消除鋁的電遷移失效模式的可靠性設(shè)計(jì)
發(fā)布時(shí)間:2012/5/6 15:31:13 訪問次數(shù):1104
鋁、金等導(dǎo)體離子在宣流電場(chǎng)作用下LTV-817S的電遷移是金屬離子與空位沿相對(duì)方向進(jìn)行的擴(kuò)散過程。只有在遷移的離子流發(fā)散時(shí)電遷移才導(dǎo)致?lián)p害，微觀結(jié)構(gòu)的不連續(xù)性如晶界會(huì)合的三重點(diǎn)和缺陷中心等都會(huì)使離子流發(fā)散而形成空洞，它使局部阻值增大甚至導(dǎo)致開路。
鋁膜的幾何形狀、組分、微觀結(jié)構(gòu)以及成膜工藝都會(huì)影響其電遷移失效。細(xì)長(zhǎng)的鋁膜較易發(fā)生電遷移，特別是長(zhǎng)超過lcm、寬小于3tLm的鋁條很容易出現(xiàn)電遷移現(xiàn)象。晶粒較大的鋁膜因其晶界發(fā)散點(diǎn)較少所以電遷移失效率低于細(xì)晶粒鋁膜。
抑制鋁膜電遷移失效的方法有多種如退火、加Cr或S102類覆蓋膜等，其中比較簡(jiǎn)便而有效的方法是合金化，即在鋁中加入少量Cu，Mg、Co、Ni等。合金化可以很有效地抑制鋁的擴(kuò)散，例如摻Cu可使140～250℃間的晶界擴(kuò)散速率降低2個(gè)數(shù)量級(jí)；摻2%Cu的鋁膜在200℃時(shí)的壽命比粗晶鋁高16倍，比細(xì)晶鋁高35倍。
消除LiNb03晶片的微裂失效模式的可靠性設(shè)計(jì)
LiNb03晶片的微裂常常出現(xiàn)在IDT的指條邊上或波導(dǎo)一喇叭口間的金屬條邊上，它與這種晶體所固有的鐵電性、熱電性和壓電性有關(guān)。這種缺陷不能完全通過退火和極化來消除。
為防止LiNb03晶片的微裂，可用很薄的高阻膜覆蓋晶片的自由表面。同時(shí)，在壓電晶片的加工和檢驗(yàn)過程中都需要特別細(xì)致精心。
鋁膜的幾何形狀、組分、微觀結(jié)構(gòu)以及成膜工藝都會(huì)影響其電遷移失效。細(xì)長(zhǎng)的鋁膜較易發(fā)生電遷移，特別是長(zhǎng)超過lcm、寬小于3tLm的鋁條很容易出現(xiàn)電遷移現(xiàn)象。晶粒較大的鋁膜因其晶界發(fā)散點(diǎn)較少所以電遷移失效率低于細(xì)晶粒鋁膜。
抑制鋁膜電遷移失效的方法有多種如退火、加Cr或S102類覆蓋膜等，其中比較簡(jiǎn)便而有效的方法是合金化，即在鋁中加入少量Cu，Mg、Co、Ni等。合金化可以很有效地抑制鋁的擴(kuò)散，例如摻Cu可使140～250℃間的晶界擴(kuò)散速率降低2個(gè)數(shù)量級(jí)；摻2%Cu的鋁膜在200℃時(shí)的壽命比粗晶鋁高16倍，比細(xì)晶鋁高35倍。
消除LiNb03晶片的微裂失效模式的可靠性設(shè)計(jì)
LiNb03晶片的微裂常常出現(xiàn)在IDT的指條邊上或波導(dǎo)一喇叭口間的金屬條邊上，它與這種晶體所固有的鐵電性、熱電性和壓電性有關(guān)。這種缺陷不能完全通過退火和極化來消除。
為防止LiNb03晶片的微裂，可用很薄的高阻膜覆蓋晶片的自由表面。同時(shí)，在壓電晶片的加工和檢驗(yàn)過程中都需要特別細(xì)致精心。
