熔化玻璃的器件的穩(wěn)定性影響
發(fā)布時(shí)間:2012/4/27 19:52:56 訪問次數(shù):923
熔化玻璃的熱膨系數(shù)高，作為鈍化層時(shí)MJE15034G僅允許1Um的厚度。形成鈍化熔化層玻璃組成取決于器件工藝過程的限制和設(shè)計(jì)，原始玻璃的主要性能是：顆粒大�。ǚ勰顟B(tài)）、熔化溫度和熔融粘滯度。熔化玻璃層的主要性能是：化學(xué)耐久性、熱膨系數(shù)、介電特性及離子遷移率。含鉛氧化物的玻璃具有很好的化學(xué)穩(wěn)定性，但在125℃以上鉛離子遷移率過高，使器件的使用溫度受到限制。鉛鋁硅玻璃(LASG)具有低熱膨系數(shù)，可作為閘流管、大功率器件的鈍化層，允許在溝道中直接在Si上淀積厚的鈍化層。LASG加入適當(dāng)硼制成的玻璃(LBASG)能進(jìn)一步降低離子遷移率和熔化溫度，適用于工作溫度較高的器件。在Al金屬化系統(tǒng)的低共熔點(diǎn)(577℃)要求采用具有低熔化溫度的鈍化玻璃。由于熔化溫度愈低，其熱膨系數(shù)愈大，故實(shí)際使用的鈍化層應(yīng)非常薄，以免在高低溫工作時(shí)發(fā)生裂縫，影響可靠性。
熱生長Si02鈍化作用
熱生長S102在器件中的作用主要是作為器件的擴(kuò)散阻擋掩膜或是作為器件的表面鈍化層。在熱生長S102中存在堿離子舍影響器件的穩(wěn)定性和導(dǎo)致S102非玻璃化，降低S102的介質(zhì)擊穿電壓。為提高器件的穩(wěn)定性和可靠性，氧化過程應(yīng)嚴(yán)格控制，主要措施有：
①采用300℃高溫偏壓，測量MOS電容器的C-V曲線穩(wěn)定性，以有效監(jiān)控鈍化膜的質(zhì)量。
②盡可能減少堿離子沾污。在含有少量HC1（或Cl2）的氣氛中進(jìn)行氧化，可吸收大量的堿離子。HC1吸收工藝還可以使Si中去除快擴(kuò)散填隙沾污，增加少子壽命，改善器件性能。
③控制氧化條件，提高Si-Si02界面穩(wěn)定性。用低溫退火消除Si-S102的快表面態(tài)，慢態(tài)的界面附近氧化層內(nèi)的陷阱造成的。
熱生長Si02鈍化作用
熱生長S102在器件中的作用主要是作為器件的擴(kuò)散阻擋掩膜或是作為器件的表面鈍化層。在熱生長S102中存在堿離子舍影響器件的穩(wěn)定性和導(dǎo)致S102非玻璃化，降低S102的介質(zhì)擊穿電壓。為提高器件的穩(wěn)定性和可靠性，氧化過程應(yīng)嚴(yán)格控制，主要措施有：
①采用300℃高溫偏壓，測量MOS電容器的C-V曲線穩(wěn)定性，以有效監(jiān)控鈍化膜的質(zhì)量。
②盡可能減少堿離子沾污。在含有少量HC1（或Cl2）的氣氛中進(jìn)行氧化，可吸收大量的堿離子。HC1吸收工藝還可以使Si中去除快擴(kuò)散填隙沾污，增加少子壽命，改善器件性能。
③控制氧化條件，提高Si-Si02界面穩(wěn)定性。用低溫退火消除Si-S102的快表面態(tài)，慢態(tài)的界面附近氧化層內(nèi)的陷阱造成的。
熔化玻璃的熱膨系數(shù)高，作為鈍化層時(shí)MJE15034G僅允許1Um的厚度。形成鈍化熔化層玻璃組成取決于器件工藝過程的限制和設(shè)計(jì)，原始玻璃的主要性能是：顆粒大�。ǚ勰顟B(tài)）、熔化溫度和熔融粘滯度。熔化玻璃層的主要性能是：化學(xué)耐久性、熱膨系數(shù)、介電特性及離子遷移率。含鉛氧化物的玻璃具有很好的化學(xué)穩(wěn)定性，但在125℃以上鉛離子遷移率過高，使器件的使用溫度受到限制。鉛鋁硅玻璃(LASG)具有低熱膨系數(shù)，可作為閘流管、大功率器件的鈍化層，允許在溝道中直接在Si上淀積厚的鈍化層。LASG加入適當(dāng)硼制成的玻璃(LBASG)能進(jìn)一步降低離子遷移率和熔化溫度，適用于工作溫度較高的器件。在Al金屬化系統(tǒng)的低共熔點(diǎn)(577℃)要求采用具有低熔化溫度的鈍化玻璃。由于熔化溫度愈低，其熱膨系數(shù)愈大，故實(shí)際使用的鈍化層應(yīng)非常薄，以免在高低溫工作時(shí)發(fā)生裂縫，影響可靠性。
熱生長Si02鈍化作用
熱生長S102在器件中的作用主要是作為器件的擴(kuò)散阻擋掩膜或是作為器件的表面鈍化層。在熱生長S102中存在堿離子舍影響器件的穩(wěn)定性和導(dǎo)致S102非玻璃化，降低S102的介質(zhì)擊穿電壓。為提高器件的穩(wěn)定性和可靠性，氧化過程應(yīng)嚴(yán)格控制，主要措施有：
①采用300℃高溫偏壓，測量MOS電容器的C-V曲線穩(wěn)定性，以有效監(jiān)控鈍化膜的質(zhì)量。
②盡可能減少堿離子沾污。在含有少量HC1（或Cl2）的氣氛中進(jìn)行氧化，可吸收大量的堿離子。HC1吸收工藝還可以使Si中去除快擴(kuò)散填隙沾污，增加少子壽命，改善器件性能。
③控制氧化條件，提高Si-Si02界面穩(wěn)定性。用低溫退火消除Si-S102的快表面態(tài)，慢態(tài)的界面附近氧化層內(nèi)的陷阱造成的。
熱生長Si02鈍化作用
熱生長S102在器件中的作用主要是作為器件的擴(kuò)散阻擋掩膜或是作為器件的表面鈍化層。在熱生長S102中存在堿離子舍影響器件的穩(wěn)定性和導(dǎo)致S102非玻璃化，降低S102的介質(zhì)擊穿電壓。為提高器件的穩(wěn)定性和可靠性，氧化過程應(yīng)嚴(yán)格控制，主要措施有：
①采用300℃高溫偏壓，測量MOS電容器的C-V曲線穩(wěn)定性，以有效監(jiān)控鈍化膜的質(zhì)量。
②盡可能減少堿離子沾污。在含有少量HC1（或Cl2）的氣氛中進(jìn)行氧化，可吸收大量的堿離子。HC1吸收工藝還可以使Si中去除快擴(kuò)散填隙沾污，增加少子壽命，改善器件性能。
③控制氧化條件，提高Si-Si02界面穩(wěn)定性。用低溫退火消除Si-S102的快表面態(tài)，慢態(tài)的界面附近氧化層內(nèi)的陷阱造成的。
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