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漏極的相位相反

發(fā)布時(shí)間:2012/5/19 20:29:51 訪問次數(shù):1037

    RD連接在漏極與電源之間,所以這MSP430F2274IDAR里產(chǎn)生的電壓降是以電源為基準(zhǔn)的。因此,當(dāng)輸入電壓Vi增加,漏極電流也增加時(shí),RD上的電壓降相對(duì)于電源也變大,漏極相對(duì)于地的電位Vd (RD與漏極的接點(diǎn)電位)減少。
    相反,如果口i減少時(shí)漏極電流也減少,RD上的電壓降變小,Vd相對(duì)于GND增加。因此,相對(duì)于口iVd的相位是反相的——相位變化180。
    由照片2.5和照片2.6可以看出,對(duì)于FET源極接地放大電路來說,各極間呈現(xiàn)出的信號(hào)的相位關(guān)系是柵極一源極間同相(相位差為零),柵極一漏極間以及源極一漏極間反相。
    但是,需要注意的是這只是源極接地時(shí)的相位關(guān)系,對(duì)于后面將要講到的柵極接地放大電路來說,情況是不同的。
    這里的情況與雙極晶體管發(fā)射極接地放大電路相同。
    照片2.7是漏極電位Vd與輸出電壓口。的波形。耦合電容C2隔斷了仇的直流成分,取出的輸出僅是以O(shè)V為中心擺動(dòng)的交流成分。

                       

    RD連接在漏極與電源之間,所以這MSP430F2274IDAR里產(chǎn)生的電壓降是以電源為基準(zhǔn)的。因此,當(dāng)輸入電壓Vi增加,漏極電流也增加時(shí),RD上的電壓降相對(duì)于電源也變大,漏極相對(duì)于地的電位Vd (RD與漏極的接點(diǎn)電位)減少。
    相反,如果口i減少時(shí)漏極電流也減少,RD上的電壓降變小,Vd相對(duì)于GND增加。因此,相對(duì)于口iVd的相位是反相的——相位變化180。
    由照片2.5和照片2.6可以看出,對(duì)于FET源極接地放大電路來說,各極間呈現(xiàn)出的信號(hào)的相位關(guān)系是柵極一源極間同相(相位差為零),柵極一漏極間以及源極一漏極間反相。
    但是,需要注意的是這只是源極接地時(shí)的相位關(guān)系,對(duì)于后面將要講到的柵極接地放大電路來說,情況是不同的。
    這里的情況與雙極晶體管發(fā)射極接地放大電路相同。
    照片2.7是漏極電位Vd與輸出電壓口。的波形。耦合電容C2隔斷了仇的直流成分,取出的輸出僅是以O(shè)V為中心擺動(dòng)的交流成分。

                       

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