴(kuò)散，使緒面局部突出，造成二次擊穿和局部通路。重金屬雜質(zhì)在層錯(cuò)處的淀積也能引起器件軟擊穿、漏電流增大。外延層錯(cuò)主要是由外延襯底的機(jī)械損傷和污染誘發(fā)而產(chǎn)生的，外延層錯(cuò)對(duì)P-N結(jié)反向漏電流影響很大�？刂坪拖T生層錯(cuò)的方法是：
①在襯底制備工藝中，盡量消除切片、磨片、拋光等工序引入的機(jī)械損傷，這種損傷可分為多晶層、裂紋層和彈性畸變層。采用電子衍射和X射線衍射法可探測(cè)出加工畸變層的深度，采用化學(xué)腐蝕方法可有效去除這些畸變層。
②晶片預(yù)退火處理，例如在氫氣和氮?dú)庵懈邷靥幚砗�，層錯(cuò)密度可降低兩個(gè)數(shù)量級(jí)。
③在吸收處理中，采用PSG、錯(cuò)配位錯(cuò)、離子注入損傷（背面）和人為機(jī)械損傷都可有效吸收層錯(cuò)。
④氣相腐蝕可蝕去表面微氧化斑，消除氧化層錯(cuò)和外延層錯(cuò)。
⑤在氧化時(shí)通人適量氯氣，可降低界面密度、消除氧化層錯(cuò)。
⑥外延后，在適當(dāng)溫度下退火，可減少層錯(cuò)密度。
①在襯底制備工藝中，盡量消除切片、磨片、拋光等工序引入的機(jī)械損傷，這種損傷可分為多晶層、裂紋層和彈性畸變層。采用電子衍射和X射線衍射法可探測(cè)出加工畸變層的深度，采用化學(xué)腐蝕方法可有效去除這些畸變層。
②晶片預(yù)退火處理，例如在氫氣和氮?dú)庵懈邷靥幚砗�，層錯(cuò)密度可降低兩個(gè)數(shù)量級(jí)。
③在吸收處理中，采用PSG、錯(cuò)配位錯(cuò)、離子注入損傷（背面）和人為機(jī)械損傷都可有效吸收層錯(cuò)。
④氣相腐蝕可蝕去表面微氧化斑，消除氧化層錯(cuò)和外延層錯(cuò)。
⑤在氧化時(shí)通人適量氯氣，可降低界面密度、消除氧化層錯(cuò)。
⑥外延后，在適當(dāng)溫度下退火，可減少層錯(cuò)密度。
誘生層錯(cuò)可分為氧化層錯(cuò)和外延層錯(cuò)。誘生層錯(cuò)DSEP8-12A主要是由晶片表面機(jī)械損傷、雜質(zhì)沾污、晶體生長(zhǎng)缺陷引起的。氧化層錯(cuò)與雜質(zhì)淀積交互作用可引起器件性能退化，反向電流增加。層錯(cuò)對(duì)硼、P雜質(zhì)擴(kuò)散起堵塞作用，使擴(kuò)散結(jié)面不平整，降低了擊穿電壓，增大了反向漏電流，層錯(cuò)也可能增加擴(kuò)散，使緒面局部突出，造成二次擊穿和局部通路。重金屬雜質(zhì)在層錯(cuò)處的淀積也能引起器件軟擊穿、漏電流增大。外延層錯(cuò)主要是由外延襯底的機(jī)械損傷和污染誘發(fā)而產(chǎn)生的，外延層錯(cuò)對(duì)P-N結(jié)反向漏電流影響很大�？刂坪拖T生層錯(cuò)的方法是：
①在襯底制備工藝中，盡量消除切片、磨片、拋光等工序引入的機(jī)械損傷，這種損傷可分為多晶層、裂紋層和彈性畸變層。采用電子衍射和X射線衍射法可探測(cè)出加工畸變層的深度，采用化學(xué)腐蝕方法可有效去除這些畸變層。
②晶片預(yù)退火處理，例如在氫氣和氮?dú)庵懈邷靥幚砗�，層錯(cuò)密度可降低兩個(gè)數(shù)量級(jí)。
③在吸收處理中，采用PSG、錯(cuò)配位錯(cuò)、離子注入損傷（背面）和人為機(jī)械損傷都可有效吸收層錯(cuò)。
④氣相腐蝕可蝕去表面微氧化斑，消除氧化層錯(cuò)和外延層錯(cuò)。
⑤在氧化時(shí)通人適量氯氣，可降低界面密度、消除氧化層錯(cuò)。
⑥外延后，在適當(dāng)溫度下退火，可減少層錯(cuò)密度。
①在襯底制備工藝中，盡量消除切片、磨片、拋光等工序引入的機(jī)械損傷，這種損傷可分為多晶層、裂紋層和彈性畸變層。采用電子衍射和X射線衍射法可探測(cè)出加工畸變層的深度，采用化學(xué)腐蝕方法可有效去除這些畸變層。
②晶片預(yù)退火處理，例如在氫氣和氮?dú)庵懈邷靥幚砗�，層錯(cuò)密度可降低兩個(gè)數(shù)量級(jí)。
③在吸收處理中，采用PSG、錯(cuò)配位錯(cuò)、離子注入損傷（背面）和人為機(jī)械損傷都可有效吸收層錯(cuò)。
④氣相腐蝕可蝕去表面微氧化斑，消除氧化層錯(cuò)和外延層錯(cuò)。
⑤在氧化時(shí)通人適量氯氣，可降低界面密度、消除氧化層錯(cuò)。
⑥外延后，在適當(dāng)溫度下退火，可減少層錯(cuò)密度。
相關(guān)技術(shù)資料- 4-28與柵電極金屬相關(guān)的失效模式
- 4-27誘生層錯(cuò)對(duì)Si器件的影響及其工藝控制
熱門點(diǎn)擊
- MAC子層
- Cougar系統(tǒng)
- 無(wú)線傳感器網(wǎng)絡(luò)定位技術(shù)
- 三防設(shè)計(jì)
- 影響電子元器件可靠性的環(huán)境因素的分類
- 以數(shù)據(jù)為中心的無(wú)線傳感器網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)庫(kù)
- MOS集成電路
- 極限應(yīng)力試驗(yàn)
- V4L2的視頻采集驅(qū)動(dòng)
- 拓?fù)淇刂浦械男菝哒{(diào)度技術(shù)
推薦技術(shù)資料
- 聲道前級(jí)設(shè)計(jì)特點(diǎn)
- 與通常的Hi-Fi前級(jí)不同，EP9307-CRZ這臺(tái)分... [詳細(xì)]
- F28P65x C2000 實(shí)時(shí)微控制器
- ARM Cortex-M33 內(nèi)核̴
- 氮化鎵二極管和晶體管̴
- Richtek RT5716設(shè)
- 新一代旗艦芯片麒麟9020應(yīng)用
- 新品WTOLC-4X50H32
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究
公網(wǎng)安備44030402000607
