如圖2. 57所示，在P阱和PMOS管的P十漏區(qū)之間，安排一個(gè)W19B320ATT7H接地的由P阱和P+組成的區(qū)域，這個(gè)區(qū)域被稱(chēng)為收集極，又稱(chēng)為少數(shù)載流子（簡(jiǎn)稱(chēng)少子）保護(hù)環(huán)。用它來(lái)提前收集那些會(huì)引起閉鎖的注入少數(shù)載流子。它可以收集由橫向PNP管發(fā)射極注入的少子——空穴，相當(dāng)于橫向PNP管的收集極，故又稱(chēng)偽集電極。少子不會(huì)被P阱所收集，從而有效地減小了pPNP。

    圖2. 58所示是N阱CMOS電路中的偽集電極。也是在N阱與nMOS管的N+漏區(qū)之間制作一個(gè)接電源VDD的由N阱和N1組成的區(qū)域，它可以收集由橫向NPN管發(fā)射極注入到基區(qū)（P型襯底）的電子（少子），起到集電極的作用，從而有效地減小了pNPN。