聲表面波器件的工藝路線選擇MP1521EK主要是光刻工藝的選擇。其余工序的控制。
    聲表面波器件的光刻工藝有兩種，即濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕又有正刻和反刻（俗稱剝離）之分，正刻和反刻的刻蝕工藝流程示意圖見圖9. 11所示。曝光方式有接觸式和分步重復(fù)投影式的STEPPER兩種，前者的光刻分辨率不高，后者分辨率高但設(shè)備昂貴。

    曝光設(shè)備和光刻技術(shù)是制作高頻聲表面波器件的關(guān)鍵設(shè)備。g一線stepper適合于1.5GHz以下的聲表面波濾波器生產(chǎn)，I一線stepper適合于生產(chǎn)1.5～2.5GHz的聲表面波濾波器，如果用分辨率為0.13～0.18 pm的受激準(zhǔn)分子stepper，能夠制作5.5～5.7GHz范圍內(nèi)的聲表面波濾波器。
    腐蝕方法是制作高頻聲表面波器件的又一關(guān)鍵技術(shù)。干法刻蝕法，尤其是反應(yīng)離子刻蝕(RIE)，是非常適合于制作RF聲表面波器件的，用BCl3氣體，能干凈地蝕刻Al或摻雜的Al膜，不會出現(xiàn)過腐蝕或腐蝕不完全情況。