微缺陷對(duì)器件性能影響及其控制方法
發(fā)布時(shí)間:2012/4/27 19:43:21 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):788
微缺陷包括小夾雜、沉積物、分凝物LM311P及有關(guān)結(jié)晶學(xué)缺陷，微缺陷的尺寸在亞微米量級(jí)。采用切克勞斯基法、懸浮區(qū)溶法和無(wú)坩鍋拉制的單晶都存在著微缺陷�？鞌U(kuò)散重金屬雜質(zhì)易在微缺陷處沉積，使器件特性退化�？刂莆⑷毕莸姆椒ㄖ饕校�
①控制晶體生成速度及冷卻速度。
②控制保護(hù)氣氛。
③控制退火處理的溫度和時(shí)間。
表4. 12是缺陷吸除技術(shù)的應(yīng)用，表4.13是微波功率器件及VLSI對(duì)Si襯底的要求。
微缺陷包括小夾雜、沉積物、分凝物LM311P及有關(guān)結(jié)晶學(xué)缺陷，微缺陷的尺寸在亞微米量級(jí)。采用切克勞斯基法、懸浮區(qū)溶法和無(wú)坩鍋拉制的單晶都存在著微缺陷。快擴(kuò)散重金屬雜質(zhì)易在微缺陷處沉積，使器件特性退化�？刂莆⑷毕莸姆椒ㄖ饕校�
①控制晶體生成速度及冷卻速度。
②控制保護(hù)氣氛。
③控制退火處理的溫度和時(shí)間。
表4. 12是缺陷吸除技術(shù)的應(yīng)用，表4.13是微波功率器件及VLSI對(duì)Si襯底的要求。
相關(guān)技術(shù)資料- 4-13輻射源周?chē)目臻g可以分成兩個(gè)區(qū)域
- 4-28與表面鈍化層相關(guān)的模式
- 4-27微缺陷對(duì)器件性能影響及其控制方法
熱門(mén)點(diǎn)擊
- TPSN協(xié)議
- RBS協(xié)議
- ZigBee的主要特征
- DFuse
- SCR ESD器件
- 機(jī)械應(yīng)力對(duì)電子元器件可靠性影響分析
- DV-HOP定位方法
- 寄生耦合設(shè)計(jì)技術(shù)
- 節(jié)點(diǎn)電路原理圖
- 射頻通信技術(shù)
推薦技術(shù)資料
- 驅(qū)動(dòng)板的原理分析
- 先來(lái)看看原理圖。圖8所示為底板及其驅(qū)動(dòng)示意圖，F(xiàn)M08... [詳細(xì)]
- F28P65x C2000 實(shí)時(shí)微控制器
- ARM Cortex-M33 內(nèi)核̴
- 氮化鎵二極管和晶體管̴
- Richtek RT5716設(shè)
- 新一代旗艦芯片麒麟9020應(yīng)用
- 新品WTOLC-4X50H32
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究
公網(wǎng)安備44030402000607