鋁、金等導(dǎo)體離子在宣流電場(chǎng)作用下LTV-817S的電遷移是金屬離子與空位沿相對(duì)方向進(jìn)行的擴(kuò)散過程。只有在遷移的離子流發(fā)散時(shí)電遷移才導(dǎo)致?lián)p害，微觀結(jié)構(gòu)的不連續(xù)性如晶界會(huì)合的三重點(diǎn)和缺陷中心等都會(huì)使離子流發(fā)散而形成空洞，它使局部阻值增大甚至導(dǎo)致開路。
鋁膜的幾何形狀、組分、微觀結(jié)構(gòu)以及成膜工藝都會(huì)影響其電遷移失效。細(xì)長(zhǎng)的鋁膜較易發(fā)生電遷移，特別是長(zhǎng)超過lcm、寬小于3tLm的鋁條很容易出現(xiàn)電遷移現(xiàn)象。晶粒較大的鋁膜因其晶界發(fā)散點(diǎn)較少所以電遷移失效率低于細(xì)晶粒鋁膜。
抑制鋁膜電遷移失效的方法有多種如退火、加Cr或S102類覆蓋膜等，其中比較簡(jiǎn)便而有效的方法是合金化，即在鋁中加入少量Cu，Mg、Co、Ni等。合金化可以很有效地抑制鋁的擴(kuò)散，例如摻Cu可使140～250℃間的晶界擴(kuò)散速率降低2個(gè)數(shù)量級(jí)；摻2%Cu的鋁膜在200℃時(shí)的壽命比粗晶鋁高16倍，比細(xì)晶鋁高35倍。
消除LiNb03晶片的微裂失效模式的可靠性設(shè)計(jì)
LiNb03晶片的微裂常常出現(xiàn)在IDT的指條邊上或波導(dǎo)一喇叭口間的金屬條邊上，它與這種晶體所固有的鐵電性、熱電性和壓電性有關(guān)。這種缺陷不能完全通過退火和極化來消除。
為防止LiNb03晶片的微裂，可用很薄的高阻膜覆蓋晶片的自由表面。同時(shí)，在壓電晶片的加工和檢驗(yàn)過程中都需要特別細(xì)致精心。
鋁膜的幾何形狀、組分、微觀結(jié)構(gòu)以及成膜工藝都會(huì)影響其電遷移失效。細(xì)長(zhǎng)的鋁膜較易發(fā)生電遷移，特別是長(zhǎng)超過lcm、寬小于3tLm的鋁條很容易出現(xiàn)電遷移現(xiàn)象。晶粒較大的鋁膜因其晶界發(fā)散點(diǎn)較少所以電遷移失效率低于細(xì)晶粒鋁膜。
抑制鋁膜電遷移失效的方法有多種如退火、加Cr或S102類覆蓋膜等，其中比較簡(jiǎn)便而有效的方法是合金化，即在鋁中加入少量Cu，Mg、Co、Ni等。合金化可以很有效地抑制鋁的擴(kuò)散，例如摻Cu可使140～250℃間的晶界擴(kuò)散速率降低2個(gè)數(shù)量級(jí)；摻2%Cu的鋁膜在200℃時(shí)的壽命比粗晶鋁高16倍，比細(xì)晶鋁高35倍。
消除LiNb03晶片的微裂失效模式的可靠性設(shè)計(jì)
LiNb03晶片的微裂常常出現(xiàn)在IDT的指條邊上或波導(dǎo)一喇叭口間的金屬條邊上，它與這種晶體所固有的鐵電性、熱電性和壓電性有關(guān)。這種缺陷不能完全通過退火和極化來消除。
為防止LiNb03晶片的微裂，可用很薄的高阻膜覆蓋晶片的自由表面。同時(shí)，在壓電晶片的加工和檢驗(yàn)過程中都需要特別細(xì)致精心。
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