源極接地時(shí)的交流增益
發(fā)布時(shí)間:2012/5/21 20:02:03 訪問(wèn)次數(shù):978
對(duì)于雙極晶體管，這個(gè)最大增HCPL-181-00DE益值與hFE有關(guān)；對(duì)于FET則與gm有關(guān)。
當(dāng)源極交流接地時(shí)，如圖3. 25所示，柵極一源極間電壓VGS的變化量AVG。等于輸入電壓vi。而輸出電壓。為漏極電流的變化量AID與漏極電阻RD之積，所以能夠?qū)崿F(xiàn)的最大增益AVMAX為：
這就是說(shuō)，為了提高AVMAX，可以增大g�；蛘咴龃驲D。但是從電路結(jié)構(gòu)上考慮，RD不能夠很大(充其量lokQ)。所以，使用JFET單管放大電路能夠得到的最大增益約為30～40dB。
雙極晶體管的hFE值在100～1000范圍，它的單管電路增大增益約為40～60dB。所以用JFET得到的增益比用晶體管稍低些（但是功率MOSFET有些不同），這是FET的缺點(diǎn)之一。
當(dāng)源極交流接地時(shí)，如圖3. 25所示，柵極一源極間電壓VGS的變化量AVG。等于輸入電壓vi。而輸出電壓。為漏極電流的變化量AID與漏極電阻RD之積，所以能夠?qū)崿F(xiàn)的最大增益AVMAX為：
這就是說(shuō)，為了提高AVMAX，可以增大g�；蛘咴龃驲D。但是從電路結(jié)構(gòu)上考慮，RD不能夠很大(充其量lokQ)。所以，使用JFET單管放大電路能夠得到的最大增益約為30～40dB。
雙極晶體管的hFE值在100～1000范圍，它的單管電路增大增益約為40～60dB。所以用JFET得到的增益比用晶體管稍低些（但是功率MOSFET有些不同），這是FET的缺點(diǎn)之一。
對(duì)于雙極晶體管，這個(gè)最大增HCPL-181-00DE益值與hFE有關(guān)；對(duì)于FET則與gm有關(guān)。
當(dāng)源極交流接地時(shí)，如圖3. 25所示，柵極一源極間電壓VGS的變化量AVG。等于輸入電壓vi。而輸出電壓。為漏極電流的變化量AID與漏極電阻RD之積，所以能夠?qū)崿F(xiàn)的最大增益AVMAX為：
這就是說(shuō)，為了提高AVMAX，可以增大g。或者增大RD。但是從電路結(jié)構(gòu)上考慮，RD不能夠很大(充其量lokQ)。所以，使用JFET單管放大電路能夠得到的最大增益約為30～40dB。
雙極晶體管的hFE值在100～1000范圍，它的單管電路增大增益約為40～60dB。所以用JFET得到的增益比用晶體管稍低些（但是功率MOSFET有些不同），這是FET的缺點(diǎn)之一。
當(dāng)源極交流接地時(shí)，如圖3. 25所示，柵極一源極間電壓VGS的變化量AVG。等于輸入電壓vi。而輸出電壓。為漏極電流的變化量AID與漏極電阻RD之積，所以能夠?qū)崿F(xiàn)的最大增益AVMAX為：
這就是說(shuō)，為了提高AVMAX，可以增大g。或者增大RD。但是從電路結(jié)構(gòu)上考慮，RD不能夠很大(充其量lokQ)。所以，使用JFET單管放大電路能夠得到的最大增益約為30～40dB。
雙極晶體管的hFE值在100～1000范圍，它的單管電路增大增益約為40～60dB。所以用JFET得到的增益比用晶體管稍低些（但是功率MOSFET有些不同），這是FET的缺點(diǎn)之一。
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