微缺陷對器件性能影響及其控制方法
發(fā)布時間:2012/4/27 19:43:21 訪問次數(shù):784
微缺陷包括小夾雜、沉積物、分凝物LM311P及有關(guān)結(jié)晶學(xué)缺陷，微缺陷的尺寸在亞微米量級。采用切克勞斯基法、懸浮區(qū)溶法和無坩鍋拉制的單晶都存在著微缺陷。快擴散重金屬雜質(zhì)易在微缺陷處沉積，使器件特性退化�？刂莆⑷毕莸姆椒ㄖ饕校�
①控制晶體生成速度及冷卻速度。
②控制保護氣氛。
③控制退火處理的溫度和時間。
表4. 12是缺陷吸除技術(shù)的應(yīng)用，表4.13是微波功率器件及VLSI對Si襯底的要求。
微缺陷包括小夾雜、沉積物、分凝物LM311P及有關(guān)結(jié)晶學(xué)缺陷，微缺陷的尺寸在亞微米量級。采用切克勞斯基法、懸浮區(qū)溶法和無坩鍋拉制的單晶都存在著微缺陷�？鞌U散重金屬雜質(zhì)易在微缺陷處沉積，使器件特性退化。控制微缺陷的方法主要有：
①控制晶體生成速度及冷卻速度。
②控制保護氣氛。
③控制退火處理的溫度和時間。
表4. 12是缺陷吸除技術(shù)的應(yīng)用，表4.13是微波功率器件及VLSI對Si襯底的要求。
相關(guān)技術(shù)資料- 4-13輻射源周圍的空間可以分成兩個區(qū)域
- 4-28與表面鈍化層相關(guān)的模式
- 4-27微缺陷對器件性能影響及其控制方法
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